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目录 1

第一部分 轻合金非晶态材料及异质材料界面的物性 1

〔一〕高强度非晶态轻合金的魅力 3

一、非晶态铝合金的性质 3

二、非晶态镁合金的性质 9

三、非晶态轻合金材料的制造方法 11

四、铝基非晶态合金的应用前景 12

〔二〕开发新的电子复合材料 14

一、异种材料的叠层结构及其问题 15

二、异质结构外延生长的实际情况 16

三、EBE—外延生长方法 17

〔三〕化合物半导体界面的物性及应用 22

一、界面能级的分布和界面相关性 23

二、统一的DIGS模型 25

三、界面的精巧结构 26

四、界面能级的电子行为 28

五、由界面控制层控制界面物性 28

第二部分 开发新的金属磁性材料 35

〔一〕微细磁铁的风采 35

一、开发微细磁畴的测试方法 36

二、微粒子试样的制备和分析 36

三、微细化的磁畴 40

〔二〕通向超强磁铁的道路 47

一、铁基合金磁铁 49

二、铁氧体磁铁 51

三、稀土类磁铁 52

〔三〕向磁性大规模集成电路（LSI）挑战 56

一、磁性元件显微化 56

二、磁器件微型化的几个应用实例 59

第三部分 混晶电子学 67

〔一〕混晶电子学简介 67

〔二〕混晶半导体生长的原子模型 70

一、准平衡生长法的原子生长机制 70

二、非平衡生长法的原子生长机制 74

〔三〕混晶半导体的微观结构 77

一、实验观察 77

二、问题的提出 79

三、理论分析结果 80

〔四〕混晶半导体的缺陷 85

〔五〕超晶格混晶中的量子波现象 91

第四部分 集离子束技术的基础和应用 99

〔一〕集离子束技术总论 99

第七部分 新的表面分析技术 99

一、ICB法形成原子团的机理 100

二、ICB法蒸镀设备 102

三、ICB法制成的薄膜的应用 103

〔二〕集离子束技术的成膜机理 109

一、ICB法成膜的影响因素 109

二、ICB法的成膜过程及其控制 110

三、ICB法控制结晶生长 113

〔三〕集离子束技术制备金属、化合物薄膜 118

一、用ICB方法制备薄膜 118

二、用反应ICB方法制备薄膜 122

三、用ICB－微波离子源方法制备薄膜 123

〔四〕集离子束技术制备有机物薄膜 126

一、用ICB技术制备有机薄膜 126

二、用ICB技术蒸镀蒽薄膜 128

三、用ICB技术蒸镀铜酞菁（CuPC）薄膜 129

四、用ICB技术制备聚乙烯（PE）薄膜 130

第五部分 有机化学资源 137

〔一〕碳质液晶化学和碳纤维 137

一、碳纤维的特点和用途 137

二、碳纤维的制造原理和存在问题 138

三、沥青基碳纤维的可能和课题 138

四、碳质液晶的结构和性能 139

五、碳质液晶的调制 140

六、碳质液晶的纺丝 143

七、液晶沥青纤维的不融化反应机构及促进 144

八、用延伸碳化法提高取向性 145

九、碳质液晶的利用 146

十、碳纤维的碳被覆 146

〔二〕碳纤维上被覆金属的新型复合材料 148

〔三〕用化学修饰法开发纤维素的功能 155

一、生物医学材料化 155

二、通过控制分子聚集状态进行功能开发 158

〔四〕碳氟化合物系气体材料和臭氧问题 161

一、碳氟化合物的特性 162

二、代替CFC氟里昂的开发 164

〔一〕分子设计概念 169

第六部分 分子设计的基础 169

〔二〕通过合成主体进行分子识别 172

〔三〕从高自旋分子到有机强磁体 180

一、分子设计的必要性和基本方针 180

二、高自旋有机分子的设计和构筑 181

三、在分子间使自旋排齐的研究 186

四、分子铁氧体磁体 187

〔四〕通过电子的授受进行分子设计 189

一、Phenalenyl类的结构和电子特性 189

二、多阶段两性氧化还原体系的分子设计 190

三、高电子供与性及受容性碳氢化合物 193

四、今后的展望 195

〔一〕软X射线用多层膜 199

一、超薄膜成膜过程的现场观测 200

二、光化学气相沉积法用耐热多层膜滤光器 206

〔二〕用拉曼散射法观测表面（界面）——作为表面评价技术的拉曼光谱 211

一、拉曼散射法是什么样的方法 211

二、物质性质与激子的关系 214

三、用拉曼散射法分析表面物质性质 214

四、拉曼散射法的优点与存在问题 217

〔三〕表面原子图像的观察和原子水平的分析 219

一、借助于电子束激发X射线全反射角分光法（电子束TRAXS）对表面原子点阵结构的研究 220

二、应用离子束AES、离子束TRAXS的表面研究 223

三、凭借新的表面原子排列结构观察装置而开发的表面研究 224

〔四〕观察表面原子结构的新分析器 226