场效应晶体管电路设计PDF电子书下载

目录 1

第一章 场效应晶体管理论 1

1-1 引言 1

1-2 结型场效应晶体管 4

1-3 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应晶体管（绝缘栅型场效应晶体管） 14

1-4 场效应晶体管的符号 18

1-5 场效应晶体管的物理特征 19

1-6 小结 25

第二章 场效应晶体管的参量与规格 27

2-1 引言 27

2-2 JFET的静态特性 28

2-3 栅流特性 34

2-4 小信号特性 35

2-5 JFET中的电容 39

2-6 噪声特性 41

2-7 特性参量间的相互关系 43

2-8 MOSFET的特性 48

2-9 模拟开关参量 56

2-10 温度效应 61

2-11 额定功耗衰减系数 63

2-12 术语与符号汇总 64

3-1 引言 66

第三章 低频电路 66

8-2 工作区的边界 67

3-3 设计举例 68

3-4 确定工作点与建立偏置的方法 69

3-5 输入电容 72

3-6 如何选用FET——一个设计实例 73

3-7 恒流源偏置 82

3-8 共源共栅电路 84

3-9 源极跟随器（共漏放大器） 90

3-10 差分放大器 98

3-11 FET放大器的失真 121

3-12 音频噪声特性 133

第四章 高频电路 147

4-1 高频技术 147

4-2 高频放大中的问题 149

4-3 “完美”的高频FET 151

4-4 稳定性 153

4-5 功率增益 156

4-6 晶体管的两端口网络（四端网络）参量 157

4-7 放大器 162

4-8 混频器 173

4-9 平衡混频器 181

4-10 双平衡混频器 186

4-11 振荡器 194

4-12 高频功率FET 198

4-13 噪声温度与噪声系数 203

第五章 模拟开关 208

5-1 作模拟开关用的FET 208

5-2 直流等效电路 209

5-3 作开关用的JFET 212

5-4 开关高频信号 215

5-5 MOSFET开关 221

5-6 CMOS开关 222

5-7 VMOS开关 224

5-8 直流漏电特性 232

5-9 电容与开关过渡过程 238

5-10 用模拟开关进行信号变换 246

5-11 小结 251

第六章 电压控制电阻器和FET电流源 252

6-1 电压控制电阻器（VCR）的性质 252

6-2 FET VCR的特性 252

6-3 如何把FET用作VCR 255

6-4 信号失真：起因 256

6-5 信号失真的减小 257

6-6 用VCR进行线性增益控制 259

6-7 反馈线性化了的VCR的分析 262

6-8 用FET作恒流源 265

6-9 共源共栅FET电流源 269

6-10 稳流二极管 270

6-11 使用稳流器的波形发生器 273

6-12 用FET作电流源时的使用要点 275

第七章 功率场效应晶体管 276

7-1 引言 276

7-2 VMOS技术 277

7-3 垂直JFET和DMOS技术 279

7-4 VMOS的特性 281

7-5 一般开关应用 283

7-6 驱动考虑 294

7-7 温度考虑 295

7-8 并联与串联工作 297

7-9 放大应用 298

7-10 射频功率放大应用 303

7-11 小结 303

第八章 集成电路中的场效应晶体管 304

8-1 引言 304

8-2 MOSFET的各种基本制造工艺 304

8-3 双极晶体管与FET的结合 308