电机工程手册 第11篇 半导体材料PDF电子书下载

目录 1

常用符号表 1

第1章 概述 1

1 半导体材料的种类及其应用范围 1

2 半导体材料的导电特性 1

3 半导体材料的晶体结构 4

第2章 硅、锗单晶 5

1 硅、锗单晶的基本参数和要求 5

1.1 导电类型 5

1.2 电阻率和电阻率不均匀度 5

1.3 非平衡少数载流子寿命 6

2 硅、锗单晶中的杂质及其对单晶和器件性能的影响 7

1.7 迁移率 7

1.6 杂质补偿度 7

1.5 位错密度 7

1.4 晶向和晶向偏离度 7

2.1 硅、锗单晶中主要杂质的物理、化学性质及其影响 8

2.2 硅、锗单晶中杂质的能级 9

2.3 硅、锗单晶电阻率和杂质浓度的关系 10

2.4 硅、锗单晶中杂质的扩散系数与温度的关系 11

2.5 硅、锗单晶中杂质的固溶度与温度的关系 13

3 硅、锗单晶中的晶体缺陷及其影响 13

4 硅、锗器件工艺中常用的相图 14

5 单晶片的加工 15

第3章 化合物半导体和固溶体半导体 15

1 砷化镓 18

1.2 砷化镓单晶中的杂质 19

1.1 砷化镓的特性及其应用 19

1.3 镓-砷系统的基本相图和砷化镓单晶种类 20

2 其他Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体 21

2.1 磷化镓和磷化铟 21

2.2 锑化铟和砷化铟 22

3 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体 22

3.1 硫化锌等锌的硫族化合物 22

3.2 硫化镉等镉的硫族化合物 23

4 Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体及碳化硅 23

4.1 硫化铅等铅的硫族化合物 23

4.2 碳化硅 23

5 几种固溶体半导体 23

5.1 镓砷磷和镓铝砷 23

1 导电类型的测定 24

2 电阻率的测量 24

5.2 碲镉汞和碲锡铅 24

第4章 单晶参数的测量和单晶中微量杂质分析 24

5.3 碲锑铋和碲硒铋 24

3 非平衡少数载流子寿命的测量 28

4 杂质补偿度等物理量的测量 29

4.1 霍尔系数及有关物理量的测量 29

4.2 杂质补偿度的测量 29

5 晶体缺陷的观测 31

6 晶向的测定 31

7 单晶中微量杂质分析 31

参考文献 32