第一章锗和硅的化学提纯 1
1.1锗的提纯 1
1.1.1概述 1
1.1.2原料 1
1.1.3制法 1
目 录 1
1.1.4锗的性质 8
1.1.5鉴定纯度的化学方法及其灵敏度 9
1.2硅的提纯 10
1.2.1概述 10
1.2.2原料 10
1.2.3制法 10
1.2.4硅的性质 16
2.1.1分凝系数 18
第二章锗和硅的物理提纯 18
2.1提纯原理 18
2.1.2正常凝固法 21
2.1.3区域熔炼法 22
2.2锗 27
2.3硅 29
第三章单晶制备 34
3.1概述 34
3.2拉制法 34
3.2.1 设备装置 34
3.2.2坩埚 36
3.2.3拉制速率 36
3.2.4籽晶轴的旋转速率 36
3.2.5保护气体 36
3.2.7杂质分布 37
3.2.6晶体中的应变 37
3.3区域熔化法 38
3.3.1设备装置 39
3.3.2熔区的移动速度 40
3.3.3杂质分布 40
3.3.4实际方法 41
3.4枝蔓晶体生长 42
3.4.1拉制方法 42
3.4.2杂质分布 43
3.4.3晶体中的位错 43
3.5从气相中生长晶体 44
3.5.1真空蒸发法 44
3.5.2化学分解法 44
3.6.1布里奇曼法 46
3.6.2从溶液中生长晶体 46
3.6其他方法 46
第四章杂质扩散 48
4.1扩散的基本概念 48
4.2扩散技术 49
4.2.1 从固相或液相中扩散 49
9.3.6其他测量法 （1 51
4.2.2从气相中扩散 52
4.3扩散层的测量法 54
4.3.1扩散深度 54
4.3.2表面浓度的确定 57
4.4扩散技术中存在的问题 58
4.4.1平整的面 58
4.4.2热处理引起的电阻率变化 62
4.4.3表面浓度的控制 64
第五章锗和硅的电学性质 68
5.1能带结构 68
5.2杂质效应 70
5.3电学性质 75
5.4光学性质 79
第六章化合物半导体 81
6.1 概述 81
6.2 Ⅲ-V族化合物半导体 83
6.3硫化物系半导体（硫化物、硒化物、碲化物） 104
6.4氧化物半导体 108
6.5碳化硅（SiC）和硅化物半导体 109
6.6光电材料概述 109
6.6.1光电导 109
6.6.2光生伏特效应 111
6.6.3电发光 112
6.6.4电子照相 112
6.7温差电材料概述 113
6.8特殊半导体（含有过渡金属的氧化物） 114
6.9特殊半导体（有机半导体） 115
第七章晶格缺陷 118
7.1空位、隙间原子 119
7.2异质原子 120
7.2.1异质原子掺入隙间位置 120
7.2.2 si中的氧 120
7.3位错 121
7.3.1金刚石类型晶格的位错 121
7.3.2位错的检验 121
7.3.3位错的产生和消灭 123
7.4交界面 125
7.5位错、交界面的电学性质 128
7.5.1位错对载流子浓度、迁移率的影响 128
7.5.2位错对载流子寿命的影响 128
7.5.3交界面的电学性质 129
8.1.1不通过俘获中心的复合 131
第八章复合和陷阱 131
8.1复合的形式 131
8.1.2通过俘获中心的复合 132
8.2辐射复合 133
8.2.1辐射复合的寿命 133
8.2.2辐射复合引起的发射光谱分布 133
8.3晶体缺陷和复合 136
8.3.1杂质效应 136
8.3.2位错效应 139
8.3.3其他缺陷的效应 140
8.4寿命的温度特性 141
8.5陷阱效应 142
9.1.1根据温差电动势制断的方法 143
9.1.2根据整流特性判断的方法 143
9.1导电类型的测量法 143
第九章半导体测量法 143
9.2电阻率的测量法 144
9.2.1二探针法 144
9.2.2四探针法 144
9.2.3高频法 145
9.3寿命测量法 147
9.3.1扩散长度法 147
9.3.2光电导衰減法 149
9.3.3光电导法 149
9.3.4高频法……………………………………………（149 ）9.3.5海因斯－肖克莱法 150
9.4腐蚀坑的测量 151
9.5根据腐蚀坑确定晶轴 153
参考资料 154