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译者的话 1

原序 1

概论 1

目录 1

第一章 高频面结型晶体管 7

1.1 普通面结型晶体管的截止频率 7

1.2 条带形平面晶体管 12

1.3 高频晶体管的等效电路和截止频率 18

1.4.1 电压-频率极限 29

1.4 高频晶体管的功率和频率极限 29

1.4.2 电流-频率极限 31

1.4.3 功率-频率极限 32

1.4.4 增益-频率极限 33

1.5 晶体管作为高频放大器时的散射参量 35

1.6 晶体管放大器的匹配电路 39

1.7 利用定向耦合器的晶体管并联电路 47

1.8 高频放大器的稳定性 48

1.9 前置放大器 52

1.10 功率放大器 54

参考文献 56

第二章 PN结变容二极管 57

2.1 耗尽层电容 59

2.2 电荷储存 64

2.3 阶跃二极管的电荷控制模型 66

2.4 寿命和漂移时间的测量 71

2.5 漂移场与漂移时间的关系 75

2.6 PN结变容二极管的工艺和性能 79

参考文献 83

3.1 参量放大器 84

第三章 变容二极管的应用 84

3.1.1 功率增益 86

3.1.2 参量放大器的噪声 89

3.1.4 用于参量放大器的二极管和电路 95

3.1.3 参量放大器的带宽 99

3.2 倍频器 100

3.2.1 利用耗尽层变容管倍频 102

3.2.2 利用理想阶跃二极管倍频 111

3.2.3 利用实际阶跃二极管倍频 119

3.2.4 倍频器电路 126

3.3 上变频器 133

3.3.1 参量上变频器 134

3.3.2 功率上变频器 139

参考文献 147

第四章 PIN二极管 149

4.1 PIN二极管的反向阻抗 151

4.2 PIN二极管的正向阻抗 154

4.3 接通过程 157

4.4 切断过程 161

4.5 PIN二极管的设计 164

4.6 PIN二极管开关和移相器 165

4.7 开关定理 169

4.8 最大开关功率 170

4.9 开关和调制损耗 176

4.10 开关的频率响应 179

4.11 通带衰减具有低通特性的传输式开关 180

4.12 通带衰减具有带通特性的传输式开关 182

4.13 多路开关 186

4.14 渡越时间开关和色散相位调制器 187

4.15 在PIN开关中控制电压和直流电压的引入 189

4.16 PIN二极管脉冲发生器 190

4.17 PIN二极管倍频器 198

参考文献 203

第五章 肖特基二极管 205

5.1 金属-半导体结的能带结构 206

5.2 肖特基结的电流-电压特性 213

5.2.1 镜象力 219

5.2.2 声子散射和反扩散 220

5.2.3 量子力学反射和隧道过程 221

5.3 肖特基二极管作为高频变阻管 224

5.4 肖特基变阻管作为高频检波器 227

5.5 变阻管作为接收混频器 235

5.6 肖特基二极管作为高频变容管 256

参考文献 258

第六章 MIS变容二极管 260

6.1 能带结构和电容-电压特性 261

6.2 MIS变容二极管的控制极限 271

6.3 界面效应 275

6.4 MIS变容二极管的特性模型和截止频率 284

6.5 利用MIS变容二极管作倍频器 290

6.6 利用MIS变容二极管作参量放大器 297

6.7 利用MIS变容二极管作上变频器 301

参考文献 303

第七章 高频场效应晶体管 305

7.1 耗尽型场效应晶体管 308

7.1.1 内部场效应晶体管的静态特性 309

7.1.2 完整的耗尽型场效应晶体管的高频等效电路 317

7.1.3 频率极限 324

7.1.4 场效应晶体管的设计 325

7.2 增强型MOSFET 328

7.2.1 内部MOSFE的静态特性 329

7.2.2 完整的MOSFET的高频等效电路 338

7.2.3 频率极限和MOSFET的设计 343

7.3 场效应晶体管中的高频噪声 345

7.3.1 耗尽型场效应晶体管中的热噪声 345

7.3.2 增强型MOSFET中的沟道热噪声 349

7.4 高频应用 352

7.4.1 共源电路的导纳参数 352

7.4.2 功率增益和稳定性 353

7.4.3 场效应晶体管放大器的噪声系数 358

7.4.4 非线性失真 361

7.4.5 共栅电路和共源-共栅电路 362

参考文献 364

第八章 雪崩渡越时间二极管 366

8.1 基本理论 366

8.1.1 倍增效应 366

8.1.2 漂移速度 367

8.2 雪崩渡越时间二极管的工作原理 368

8.3 小信号理论 371

8.3.1 稳态解 372

8.3.2 准静态小信号近似 373

8.3.3 普遍的小信号理论 377

8.4 大信号理论 380

8.4.1 电流非线性 381

8.4.2 振荡工作状态下的起振特性和工作点 384

8.4.3 输出功率和效率 389

8.4.4 高效率振荡模式 390

8.5 材料选择、结构形式和应用 395

8.5.1 材料性能 395

8.5.2 雪崩渡越时间二极管的设计 399

8.5.3 结构形式 400

8.5.4 应用 403

参考文献 404

第九章 转移电子（耿氏）器件 406

9.1 基本理论 406

9.2 空间电荷的不稳定性 409

9.3 小信号理论 412

9.3.1 稳态解 412

9.3.2 小信号阻抗（反射放大器） 414

9.3.3 行波放大器 418

9.3.4 横向尺寸的影响 420

9.4 畴动力学 425

9.4.1 累积畴 425

9.4.2 偶极畴 428

9.5 振荡器工作模式 434

9.5.1 偶极畴延迟模 435

9.5.2 偶极畴猝灭模 436

9.5.3 限制空间电荷积累的振荡模式（LSA工作模式） 437

9.5.4 工作模式综述 441

9.6.1 材料选择 442

9.6 材料选择、结构形式和应用 442

9.6.2 结构形式 443

9.6.3 应用 444

参考文献 448

第十章 电声微波放大器（声子放大器） 450

10.1 基本理论 450

10.2 小信号理论 452

10.3.1 材料选择 457

10.3.2 结构形式 457

10.3 材料选择、结构形式和应用 457

10.3.3 应用 459

参考文献 460

附录 461

A.1 最大单向增益 461

A.2 四端网络参量和功率增益 464

A.3 具有变换四端网络的电路的传输参量 468

A.4 稳定圆和绝对稳定性 469

A.5 半导体材料硅、砷化镓和锗在300K的一些特性 471

重要符号表 474