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目录 7

一、高频大功率晶体管的技术展望 7

1.1　高频大功率化是怎样发展起来的 7

1.1.1 高频大功率化的基本器件结构 7

1.1.2　制造技术的进展 14

1.1.3　封装和寄生元件 17

1.2　高频大功率晶体管特性将来的趋向 22

二、晶体管的基本工作原理 28

2.1　pn结 28

2.1.1　pn结的能带结构 29

2.1.2　空间电荷区电位和电场的分布 32

2.1.3　pn结的电压电流特性 35

2.1.4　空间电荷层的电容 36

2.1.5　扩散电容 37

2.1.6　电子雪崩击穿 38

2.2　晶体管的工作原理 42

2.2.1　低注入电平直流电流放大系数 44

2.2.2　高注入电平直流电流放大系数 46

2.2.3　电流放大系数的频率特性和截止频率 49

三、高频大功率晶体管的设计 57

3.1　设计理论的基本概念 57

3.1.1　小面积双重扩散型晶体管的基区渡越时间 57

3.1.2　性能指数和等效电路 59

3.2.1　最佳设计问题 66

3.2　大功率化的结构设计 66

3.2.2　改善性能指数的方法 71

3.2.3　单元晶体管的并联连接 72

3.2.4　寄生元件的减小 76

3.2.5　单元晶体管的布置方法 77

3.3　制造技术的若干问题 80

四、高频大功率晶体管的特性及其测量方法 83

4.1　高频大功率晶体管设计项目概要 83

4.1.1　设计高频大功率晶体管放大器的必要条件 83

4.2.1　击穿电压及其测量 85

4.2　晶体管直流特性参数及其测量 85

4.2.2　最大电流额定值及其测量 89

4.2.3　直流电流放大系数hFE与电流的关系及其测量 91

4.2.4　集电极饱和压降VCE（sat）及其测量 93

4.2.5　直流集电极体电阻RSC的测量 94

4.3　高频参量及其测量 95

4.3.1 高频hfe的测量 95

4.3.2　集电极电容Cob的测量 100

4.3.3　高频大功率晶体管的输入输出阻抗的测量 100

4.4　高频大功率晶体管热阻的重要性及其测量 101

4.4.1　热阻的测量 102

4.4.2　使用红外线扫描技术测量热阻 104

4.4.3　计算结温的方法 105

4.4.4　高频大功率晶体管的二次击穿现象 110

4.5　输出特性及其限制的主要因素，丙类放大器设计基础 115

4.5.1 高频大功率乙类放大器基础 115

4.5.2　高频饱和压降RFVCE（sat）的测量 116

4.5.3　丙类放大器基础 118

4.5.4　丙类放大器的图解法 121

4.5.5　高频大功率晶体管输出功率的测量 124

4.5.6 晶体管功率放大器的稳定性问题 128

4.5.7　丁类晶体管放大 128

5.1　高频大功率晶体管 133

五、高频大功率晶体管的应用 133

5.2　电路设计的基本事项 134

5.2.1 散热设计 134

5.2.2　耐压和电源电压的关系 135

5.2.3　对于二次击穿现象的考虑 136

5.2.4 对电流额定值的考虑 137

5.2.5　公共端电感的影响 137

5.2.6　扼流圈 138

5.2.7　旁路电容器 140

5.2.8　去耦 140

5.2.10　其他注意事项 141

5.2.9 电源容量 141

5.3　乙类和丙类放大器 142

5.4　耦合电路 144

5.4.1　滤波作用 144

5.4.2 匹配电路的作用 147

5.4.3　耦合电路的一般表示 152

5.4.4　耦合电路实例 155

5.4.5　耦合电路设计中的注意事项 178

5.5　丙类功率放大电路的设计举例 193

5.5.1 使用2SC320的150MHz、13.5V、1.5W丙类放大电路 193

5.5.2 使用2SC637的150MHz、13.5V、7W丙类放大电路 197

5.5.3 使用2SC638的150MHz、13.5V、12W丙类放大电路 198

5.5.4 使用2SC890的500MHz、13.5V、1W丙类放大电路 201

5.5.5　多级放大电路举例 205

5.6　倍频 206

5.6.1 利用非线性电阻（或电导）倍频 206

5.6.2　利用变容二极管倍频 207

5.6.3　放大倍频 209

5.6.4　倍频电路实例 215

5.7　其他事项 219

5.7.1 负载不匹配时晶体管的保护 219

5.7.2　收发转换电路 220

5.7.3　调幅电路 221