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第一章　结型场效应晶体管 12

第一节　概述 12

第二节　JFET的工作原理 16

第三节　JFET器件的物理分析 22

第四节　截止频率 41

参考文献 45

第二章　静电感应晶体管 46

第一节　SIT的基本结构及特点 46

第二节　SIT的基本工作原理 53

第三节　SIT的特性 59

第四节　双极型静电感应晶体管 75

参考文献 79

第三章　静电感应晶闸管 83

第一节　器件的基本结构及特性 83

第二节　SITH的工作原理 94

第三节　静态特性 99

第四节　动态特性 117

第五节　高温特性 131

第六节　常关型SITH 135

参考文献 137

第四章　功率MOS场效应晶体管 141

第一节　功率MOSFET的基本结构 141

第二节　MOS结构的性质 149

第三节　功率MOSFET的工作原理与特性 164

第四节　频率特性 184

第五节　功率MOS的开关特性 191

第六节　功率MOSFET的极限参数 200

参考文献 219

第五章 绝缘栅晶体管 223

第一节　基本结构与特性 223

第二节　工作原理与器件物理分析 230

第三节　频率特性 254

第四节　高温特性 259

第五节　设计考虑及制造技术 262

参考文献 270

第六章　MOS控制晶闸管 273

第一节　概述 273

第二节　MOS控制晶闸管的工作原理 283

参考文献 294

第七章　功率肖特基势垒二极管 296

第一节 肖特基势垒二极管的基本结构和整流机制 296

第二节　功率肖特基二极管的电流-电压特性 302

第三节　Power SBD的制备工艺 313

第四节　砷化镓功率肖特基二极管 320

第五节　特种功率肖特基势垒二极管 323

参考文献 329