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目录 1

第十二章 晶体管的高频特性和噪声 1

12-1晶休管的特征频率 2

12-1-1特征频率的意义 2

12-1-2讯号的时间延迟 4

12-1-3特征频率公式 10

12-1-4集电极串联电阻的计算方法 13

12-1-5影响特征频率的因素 17

12-1-6怎样提高特征频率 20

12-1-7集成电路中隔离电容对特征频率的影响 23

12-2晶体管的最高振荡频率 25

12-2-1晶体管的功率增益 26

12-2-2最高振荡频率 27

12-2-3减小基极电阻的方法 28

12-3晶体管的噪声 30

12-3-1噪声和噪声系数 30

12-3-2晶体管噪声的来源 32

第十三章 二极管和晶体管的开关特性 35

13-1二极管和晶体管的开关作用 35

13-1-1二极管的开关作用 36

13-1-2晶体管的开关作用 38

13-1-3晶体管的截止态和饱和态 39

13-1-4开关电路对二极管和晶体管的要求 42

13-2二极管的开关时间 42

13-2-1二极管的反向恢复过程 43

13-2-2电荷贮存效应 45

13-2-3如何减小二极管的反向恢复时间 47

13-3晶体管的开关时间 49

13-3-1晶体管的开关过程 49

13-3-2延迟过程 52

13-3-3上升过程 54

13-3-4电荷贮存效应和贮存时间 56

13-3-5下降过程 58

13-3-6开关时间公式 59

13-3-7提高开关速度的途径 65

13-4开关管的正向压降和饱和压降 69

13-4-1二极管的正向压降 69

13-4-2晶体管的共发射极正向压降 70

134-3晶体管的共发射极饱和压降 72

13-5-1二极管的几种型式 74

13-5逻辑集成电路中的二极管 74

13-5-2金属-半导体二极管 80

第十四章 逻辑集成电路原理 85

141逻辑操作和逻辑门电路 86

14-1-1“与”逻辑操作和“与”门电路 86

14-1-2“或”逻辑操作和“或”门电路 88

14-1-3“非”逻辑操作和“非”门电路 89

14-2二极管-晶体管逻辑集成电路 91

14-2-1典型二极管-晶体管逻辑集成电路 91

14-2-2改进型二极管-晶体管逻辑集成电路 94

14-3晶体管-晶体管逻辑集成电路 100

14-3-1晶体管-晶体管逻辑集成电路工作原理 101

14-3-2改进型晶体管-晶体管逻辑集成电路 105

14-3-3抗饱和晶体管-晶体管逻辑集成电路 107

14-4发射极耦合逻辑集成电路 111

14-4-1发射极耦合逻辑集成电路工作原理 111

14-4-2典型发射极耦合逻辑集成电路 114

14-4-3改进型发射极耦合逻辑集成电路 119

14-55JZ12型晶体管-晶体管逻辑集成电路特性分析 121

14-5-1静态特性分析 122

14-5-2瞬态特性分析 137

14-5-3电路设计分析 150

14-6典型发射极耦合逻辑集成电路特性分析 153

14-6-1静态特性分析 154

14-6-2瞬态特性分析 158

14-6-3电路设计分析 161

14-7其他逻辑集成电路介绍 164

14-7-1可变阈值逻辑集成电路 165

14-7-2低功耗逻辑集成电路 166

14-9触发器介绍 168

14-9-1置位-复位触发器 171

14-9-2主-从触发器 173

第十五章 逻辑集成电路的测试 178

15-1-1逻辑门电路参数的测试原理和方法 179

15-1饱和型逻辑门电路参数的测试 179

15-1-2初测 184

15-1-3测试结果分析 188

15-2触发器参数的测试 195

15-3-1测试方法 200

15-3发射极耦合逻辑门电路参数的测试 200

15-3-2测试结果分析 204

第十六章 线性集成电路原理 207

16-1线性集成电路的特点 207

16-2差分放大电路 210

16-2-1差分放大电路的基本形式 210

16-2-2差分放大电路的改进形式和偏置电路 214

16-2-3最简单的实用差分放大电路 218

16-3直流放大器 219

16-3-1直流放大器的漂移问题 219

16-3-2直流放大器中的缓冲电路 220

16-3-3直流放大器中的电平配置电路 221

16-3-45G922直流运算放大器 224

16-3-5中增益直流放大器 226

16-4宽带放大器 227

16-4-1影响放大器高频特性的因素 228

16-42扩展放大器频带宽度的方法 229

16-4-3多级放大器的频带宽度及提高带宽的办法 234

16-4-45G722负反馈宽带放大器 239

16-4-5BG302负反馈宽带差分放大器 240

第十七章 线性集成电路的测试 243

17-1宽带放大器参数的测试 243

17-1-1静态功耗Pj 244

17-1-2功率增益KP 245

17-1-3频带宽度△f 247

17-1-4频率响应不平坦度ε(％) 249

17-1-5噪声系数Nzs 249

17-1-6宽带放大器参数和工作条件的关系 252

17-2直流运算放大器参数的测试 255

17-2-1静态功耗Pj 257

17-2-2输入失调电压Vrs和输入失调电流Irs 257

17-2-3开环电压增益Kvk和动态范围(Vrmn,Vcmn) 262

17-2-4共模抑制比Ngyb 264

17-2-5输入阻抗Rsr和输出阻抗Rsc 266

17-2-6零点漂移(温度漂移系数NTP，时间漂移系数Ntp) 267

18-1集成电路设计一般考虑 269

18-1-1集成电路设计的特点 269

第十八章 集成电路的设计 269

18-1-2p-n结隔离中材料的选择 270

18-2集成电路中的晶体管 273

18-2-1集成电路中晶体管的设计 273

18-2-2集成电路中晶体管的有源寄生效应 281

18-2-3p-n-p晶体管 286

183集成电路中的电阻器 289

18-3-1扩散电阻的特性 289

18-3-2扩散电阻器的图形设计 294

18-3-3沟道电阻 295

18-4集成电路中的电容器 296

18-4-1扩散电容器 296

18-4-2金属-氧化物半导体电容器 299

185集成电路的内部布线 300

18-6集成电路的设计原则和设计实例 302

18-6-1设计电路版的基本原则 302

18-6-2逻辑集成电路设计实例 304

18-6-3线性集成电路设计实例 309

第十九章 金属-氧化物-半导体逻辑集成电路 313

19-1金属-氧化物-半导体场效应晶体管 313

19-1-1半导体表面的反型层 315

19-1-2金属-氧化物-半导体本场效应晶体管的工作原理 316

19-1-3n沟道增强型金属-氧化物-半导体场效应晶体管的特性 318

19-1-4p沟道增强型金属-氧化物-半导体场效应晶体管的特性 323

19-2金属-氧化物-半导体逻辑集成电路 325

19-2-1金属-氧化物-半导体场效应晶体管在逻辑集成电路中的应用 325

19-2-2金属-氧化物-半导体门电路 331

19-3金属-氧化物-半导体逻辑集成电路的设计及制造工艺 333

19-3-1金属-氧化物-半导体逻辑集成电路的制造工艺 333

19-3-2金属-氧化物-半导体逻辑集成电路的设计 338

第二十章 封装方法及可靠性分析 341

20-1集成电路的封装方法 341

20-1-1TO-5型封装 342

20-1-2扁平封装 343

20-1-3两种封装方法的比较 346

20-2集成电路可靠性的分析 347

20-2-1可靠性的意义 347

20-2-2引起集成电路失效的因素 348

20-2-3解决早期失效的老化试验 351

20-2-4测定可靠性水平的试验 353

附录八 5J型电路直流参数测试仪线路图 355

附录九 5J型电路平均延迟时间测试仪线路图 356

附录十 5J型电路直流参数初测仪线路图 356

14-8各种逻辑门电路比较 1167