发光二极管PDF电子书下载

目录 1

第一章 绪论 青木昌治 1

1.1 引言 1

1.2 荧光现象的发现和发光二极管的进展 1

1.3 发光二极管应用的推广 5

第二章 发光二极管的材料和发光机理 前田敬二 6

2.1 半导体的性质 7

2.1.1 晶体结构 7

2.1.2 能带 10

2.1.3 光吸收 13

2.1.4 杂质能级 15

2.1.5 复合过程 18

2.1.6 供发光二极管用的晶体 20

2.2 p-n结及其特性 23

2.2.1 p-n结的结构 24

2.2.2 p-n结的伏安特性 26

2.2.3 p-n-p-n负阻器件 31

2.3 直接跃迁晶体的发光跃迁 33

2.3.1 GaAs 33

2.3.2 GaAs1-xPx 41

2.3.3 Ga1-xAlxAs 44

2.4.1 被中性施主俘获的激子 47

2.4 GaP的发光跃迁 47

2.4.2 被等电子陷阱俘获的激子 49

2.4.3 施主-受主对的发光 51

2.4.4 含氧晶体的红色发光 54

2.4.5 红色发光二极管 57

2.4.6 绿色发光二极管 59

2.5 非发光跃迁 61

2.5.1 俄歇过程 62

2.5.2 非发光复合中心 63

2.5.3 多声子过程和共振转移 64

2.6 发光二极管的效率和特性 66

2.6.1 I-V特性和I-L特性 67

2.6.2 发光光谱 70

2.6.3 发光效率和视觉灵敏度 72

2.6.4 外部效率和内部效率 78

2.6.5 响应特性和温度特性 82

2.6.6 发光二极管的退化 84

2.7 新材料 86

2.7.1 SiC 86

2.7.2 In1-xGaxP和In1-xAlxP 87

2.7.3 AlAs 89

2.7.4 GaN 90

2.8 红外-可见转换荧光体 90

2.8.1 荧光体内的光跃迁 91

2.8.2 荧光体的特性 93

2.9 半导体激光器 95

2.9.1 半导体激光器的特性 96

2.9.2 双异质结构激光器 97

第三章 发光二极管的制作工艺 奥 泰二 108

3.1 引言 108

3.2 晶体生长工艺 109

3.2.1 概述 109

3.2.2 单晶生长 110

3.3.1 液相外延生长 116

3.3 外延生长工艺 116

3.3.2 气相外延生长 125

3.4 发光二极管芯片的制作工艺 131

3.4.1 扩散结型发光二极管 131

3.4.2 生长结型发光二极管 134

3.4.3 扩散工艺 136

3.4.4 电极的形成 138

3.5 发光二极管的封装 140

3.5.1 光学系统的设计 140

3.5.2 发光二极管的组装工艺 145

4.1.2 从应用方面看到的发光二极管的特点 148

4.1.1 发光二极管和光电子学 148

4.1 引言 148

第四章 发光二极管的应用 中田 修·中岛尚男 148

4.1.3 发光二极管的能见度 153

4.2 简单指示光源 156

4.2.1 作为简单指示光源的发光二极管的特点 156

4.2.2 逻辑电路方面的应用 157

4.2.3 电话机方面的应用 158

4.2.4 其它应用 162

4.3 显示 163

4.3.1 概述 163

4.3.2 采用发光二极管的数字和文字显示 165

4.3.3 发光二极管显示的扫描驱动 167

4.3.4 发光二极管数字显示器件的实例 169

4.3.5 发光二极管数字显示器件的应用 172

4.3.6 图象显示 176

4.4 信息处理 178

4.5 光通信 180

4.5.1 光通信的发展 180

4.5.2 作为光纤通信光源的半导体激光器和发光二极管 182

4.6 光耦合器和负阻发光器件的应用 184

4.6.1 光耦合器 184

4.6.2 光耦合器的应用 184

4.6.3 负阻发光器件 186

结束语 189