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第一章 非晶半导体概论 1

1.1 结构与分类 1

1.2 电子态 4

1.3 缺陷与掺杂效应 7

1.4 输运性质 11

1.5 光学性质 14

1.6 非晶半导体超晶格 21

第二章 非晶半导体材料的制备与加工 30

2.1 制备方法概述 30

2.2 辉光放电法原理 33

2.3 辉光放电淀积装置的设计 40

2.4 a-Si:H的辉光放电淀积 55

2.5 非晶薄膜的其他制备方法 74

2.6 掺杂方法 86

2.7 淀积过程中的晶化 90

2.8 阳极氧化 92

2.9 激光光刻 94

2.10 材料工艺中的安全问题 97

第三章 非晶半导体材料的特性分析 104

3.1 结构分析 104

3.2 隙态测试 113

3.3 光学常数测试 123

3.4 组态分析 135

3.5 组分分析 140

3.6 发光特性的实验研究 147

3.7 输运性质的实验研究 159

第四章 a-Si:H太阳能电池 166

4.1 太阳能电池原理 168

4.2 非晶太阳能电池的结构设计 181

4.3 非晶太阳能电池的特性分析 191

4.4 参数测试 208

4.5 非晶太阳能电池的加工工艺 214

4.6 非晶太阳能电池的材料物理问题 227

4.7 非晶太阳能电池的应用 239

第五章 其他光敏器件 250

5.1 光敏电阻和光电二极管 250

5.2 a-Si:H辨色器 254

5.3 摄像靶 259

5.4 固体图像传感器 269

5.5 光电子印刷术中的光敏器件 282

5.6 高速光电探测器 292

第六章 发光器件 296

6.1 发光器件原理 297

6.2 a-SiCx:H发光器件 306

6.3 研究方向 317

第七章 a-Si:H场效应器件 322

7.1 场效应及场效应器件 322

7.2 a-Si:H场效应器件的特性 329

7.3 a-Si:H场效应器件的CAD模型 335

7.4 a-Si:H场效应器件的稳定性 347

7.5 a-Si:H场效应器件的应用 352

第八章 敏感元器件 363

8.1 热敏电阻 363

8.2 热电偶 365

8.3 MIS型氢敏二极管 368

8.4 场效应型组分敏感器件 374

8.5 定位传感器 376

第九章 电子开关与光盘 380

9.1 开关效应 380

9.2 a-Si:H电子开关 383

9.3 大容量的光存光取存贮器 389

9.4 硅系非晶材料的光盘应用 395

第十章 其他应用 400

10.1 a-Si:H对晶体表面的钝化作用 400

10.2 a-SiGe:B在电子器件中的应用 404

10.3 Se-Ge薄膜在光刻技术中的应用 412

10.4 光学波导 414