当前位置:首页 > 数理化
半导体  第2版
半导体  第2版

半导体 第2版PDF电子书下载

数理化

  • 电子书积分:17 积分如何计算积分?
  • 作 者:(美)史密斯(Smith,R.A.)著;高鼎三等译
  • 出 版 社:北京:科学出版社
  • 出版年份:1966
  • ISBN:703000048X
  • 页数:574 页
图书介绍:
《半导体 第2版》目录
标签:半导体

目录 1

序 1

第一版序(节录) 1

第一章 半导体的基本性质 1

1.1 关于半导体的早期工作 1

1.2 半导体的应用 7

1.3 半导体的基本理论 11

1.4 载流子密度的控制 24

第二章 晶体中的能级 27

2.1 自由电子的波动力学 27

2.2 在周期性势场中的运动 28

2.3 能带的形状 33

2.4 正空穴 42

2.5 在外力场作用下晶体中电子和空穴的运动 43

2.6 能级图 48

2.7 晶体中电子和空穴运动的阻力 50

3.1 不完整性的类型 52

第三章 晶体中的杂质和不完整性 52

3.2 半导体的化学键合 59

3.3 确定半导体的另一种途径 67

3.4 半导体中的替代式杂质 68

3.5 激子 81

第四章 热平衡中的载流子浓度 87

4.1 电子在各能级中的分布 87

4.2 本征半导体 90

4.3 有杂质能级的半导体 97

第五章 电子输运现象 110

5.1 与晶体不完整性的碰撞——弛豫时间τ 110

5.2 恒定的弛豫时间τ 115

5.3 弛豫时间是E的函数 131

5.4 极低温度下的电导 161

第六章 半导体中的热效应 165

6.1 热导率 165

6.2 温差电动势率 172

6.3 热磁效应 179

6.4 简并化的情形 191

6.5 强磁场 192

6.6 磁效应的相对大小 193

第七章 电子和正空穴的扩散 196

7.1 非均匀半导体 196

7.2 爱因斯坦关系 197

7.3 对热平衡的偏离 200

7.4 电子-空穴复合 203

7.5 非本征材料(n?p或p?n)中的扩散和漂移 205

7.6 少数载流子脉冲在电场中的漂移 216

7.7 近本征材料 218

7.8 各种接触现象的比较 229

7.9 pn结 230

7.10 n+n结和p+p结 246

7.11 表面效应 249

7.12 金属-半导体接触 254

7.13 电子和空穴的漂移迁移率 260

7.14 异质结 262

8.2 散射机制 267

第八章 电子和空穴的散射 267

8.1 状态的改变 267

8.3 晶格振动散射 268

8.4 声子 274

8.5 晶格散射的弛豫时间 278

8.6 极性半导体中光学模式的散射 283

8.7 谷间散射 285

8.8 电子间的散射 286

8.9 电离杂质散射 287

8.10 中性杂质散射 292

8.11 位错散射 296

8.12 散射对迁移率的影响 298

第九章 电子和空穴的复合 299

9.1 复合机制 299

9.2 辐射复合 300

9.3 俄歇复合 305

9.4 通过陷阱的复合 308

9.5 通过激子的复合 316

9.6 在位错上的复合 318

9.7 在低温下同施主或受主的复合 319

9.8 表面复合 320

9.9 在丝状样品和薄片样品中的平均寿命 324

第十章 半导体中的光学效应和高频效应 329

10.1 半导体的光学常数 329

10.2 自由载流子吸收 332

10.3 等离子体共振 341

10.4 磁场中的高频效应 342

10.5 基本吸收 349

10.6 激子吸收 370

10.7 杂质吸收 378

10.8 晶格吸收 382

10.9 光电导 387

10.10 横向光电压 402

10.11 光磁效应 403

10.12 光子拖曳 407

10.13 电吸收和电反射 408

10.14 来自半导体的辐射的发射 414

第十一章 能带结构和有效质量近似 421

11.1 有效质量概念 421

11.2 布洛赫函数和瓦尼尔函数 422

11.3 能带结构的计算方法 423

11.4 能带结构的计算 428

11.5 有效质量近似 429

11.6 磁量子化 433

12.1 分布函数的修正 435

第十二章 输运和光学性质的强电场与磁场效应 435

12.2 电子和晶格之间的能量交换 436

12.3 热电子 442

12.4 转移电子效应 447

12.5 强磁场中电子运动的量子理论 453

12.6 电子自旋引起的能级劈裂 460

12.7 磁场对带间跃迁的影响 461

12.8 强磁场中的输运现象 466

12.9 载流子冻结 472

第十三章 半导体材料 474

13.1 用于固态器件和基础研究的材料 474

13.2 半导体材料的制备和测量 475

13.3 硅和锗 477

13.4 其它元素半导体 483

13.5 Ⅲ-Ⅴ族化合物 485

13.6 Ⅱ-Ⅵ族化合物 490

13.7 三元和四元化合物 495

13.8 窄能隙半导体 498

13.9 氧化物半导体 502

13.10 耐高温半导体 506

13.11 超导电性半导体 507

13.12 磁性半导体 508

13.13 有机半导体 509

13.14 低迁移率半导体 510

13.15 其它半导体 511

14.1 激子分子 513

第十四章 一些专题 513

14.2 激子凝聚成电子-空穴滴 515

14.3 极化子和极化激元 518

14.4 重掺杂半导体 524

14.5 高压效应 533

14.6 半导体中的激光作用 537

14.7 自旋反转散射和自旋反转激光器 545

14.8 晶格振动的拉曼散射 550

15.1 新的理论概念 551

第十五章 非晶态半导体 551

15.2 电子态 553

15.3 点阵振动 557

15.4 非晶态Si和Ge 558

15.5 其它的非晶态元素半导体 562

15.6 其它简单的非晶态化合物半导体 563

15.7 玻璃态半导体 563

15.8 结束语 569

参考书目 571

返回顶部