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第Ⅰ部分 处于热平衡的半导体 2

1 固体电子理论的基本概念 2

1．1 金属电导的经典理论 2

1．2 量子统计学和自由电子理论 4

1．3 固体的能带理论 13

1．4 载流子的有效质量 30

1．5 几种具有代表性的半导体的能带形状 44

1．6 各种形态的杂质中心(缺陷) 58

2．费密能极—电子密度的平衡 62

2．1 费密-狄喇克积分 65

2．2 自由电子密度和费密能级的相互关系 68

2．3 本征半导体 78

2．4 本征情况下和非本征情况下的乘积N0F0和φ 88

2．5 载流子密度的空间涨落 94

3．杂质能级起主要作用的半导体 98

3．1 杂质能级的分布函数 98

3．2 由单种单价施主控制的半导体 100

3．3 具有几种束缚能级的半导体 128

3．4 晶格缺陷的影响 135

3．6 杂带和杂质金属的行为 139

第Ⅱ部分 含有过剩载流子的半导体 150

4．影响载流子跃迁率的因素 150

4．1 跃迁概率的倒易性 150

4．2 连续性方程 159

4．3 能带间和能带到缺陷的跃迁 163

5．辐射和无辐射复合 166

5．1 两个过程的物理学 166

5．2 辐射寿命的行为 173

6．带间的俄歇复合 182

6．1 电子-电子和空穴-空穴碰撞 183

6．2 mc＜mv时的俄歇寿命 188

7．缺陷对自由载流子的俘获 202

7．1 缺陷的俘获机理 202

7．2 非本征寿命的行为 208

7．3 同两个能带的相互作用 211

8．通过一组单价缺陷的复合 214

8．1 两个连续性方程 214

8．2 陷阱的判据 221

8．3 小缺陷密度时的寿命(S-R模型) 225

8．4 任意缺陷密度的稳定态条件 236

8．5 任意缺陷密度时的瞬态衰退 241

9．1 多价缺陷 260

9．缺陷复合的更复杂的例子 260

9．2 多于一种类型的缺陷 263

9．3 Haynes-Hornbeck陷阱模型 264

9．4 在位错上的复合和陷落 271

10．过剩载流子的空间分布 273

10．1 同空间有关的问题的处理方法 273

10．2 包含有结和接触的情形 275

10．3 均匀样品中的过剩载流子的空间效应 276

10．4 丝状样品中的寿命 284

附录 295

A．费密-狄喇克分布律 295

B．费密-狄喇克积分表 297

C．费密-狄喇克积分的一些性质和应用 304

参考文献 315

索引 324