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第一章 半导体物理导论 1

1.1 基本假设 1

1.2 有效质量近似 4

符号表 7

目录 7

1.3 布里渊区 8

1.4 多谷半导体 9

1.5 态密度 11

1.6 电子碰撞 12

1.7 晶体的晶格振动 14

1.8 声子 17

1.9 声子的吸收和发射 20

1.10 声子-电子的动量和能量交换 22

2.1 引言 26

第二章 碰撞理论和热电子 26

2.2 平均自由时间 28

2.3 动量和能量弛豫时间 30

2.4 分布函数 33

2.5 玻耳兹曼方程 35

2.6 玻耳兹曼方程的解 38

2.7 有能量损失时的解 42

2.8 速度饱和 45

2.9 守恒方程和实际近似 48

问题 53

第三章 转移电子和耿氏效应 55

3.1 引言 55

3.2 电子转移的基本理论 59

3.3 电子转移的计算机理论 65

3.4 速度-电场特性的实验测量 68

3.5 扩散、能量输运和散射率 70

3.6 畴的形成和耿氏效应 74

3.7 其它材料中的耿氏效应 79

问题 80

第四章 不稳定性和波 81

4.1 引言 81

4.2 小信号分析 82

4.3 电荷载流子波 85

4.4 小信号阻抗 89

4.5 电场的再分布 93

4.6 具有非线性电场的阻抗 98

4.7 生长波和负阻抗的实验观察 101

问题 103

5.2 等面积定则 105

5.1 引言 105

第五章 畴动力学 105

5.3 零扩散极限条件下的畴特性 109

5.4 有限扩散的效应 113

5.5 畴的形状 120

5.6 与时间相关的理论：修正的等面积定则 123

5.7 畴形成时间 126

5.8 畴的等效电路 128

5.9 畴致逻辑 131

问题 135

第六章 耿氏振荡器 137

6.1 引言 137

6.2 高n·L和n/f乘积条件下的谐振模式理论 139

6.3 利用畴电荷改进效率 148

6.4 最佳波形 154

6.5 实际的振荡器 155

6.6 耿氏二极管的制造 160

问题 166

第七章 空间电荷控制模式 167

7.1 功率限制 167

7.2 功率阻抗乘积 169

7.3 限累（LSA）模式中的空间电荷控制 173

7.4 限累模式的功率和效率 176

7.5 激励限累模式 180

7.6 多畴模式、混合模式以及串联工作 183

7.7 低频负电导 189

问题 190

第八章 雪崩击穿 191

8.1 引言 191

8.2 离化率的理论 196

8.3 雪崩倍增理论 200

8.4 离化率的测量 203

8.5 速度饱和的测量 209

8.6 p-i-n二极管的直流特性 211

8.7 热线的形成 216

第九章 雪崩击穿中的动力学概念 219

9.1 引言 219

9.2 雪崩区的动态方程 227

9.3 里德二极管 230

9.4 里德二极管的大信号效应 234

9.5 均匀雪崩区 242

问题 246

第十章 雪崩器件 248

10.1 引言 248

10.2 多均匀层近似：电流比 250

10.3 小信号阻抗 255

10.4 振荡的生长速率 259

10.5 里德二极管的大信号分析（计算机理论） 262

10.6 微波电路 268

10.7 异常Impatt模式 272

10.8 制造技术 282

10.9 器件参数的测量 285

问题 289

第十一章 振荡器的一般特性 291

11.1 引言 291

11.2 振荡条件 292

11.3 频率锁定 295

11.4 噪声理论 296

11.5 频率调谐 305

问题 308

1.5 态密度 309

附录 309

3.2 双温度电子转移模型 310

4.3 有限半导体中的波 313

4.6 小信号阻抗 316

5.4 畴的数学计算 318

6.2 C类开关振荡器 322

7.6 串联谐振电路中猝灭模式的理想化模型：混合模式效应的修正 325

8.2 离化率的理论 327

8.6 p-i-n二极管的特性 330

9.3 拉莫-肖克莱定理 332

9.5 均匀雪崩区的波动解 334

11.2 福斯特电抗和斯莱特微扰定理 337

12 其它的热载流子器件 339

参考文献 344