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目录 1

第一章　MOS晶体管原理与特性 1

§1.1　MOS晶体管一般介绍 1

一、MOS场效应晶体管的结构及工作原理 1

二、MOS晶体管的四种类型 3

三、MOS场效应晶体管的特点 4

§1.2　MOS晶体管的物理基础 5

一、理想MOS系统在外场作用下的硅表面 5

二、表面势及空间电荷区的电荷 7

三、MOS电容 8

四、实际MOS系统的硅表面 10

五、MOS器件的阈值电压 12

§1.3　MOS晶体管的输出特性 15

一、MOS晶体管输出特性的定性讨论 15

二、MOS晶体管电流-电压特性方程 17

§1.4　MOS晶体管的主要参数 21

一、直流参数 21

二、低频小信号参数 24

三、MOS晶体管的最高频率 26

§1.5　MOS晶体管的温度特性 28

一、导电因子随温度的变化 28

二、阈电压随温度的变化 29

§1.6　MOS晶体管图形设计举例 30

复习思考与习题 31

§2.1 电阻负载MOS倒相器 34

一、工作原理 34

第二章　MOS倒相器和门电路 34

二、负载线与工作点 35

三、不同负载对倒相器性能的影响 35

§2.2　E/E MOS倒相器 36

一、工作原理 36

二、静态特性分析 38

三、瞬态响应 44

四、MOS倒相器设计举例 51

一、工作原理 53

§2.3　E/D MOS倒相器 53

二、静态分析 54

三、瞬态响应 58

§2.4　CMOS倒相器 59

一、CMOS倒相器原理 59

二、直流传输特性和噪声容限 60

三、瞬态响应 64

四、功耗讨论 68

§2.5　动态MOS倒相器 69

一、栅电容存贮效应 70

二、动态MOS基本电路 70

§2.6　MOS门电路与传输门 74

一、单沟道MOS门电路 74

二、CMOS门电路 80

三、MOS传输门 84

复习思考与习题 86

一、R-S触发器 90

§3.1　MOS触发器 90

第三章　触发器和其它逻辑部件 90

二、J-K触发器 94

三、D触发器 96

§3.2　MOS移位寄存器 99

一、静态移位寄存器 99

二、动态移位寄存器 100

§3.3　MOS加法器 103

一、MOS半加器 103

二、MOS全加器 103

§3.4　MOS译码器 105

一、三变量译码器 105

二、CMOS七段显示译码器 107

复习思考与习题………………………………………………………………………………………………（11O）第四章　MOS存贮器§4.1　存贮器的基本概念 111

§4.2　随机存取存贮器（RAM） 111

一、静态MOS存贮单元 112

二、动态MOS存贮单元 113

§4.3 只读存贮器（ROM） 119

一、MOS掩膜编制程序ROM 120

二、可编程序只读存贮器 121

复习思考与习题 127

第五章　MOS模拟集成电路基础 128

§5.1　饱和MOS晶体管的小信号模型 128

一、饱和MOS晶体管的电流公式 128

二、饱和MOS晶体管的小信号等效电路 128

一、增强型负载共源放大器 129

§5.2　有源负载单级放大器 129

二、CMOS放大器 131

三、源极跟随器 132

§5.3　电流源及偏置电路 133

一、MOS晶体管电流源 133

二、改进型MOS电流源 133

三、比例电流源 134

四、实际偏置电路举例 134

一、差分放大器的电压增益 135

§5.4　差分放大器 135

二、源极耦合对的转移特性 136

§5.5　CMOS运算放大器 137

一、基本的CMOS运算放大器 137

二、CMOS运算放大器的输出级 138

三、CMOS运算放大器典型电路分析 140

§5.6　CMOS电压比较器和定时电路简介 142

一、CMOS电压比较器 142

二、CMOS定时器 143

复习思考与习题 145

第六章　MOS集成电路设计与布图 147

§6.1　MOS集成电路器件设计 147

一、设计的一般考虑 147

二、E/E MOS集成电路的器件设计 147

三、CMOS集成电路器件设计 151

§6.2　MOS电路工艺设计 153

一、CMOS阈值电压设计 153

二、工艺参数设计 154

§6.3　版图设计概要 155

一、E/E MOS版图设计规则 156

二、CMOS电路版图设计概要 161

§6.4　超大规模集成电路设计的基本原理简介 166

一、概述 166

二、按比例缩小设计原理 166

复习思考与习题 168

第七章　MOS工艺 169

§7.1　MOS常规工艺 169

一、PMOS工艺 169

二、NMOS工艺 170

三、CMOS工艺 172

§7.2　硅栅工艺 174

一、主要优点 174

二、P沟道硅栅工艺 176

三、等平面硅栅N沟MOS工艺 177

§7.3　离子注入技术在MOS工艺中的应用 180

一、离子注入法调整MOS器件的VT 181

二、离子注入实现栅自对准 182

三、离子注入法制造CMOS电路 183

§7.4　双层栅工艺 184

一、MNOS工艺 184

二、MAOS工艺 185

§7.5　E/D MOS工艺及VMOS工艺 186

一、E/DMOS工艺 186

二、VMOS工艺 188

§7.6　MOS与双极兼容工艺 190

一、PMOS与双极兼容工艺 190

二、CMOS与双极兼容工艺 192

§7.7 生产中电路参数的监测方法 192

复习思考与习题 194

附录Ⅰ 国产CMOS电路系列和品种 195

附录Ⅱ 国外CMOS电路主要生产公司和产品型号前缀 198

参考书目 199