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4.2.19 不同本体杂质浓度（CB）的电场（E）与无量纲电场（F 1

目录 15

符号表 15

第一章 主要性质摘要 31

1.1 硅和锗 31

1.1.1 硅和锗的主要性质 31

1.2 其它半导体 34

1.2.1 半导体材料的性质 34

1.2.2 能带间隙（EG）与温度（T）的关系 38

1.2.3 载流子迁移率乘积（μnup）与能带间隙（EG）的 40

关系（均对硅归一化） 40

1.2.4 热导率（？）与温度（T）的关系 42

第二章 硅的性质 45

2.1.1 硅的能带结构 48

2.1 能级 48

2.1.2 能带间隙（EG）与温度（T）的关系 51

2.1.3 费米能量（EF）与电阻率（ρ）的关系 54

2.1.4 费米能量（Ep）与温度（T）及施主杂质浓度（ND）、受 56

主（NA）杂质浓度的关系 56

2.1.5 费米电势（uF和φF）与本体杂质浓度的关系 59

2.1.6 金能级（？和？）及本征费米能级（Ei）与 62

温度（T）的关系 62

2.1.7 简并度修正因子（ξ）与载流子浓度（n或p）对 64

相应态密度（NC或Nv）之比的关系 64

2.2 电导率 67

2.2.1 电阻率（ρ）与半导体杂质浓度（CB）的关系 67

2.2.2 电阻率（ρ）与杂质浓度（CB）及温度（T）的关系 70

2.2.3 电阻率与温度的关系 72

2.2.4 n型扩散层的平均电阻率（ρ）与表面杂质浓度（CS）及本体 74

杂质浓度（CB）的关系 74

2.2.5 p型扩散层的平均电阻率（ρ）与表面杂质浓度（CS）及本体 76

杂质浓度（CB）的关系 76

2.2.6 均匀掺杂n型层的薄层电阻（ρs）与层杂质浓度（NI） 78

及层厚（W）的关系 78

2.2.7 均匀掺杂p型层的薄层电阻（ρs）与层杂质浓度（Nl）及 80

层厚（W）的关系 80

浓度（Cs）及层厚（x/xj）的关系 82

2.2.8,2.2.9,2.2.10 亚表面层的平均电阻率（？s）与表面杂质 82

质浓度（CS）及层厚（x/xj）的关系 86

2.2.11,2.2.12,2.2.13 亚表面层的平均电阻率（？s）与表面杂 86

2.2.14 平均电阻率（？s）与表面杂质浓度（CS）和本体杂质浓 90

度（CB）的关系 90

2.3 迁移率 92

2.3.1 电子和空穴迁移率（μ）与本体杂质浓度（CB）的关系 92

2.3.2 电子迁移率（μn）与温度（T）的关系 96

2.3.3 空穴迁移率（μp）与温度（T）的关系 98

2.3.4 杂质散射迁移率（μ1）及晶格（热）散射迁移率（μL）与温 100

度（T）及本体杂质浓度（CB）的关系 100

2.3.5 霍耳迁移率（μH）与电阻率（ρ）的关系 104

2.3.6 各种迁移率之间的关系 106

2.3.7 电子扩散系数（Dn）与温度（T）及本体杂质浓度（CB） 108

的关系 108

2.3.8 空穴扩散系数（Dρ）与温度（T）及本体杂质浓度（CB） 110

的关系 110

2.4 其他电学、机械及光学性质 112

2.4.1 硅和二氧化硅的蒸汽压（p汽）与温度（T）的关系 112

2.4.2 热导率（？）及此热（cp）与温度（T）及电阻率（p） 114

的关系 114

2.4.3 硅和二氧化硅的线性热膨胀与温度的关系 116

2.4.4 折射率（n＊）与温度（T）的关系 118

2.4.5 吸收系数（α）与波长（λ）及温度（T）的关系 120

2.4.6 吸收系数（α）与波长（λ）及温度（T）的关系 122

2.4.7 自由载流子吸收系数（αfc）与波长（λ）及电阻率 124

（ρ）的关系 124

2.4.8 自由载流子吸收系数（αfc）与波长（λ）及电阻率（ρ）的关系 126

2.4.9 最小反射波数（1/λmin）及波长（λmin）与杂质浓度 128

（CB）的关系 128

2.4.10 电离率（αi）与电场（E）的关系 130

2.4.11 载流子漂移速度（vd）与电场（E）的关系 132

2.4.12 压阻率与温度（T）及初始电阻率（ρ0）的关系 134

度比）的关系 136

2.5.1 腐蚀速率（re）与HF∶HNO3（氢氟酸对硝酸的浓 136

2.5 腐蚀特性 136

2.5.2 腐蚀速率（re）与HF∶HNO3∶H2O（氢氟酸∶硝酸∶水的 138

浓度比）的关系 138

2.5.3 腐蚀速率（re）及腐蚀速率转动系数与转速的关系 140

第三章 硅中的杂质 142

3.1 扩散系数 144

3.1.1 硅中杂质的扩散系数（快扩散元素） 144

3.1.2 硅中杂质的扩散系数（慢扩散元素） 146

3.1.3 扩散系数（D）与本体杂质浓度（CB）及表面杂质浓度（CS） 148

的关系 148

的关系 150

3.1.4 扩散系数（D）与表面杂质浓度（CS）及本体杂质浓度（CB） 150

3.1.5 扩散系数（D）的修正因子与本体杂质浓度（CB）的关系 152

3.1.6 液态半导体中扩散系数（Ap/Ds）与分布系数（k0）的关系 154

3.2 普通杂质的特性 156

3.2.1 硅中杂质的性质 156

3.2.2 半导体工艺中所用的杂质 159

3.2.3 杂质在硅中的固溶度（在给定温度T下的最大杂质浓度CBmax） 160

3.2.4 硼在硅中的扩散〔结深（xj）为扩散时间（t）和扩散温度（T） 162

的函数〕 162

3.2.5 磷在硅中的扩散〔结深（xj）为扩散时间（t）和扩散温度（T） 164

的函数〕 164

及金扩散温度（T）的关系〕 166

3.3 金的扩散特性 166

3.3.1 金在硅中的溶解度〔金的饱和浓度（CAo）与本体杂质浓度（CB） 166

3.3.2 金在硅中的溶解度〔金的饱和浓度（CAu）与扩散温度（T） 168

的关系〕 168

3.3.3 不同扩散机构的金扩散系数（D）与温度（T）的关系 170

3.3.4 金浓度分布曲线 172

3.3.5 金扩散后的电阻率（ρa）与金的饱和浓度（CAu）及金扩散前的 175

电阻率（ρb）的关系 175

3.3.6 金扩散引起的电阻率的变化 178

3.3.7 金扩散引起的电阻率的变化 180

3.4 载流子浓度和杂质浓度 182

3.4.1 本征载流子浓度（ni）与温度（T）的关系 182

3.4.2 载流子浓度（n或p）与温度（T）的关系 186

3.4.3,3.4.4 多数载流子浓度和少数载流子浓度对温度的依从关系 188

3.4.5 电子浓度（n）与温度（T）及简化费米能级（ηn）的关系 192

3.4.6 空穴浓度（ρ）与温度（T）及简化费米能级（ηp）的关系 194

3.4.7 对于晶体结构不同的半导体之间的p-n接触（异质结），边缘 196

载流子浓度nj或pj与施主浓度ND或受主浓度NA及 196

扩散电压VD的关系 196

3.4.8 有应力时的少数载流子浓度（ns或ps）对无应力时的少数载流 199

子浓度（n0或p0）的比值 199

3.5 其他 202

3.5.1 硅中杂质的能级（Et） 202

3.5.2～3.5.6 硅和选定元素的相图 204

第四章 硅表面及表面结构 211

4.1.1 一般空间电荷曲线 213

4.1 表面态密度 213

4.1.2 反型半导体表面的平衡特性 216

电容器最小电容的栅电压产生的表面态密度 220

4.1.3 由金属-氧化物-半导体晶体管开启电压或金属氧化物-半导体 220

4.2 反型层及耗尽层特性 222

4.2.1 反型区内空穴总数（Qp/q）与栅电压（VG）、表面态密度 222

（Qss）及氧化物厚度（xo）的关系 222

4.2.2 反型区内电子总数（Qn/q）与栅电压（VG）、表面态密度（Qss） 224

及氧化物厚度（xo）的关系 224

总感应电荷数（Qs/q）的关系 226

4.2.3 反型区内的电子数（Qn/q）及耗尽区宽度（xd）与半导体中 226

电荷数（Qs/q）的关系 228

4.2.4 反型层内少数载流子的电荷数（Qn/q）与半导体内总的感应 228

4.2.5 阈电压（VT）与半导体杂质浓度（CB）及栅氧化物厚度（xo） 230

的关系 230

4.2.6 引起衬底表面反型所需的栅电压（VT）（开启电压）与金属-氧化 232

物-半导体结构的反向偏压（VR）及氧化物厚度（x0）的关系 232

4.2.7 阈电压（VT）随温度（T）的变化与本体杂质浓度（CB）及氧化 235

物厚度（xo）的关系 235

4.2.8 体掺杂及有效体电荷数（QD/q）对阈电压的贡献（VT）与氧化物 238

厚度（xo）的关系 238

4.2.9 反型层厚度（xs）及表面势（us）与半导体载流子浓度（n或p） 240

的关系 240

4.2.10 耗尽层宽度（xd）与半导体内感应的总电荷（Qs）及半导体杂质 242

浓度（CB）的关系 242

4.2.11 耗尽层宽度（xd）与半导体中感应的总电荷（Qs）及结外加电压 244

（Vo）的关系 244

4.2.12 耗尽区中有效表面杂质浓度（Cd）与最大耗尽层宽度（xd max）的关系 246

4.2.13 金属-氧化物-半导体结构表面耗尽区的最大宽度（xd max）与扩散 248

结构耗尽区宽度（xd）的此较 248

4.2.14 耗尽区最大宽度（xd max）及耗尽区内电荷数（QD/q）（当半导 250

体表面是强反型时）与半导体杂质浓度（CB）的关系 250

浓度（CB）的关系 252

4.2.15 表面耗尽层最大宽度（xd max）与结的反向偏压（VR）及体杂质 252

4.2.16 空间电荷电容（Csc0及Cscm）、最小表面电容下总空间电荷数 254

（Qsm/q）及表面势（ψsm）与本体杂质浓度（CB）的关系 254

4.2.17 反型区内单位面积的耗尽层电容（Ci/A）及击穿时耗尽区中的最大 256

电场（Ecrit）与体杂质浓度（CB）的关系 256

4.2.18 SiO2中的电场（Eo）及半导体中单位面积总电荷（Qs）与半导体 258

载流子浓度（n或p）的关系 258

的关系 260

4.2.20 空间电荷区中的载流子浓度（nd）及相应的无量纲电势（ud）与 262

无量纲电场（F1）的关系 262

4.2.21 累积和耗尽区中的电势（ud）和载流子浓度（nd）的空间变化 265

4.2.22 反型层中有效载流子迁移率（μelf）与半导体中感应的单位面积 268

总电荷（Qs）的关系 268

4.2.23 由体杂质浓度（CB）及氧化层厚度（xo）引起的，在饱和范围内表面 270

沟道中的载流子迁移率的相对变化 270

4.3 表面结构的电容和电压关系 272

4.3.1,4.3.2,4.3.3 理论的金属-氧化物-半导体电容-电压特性 272

4.3.4 理论的电容-电压特性与温度的关系 278

4.3.5 金属-氧化物-半导体电容最小值时的电压（Vm）与氧化物厚度 280

（xo）及半导体杂质浓度（CB）的关系 280

与温度的关系 282

4.3.6 区分金属-氧化物-半导体结构的低频及高频响应的过渡频率（ft） 282

4.3.7 金属-氧化物-半导体最小电容（Cm）对其最大电容（Co）之此与 284

不同氧化物厚度（xo）的耗尽层平均杂质浓度（Cd）的关系 284

4.3.8 C-V曲线的斜率与半导体杂质浓度（CB）、电容比（C/Co）及氧 286

化物厚度（xo）的关系 286

4.4 表面结构的其它特性 288

4.4.1 单位面积（A）的氧化物电容（Co）与氧化物厚度（xo）的关系 288

4.4.2 金属-半导体接触电势（φMs）与半导体杂质浓度（CB）的关系 290

4.4.3 势垒高度（φB）与金属的真空功函数（φM）的关系 294

4.4.4 金属-半导体界面费米能级的位置 296

4.4.5 光发射的声子感应几率（fP）与金属-半导体界面上电场（E） 298

的关系 298

的关系 300

4.4.6 光电阈能量（φtb）与金属的真空功函数（φM）及电负性（XP） 300

第五章 一般扩散特性 302

5.1 固态扩散 305

5.1.1 杂质分布的各种曲线〔距半导体表面x处的杂质浓度C（x）和表面 305

浓度CS之比与距离x的关系〕 305

5.1.2 扩散分布曲线〔深度x处的杂质浓度C（x）和表面浓度Cs之比与 308

离半导体表面距离x、扩散长度？的关系〕 308

5.1.3 扩散系数与浓度有关的杂质的浓度分布曲线 311

5.1.4 不同分布的杂质浓度分布曲线（x处的杂质浓度和表面浓度之比 314

与x和结深xj之比的关系） 314

与距半导体表面距离x和结深xj之比的关系） 318

5.1.5 p-n结附近的扩散分布（在x处的杂质浓度和本体杂质浓度之比 318

5.1.6 表面杂质浓度（CS）和本体杂质浓度（CB）之比与结深（xj）及 320

扩散长度（？）的关系 320

5.1.7 杂质电荷（Qj）及杂质浓度梯度（a＝dC/dx）与结深（xj）、本体 322

杂质浓度（CB）及扩散长度（L＝？）的关系 322

5.1.8 杂质电荷（Q）、本体杂质浓度（CB）、结深（xj）与扩散长度 324

（L＝？）之间的关系 324

5.1.9 表面浓度（Cs）和本体杂质浓度（CB）之比与结处的杂质梯度（α＝dC/dx）及扩散长度（L＝？）的关系 326

5.1.10 自建场对浓度分布的影响〔C（x）与本征载流子浓度ni之比和距半 328

导体表面距离x的关系〕 328

（CS/xj）的关系 331

5.1.11 p-n结处的实际杂质浓度梯度（α＝dC/dx）与平均杂质浓度梯度 331

5.1.12 杂质浓度梯度的修正因子〔F（T）〕与温度（T）的关系 334

5.1.13 在不同的表面杂质浓度（CS）与本体杂质浓度（CB）比值情况 336

下，结深（xj）与扩散长度（L＝？）的关系 336

5.1.14 在可变杂质浓度区域中的扩散（表面浓度CS对本体浓度CB之比 338

与结深xj及扩散长度L3＝？的关系） 338

5.1.15 在可变杂质浓度区域中的扩散（表面浓度CS对本体浓度CB之比 340

与结深xj及扩散长度L2＝？的关系） 340

5.1.16 杂质电荷（Q12）与有限结深（xj1和xj2）、本体杂质浓度（CB） 342

及扩散长度（？）的关系 342

（CS）及本体杂质浓度（CB）的关系 344

5.1.17 扩散长度（L＝？）及表面电阻（V/I）与表面杂质浓度 344

5.1.18 扩散长度（L＝？）及表面电阻（V/I）与表面杂质浓度 346

（CS）及本体杂质浓度（CB）的关系 346

5.1.19 结深（xj）及表面电阻（V/I）与表面杂质浓度（CS）及本体杂质 348

浓度（CB）的关系 348

5.1.20 结深（xj）及表面电阻（V/I）与表面杂质浓度（CS）及本体杂质 350

浓度（CB）的关系 350

5.1.21 结深（xj）及表面电阻（V/I）与表面杂质浓度（CS）及少数载流 352

子迁移率（μ）的关系 352

5.1.22 外部速率限制对固体扩散的影响 354

5.2 通过掩膜窗口的扩散 357

5.2.1 扩散掩膜边缘的杂质浓度的等分布图和扩散掩膜-半导体界面处横 357

向（yj）与纵向（xj）之扩散深度比 357

掩膜界面上的横向扩散） 360

5.2.2 平面结表面处杂质浓度的等分布图（掩膜棱角附近的半导体-扩散 360

5.2.3 各种掩膜窗宽度（w）所引起的p-n结的分布图 362

5.2.4 掩膜窗（x方向）中心的结深及沿半导体-扩散掩膜界面处（y方向） 364

的结深与掩膜窗宽度（w）及杂质浓度的关系 364

5.2.5 扩散掩膜窗中心垂直于半导体表面的结深（xj）与掩膜窗宽度（w） 366

的关系 366

5.2.6 沿半导体-扩散掩膜界面的结深（yj）与掩膜窗宽度（w）的关系 368

5.2.7 垂直于半导体-扩散掩膜界面（x方向）和沿半导体-扩散掩膜界面 370

（y方向）的杂质分布与距掩膜边缘的距离（x或y）及掩膜窗 370

宽度（w）的关系 370

第六章 外延生长 372

6.1 外延生长时杂质的再分布 373

6.1.1 外延层的生长速率（rg）与沉积温度（T）及气相质量输运系数 373

（hG）的关系 373

6.1.2 各种逸出速率（ht？）下外延生长时的杂质再分布（外延层和 376

衬底中的杂质分布与距界面距离的关系） 376

6.1.3 各种外延层及衬底杂质浓度的外延生长时杂质的再分布 380

6.2 亚外延杂质层 382

6.2.1 外延生长前在衬底表面上沉积的杂质层的扩散（隐埋层） 382

6.2.2 无外延生长时各种逸出速率（ht？）对杂质再分布的影响 384

第七章 p-n结 386

7.1.1 耗尽层宽度（xi）及单位面积结电容（C）与本体杂质浓度（CB） 388

及p-n结端电压（V＝Va＋VD）的关系 388

7.1 耗尽层特性、电容、结的击穿 388

7.1.2 耗尽层宽度（xd）及单位面积结电容（C）与本体杂质浓度（CB）、表面杂质浓度（CS）、结电压（V＝V＋VD）及结深（xj）的关系 390

7.1.3 耗尽层宽度（xd）及结电容（C）与结电压（V）、表面杂质浓度 394

（CS）及扩散长度（L＝？）的关系 394

7.1.4 扩展到p-n结轻掺杂一边（集电极）的耗尽层部分（Xd2）对总耗尽 396

层宽度（xd）之比与电压（V＝Va＋VD）、本体杂质浓度（CB）、 396

表面浓度（CS）及结深（xj）的关系 396

7.1.5 耗尽层伸入p-n结重掺杂边（基极）的部分（xd1）对总耗尽层宽度 398

（xd）之比 398

7.1.6 结耗尽层的成分（伸入结重掺杂一边的耗尽层部分xd1对伸入轻 400

掺杂一边的xd2之比与归一化结深xj？的关系） 400

本体杂质浓度（CB）及线性缓变结结上杂质梯度（dC/dx）的关系 402

7.1.7 单位面积的p-n结电容（C）与突变结结电压（V＝Va＋VD）、 402

7.1.8 p-n结击穿电压（VB）及单位面积电容（C）与结杂质梯度 404

（dC/dx）及本体杂质浓度（CB）的关系 404

7.1.9 归一化的结过渡电容（Ct/Cf）与结电压（V）的关系 406

7.1.10 突变结和线性缓变p-n结的电容范围（在击穿时最小，在零偏 410

压时为最大） 410

7.1.11 p-n结击穿电压（VB）与本体杂质浓度（CB）、表面浓度（Cs） 412

及结深（xj）的关系 412

7.1.12 结的击穿电压（VB）与外延层厚度（x）及外延层杂质浓度 414

（Cf）的关系 414

7.1.13 结的雪崩击穿电压（VB）与轻掺杂边的杂质浓度（CB）及结深（xj） 418

的关系 418

的关系 420

7.1.14 结雪崩击穿电压（VB）与结上的杂质梯度（dC/dx）及结深（xj） 420

的关系 422

7.1.15 结雪崩击穿电压（VB）与结上的杂质梯度（dC/dx）及结深（xj） 422

7.1.16 由于“穿通”引起的外延结构雪崩击穿电压的降低和由于结的弯曲 424

形状引起的雪崩击穿电压的降低 424

7.1.17 载流子倍增因子（M）与结电压（V）和雪崩击穿电压（VB） 428

的关系 428

7.1.18 达到雪崩击穿的最小结深（xjmin）与结上杂质梯度（dC/dx）及 430

本体杂质浓度（CB）的关系 430

7.1.19 结击穿时的耗尽层宽度（？）与p-n结的曲率半径及在轻掺杂 432

一边的杂质浓度（CB）的关系 432

的关系 434

7.1.20 点接触雪崩击穿电压（VB）与半导体电阻率及探针重量（wp） 434

7.2 扩散电压 436

7.2.1 扩散（自建）电压（VD）与突变结本体杂质浓度（CB）及线性缓变 436

结的杂质梯度（dC/dx）的关系 436

7.2.2 归一化的扩散（自建）电压（vD）与结上杂质梯度（dC/dx）的关系 439

7.3 其它的结特性 441

7.3.1 由线性缓变到突变状态的扩散结的交叉电压（Vo）与结上杂质梯度 441

及结上修正的杂质浓度（Nj）的关系 441

7.3.2 少数载流子寿命（τ）与电阻率（ρ）的关系 444

7.3.3 少数载流子寿命（τ）与金浓度（CAu）和少数载流子对多数载流子 448

浓度比的关系 448

7.3.4 少数载流子寿命（τ）与金浓度（CAu）及载流子俘获几率（α和β）的关系 452

7.3.5 德拜长度（LD）与温度（T）及本体杂质浓度（CB）的关系 454

7.3.6 最大电场（Emax）与结电压（V）、本体杂质浓度（CB）及结深 456

（xj）的关系 456

7.3.7 p-n结附近的电场（E）与离结距离（｜x—xj｜）的关系 458

第八章 SiO2的特性 462

8.1 SiO2中的扩散系数 464

8.1.1 SiO2中杂质的扩散系数（D） 464

8.1.2 扩散系数（D）及沸点（Tb）与杂质原子半径（rj）的关系 466

8.2 氧化特性 468

8.2.1 硅的热氧化（一般关系） 468

的关系 472

8.2.2 线性氧化速率常数（A）和抛物线氧化速率常数（B）与温度（T） 472

8.2.3 氧化速率与晶体方向的关系 476

8.2.4 归一化的抛物线氧化速率常数（B）的修正因子与半导体杂质浓度 478

（CB）、氧化层中平均杂质浓度（Co）及半导体表面的杂质浓 478

度（C2）的关系 478

8.2.5 氧化剂的分压力（p）对氧化速率常数的影响 482

8.2.6 硅的热氧化（氧化层厚度xo与氧化时间to及氧化温度T的关系） 484

8.2.7 硅的热氧化（氧化层厚度xo与氧化时间to及水蒸汽压力PH2o 486

的关系） 486

8.2.8 氧化层厚度与水浴温度（TR）及氧化时间（to）的关系 488

8.2.9 氧化层厚度（xo）与氧化时间（to）及水浴温度（TB）的关系 490

8.3.1 半导体氧化时杂质的再分布与抛物线氧化速率常数（B）、半导体中杂质扩散系数（D）及分凝系数（m）的关系 492

8.3 硅氧化时杂质的再分布 492

8.3.2 热氧化时Si-SiO2界面处硼和磷的再分布（抛物线速率常数B和扩 496

散系数D的影响） 496

8.3.3 热氧化时Si-SiO2界面处硼和磷的再分布（氧化温度T的影响） 498

8.3.4 热氧化时半导体内杂质的再分布（垂直于半导体表面的距离的影响） 500

8.3.5 热氧化时半导体内杂质的再分布（分凝系数的影响） 504

8.4 热特性 506

8.4.1 电阻率（ρ）及介电常数（ε）与温度（T）的关系 506

8.4.2 粘度（η）与温度（T）的关系 510

8.5 腐蚀特性和掩蔽特性 512

8.5.1 腐蚀速率（re）与温度（T）及HF浓度的关系 512

层厚度（xo）的关系 514

8.5.2 腐蚀剂的钻蚀量（yu）及氧化层腐蚀时间（t）与温度（T）及氧化 514

8.5.3 最小可分辨条宽（wlmin）和达到wlmin所需的最佳旋转速度（wt） 516

与光致抗蚀剂涂敷厚度（xph）的关系 516

8.5.4 SiO2内杂质浓度分布图 518

8.5.5 掩蔽磷和硼所需的最小SiO2厚度（xm）与扩散温度（T）及扩散 520

时间（t）的关系 520

8.5.6 掩蔽磷和硼所需的最小SiO2厚度（xm）与扩散时间（t）及扩散 522

温度（T）的关系 522

8.6 SiO2的其它性质 524

8.6.1 SiO2的性质 524

8.6.2 透射及反射与波长（λ）的关系 526

8.6.3 压缩率（？p）与温度（T）及压力（ρ）的关系 528

8.6.4 氧化层厚度（xo）与干涉颜色的关系 530

附录 532

A.1 重要的物理常数和数值 533

A.1.1 重要物理常数 533

A.2 四探针测量 534

A.2.1 四探针电阻率测量（V/I特性与薄层电阻率之间的关系 534

A.2.2 四探针电阻率测量（V/I与样品直径的关系） 537

A.2.3 直列的四探针（探针点中心偏离样品中心时的修正系数ηo） 539

A.2.4 直列四探针（探针点附近电阻率不均匀时的修正系数ηnu） 542

A.3 常用溶液的成分 544

A.3.1 硅工艺中所用的一些腐蚀液和其它溶液的成分 544

A.4.1 单位的转换 548

A.4 单位和座标的转换 548

A.4.2 阿雷尼厄斯曲线的温度倒数与温度的关系 549

A.4.3 热电压与温度的关系 550

A.4.4 小时平方根与分钟的关系 551

A.4.5 干涉条纹转换到微米 552

A.5 其它 555

A.5.1 各种物质蒸汽压与温度、熔点的关系 555

A.5.2 金属的性质 556

A.5.3 玻璃衬底材料的性质 558

A.5.4 绝缘体的性质 559

A.5.5 元素周期表 560