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目录 1

第一章一种新型的半导体器件——场效应管 1

第二章MOS场效应管的工作原理 4

2.1 MOS场效应管的简单介绍 4

2.2半导体基础知识 6

2.2.1金属、半导体、绝缘体 6

2.2.2N型半导体和P型半导体 7

2.2.3半导体中的电流 10

2.2.4 PN结 12

2.2.5半导体的表面场效应 17

2.2.6 MOS场效应管的工作原理 18

2.2.7 MOS场效应管的四种类型 21

第三章MOS场效应管的特性与参数 24

3.1 MOS场效应管的特性 24

3.1.1 MOS场效应管的输出特性 24

3.1.2 MOS场效应管的转移特性 32

3.1.3四种MOS场效应管特性的比较 33

3.2 MOS场效应管的参数 37

3.2.1 MOS场效应管的基本参数 37

3.2.2 MOS场效应管的频率参数 46

3.2.3 MOS场效应管的极限参数 49

3.3 MOS场效应管的温度稳定性 53

第四章MOS场效应管的设计原理 56

4.1 MOS场效应管设计的一般原则 56

4.1.1材料的选取 56

4.1.2栅极二氧化硅层厚度的确定 61

4.1.3沟道宽长比的考虑 62

4.1.4结构图形的设计 66

4.2 3DO1型MOS场效应管的设计示例 71

第五章MOS场效应管的制造 77

5.1.1硅片的制备——切片、磨片和抛光 79

5.1N沟道耗尽型MOS场效应管的制造 79

5.1.2氧化 83

5.1.3磷处理 91

5.1.4光刻 92

5.1.5扩散 101

5.1.6蒸发与合金 116

5.1.7装配——划片、选片、焊接、热压内引线与封帽 119

5.1.8管芯的检查 122

5.1.9老化和总测 129

5.2 N沟道增强型MOS场效应管 131

5.3 P沟道增强型MOS场效应管 134

6.1改善MOS场效应管稳定性的措施 138

第六章提高MOS场效应管性能的途径 138

6.1.1采用“清洁工艺”制作MOS场效应管 139

6.1.2磷处理使MOS场效应管的稳定性得以改善 140

6.1.3 MNS和MNOS场效应器件 142

6.1.4改善绝缘栅场效应器件稳定性的其他措施 146

6.2抗辐射MOS场效应管简介 147

6.2.1辐射的类型及其对半导体的影响 147

6.2.2辐射对MOS场效应器件的影响及抗辐射MOS场 149

效应器件 149

6.3.1提高MOS场效应管频率特性的一般考虑 152

6.3提高MOS场效应器件频率特性的几种新工艺 152

6.3.2硅栅工艺 156

6.3.3离子注入工艺 160

6.3.4扩散自排列工艺 163

第七章MOS场效应管的应用 167

7.1 MOS场效应管在电路应用中的优缺点 168

7.1.1MOS场效应管具有高的直流输入阻抗 168

7.1.2 MOS场效应管具有多种的类型 169

7.1.3 MOS场效应管具有低的噪声特性 169

7.1.4 MOS场效应管具有强的抗辐射能力 170

7.1.5 MOS场效应管的缺点 171

7.2 MOS场效应管的等效电路 173

7.3 MOS场效应管偏置工作点的选择 175

7.4 MOS场效应管的应用 178

7.4.1阻容耦合放大器 178

7.4.2调谐放大器 180

7.4.3 MOS场效应管在其他线性放大方面的应用 182

7.4.4振荡与混频方面的应用 186

第八章MOS场效应集成电路 191

8.1 MOS场效应集成电路概述 191

8.2 MOS倒相器 196

S.2.1 P沟道倒相器 196

8.2.2互补倒相器 204

8.3 MOS 门电路 206

8.4 MOS触发器 210

8.5 MOS动态式逻辑电路 214

8.6 MOS存储器 219

8.6.1 MOS存储单元 219

8.6.2 MOS存储器 221

8.6.3 MOS存储器的特性与参数 223

附录结型场效应管 227

一、结型场效应管的工作原理和特性参数 227

二、结型场效应管的设计 231

三、结型场效应管的制造 234