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目录 1

出版说明 1

前言 1

绪论 1

第1章 pn结 3

§1.1 pn结的形成和杂质分布 3

§1.2 平衡pn结的空间电荷区和能带图 5

§1.3 非平衡pn结 9

§1.4 pn结的直流特性 13

§1.5 pn结空间电荷区的电杨和电位分布 24

§1.6 pn结的势垒电容 29

§1.7 pn结小信号交流特性 34

§1.8 pn结的开关特性 38

§1.9 pn结的击穿特性 40

第1章习题 50

参考资料 51

第2章 晶体管的直流特性 52

§2.1 晶体管的基本结构及杂质分布 52

§2.2 晶体管的放大机理 54

§2.3 晶体管直流电流-电压方程 60

§2.4 晶体管的电流放大系数 68

§2.5 晶体管的反向电流 77

§2.6 晶体管的击穿电压 79

§2.7 晶体管的基极电阻 83

第2章习题 87

参考资料 88

第3章 晶体管的频率特性 89

§3.1 概述 89

§3.2 晶体管交流特性的理论分析 90

§3.3 晶体管的高频参数及其等效电路 95

§3.4 共基极电流放大系数及其截止频率 103

§3.5 共发射极短路电流放大系数及其截止频率 112

§3.6 晶体管的高频功率增益和最高振荡频率 117

§3.7 高频晶体管的散射参数——S参数 121

第3章习题 122

参考资料 123

第4章 晶体管的功率特性 124

§4.1 大注入效应 124

§4.2 基区扩展效应 132

§4.3 发射极电流集边效应 138

§4.4 晶体管的最大耗散功率 141

§4.5 二次击穿和安全工作区 144

第4章习题 149

参考资料 150

第5章 晶体管的开关特性 151

§5.1 开关晶体管的静态特性 151

§5.2 Ebers-Moll模型及其等效电路 153

§5.3 电荷控制模型及其等效电路 159

§5.4 开关晶体管的过渡过程及开关参数 163

§5.5 晶体管的开关时间 164

第5章习题 174

参考资料 175

第6章 晶体管的噪声特性 176

§6.1 概述 176

§6.2 晶体管的噪声源 177

§6.3 晶体管的噪声等效电路 181

§6.4 晶体管的噪声系数 182

第6章习题 187

参考资料 188

§7.1 概述 189

第7章 晶体管设计 189

§7.2 晶体管的纵向结构设计 191

§7.3 晶体管的横向结构设计 196

§7.4 晶体管的热学设计 206

§7.5 晶体管设计举例 208

参考资料 216

第8章 结型栅场效应晶体管 217

§8.1 基本工作原理 217

§8.2 JFET的伏安特性 220

§8.3 JFET的直流和交流参数 223

§8.4 高场迁移率对器件特性的影响 226

§8.5 JFET的频率特性 231

§8.6 器件的噪声特性 235

§8.7 JFET和MESFET的结构举例 238

第8章习题 242

参考资料 243

第9章 MOS场效应晶体管 244

§9.1 MOSFET的结构和类型 244

§9.2 MOSFET的阈值电压 248

§9.3 MOSFET的伏安特性 254

§9.4 MOSFET的交流小信号参数 263

§9.5 MOSFET的交流小信号等效电路和频率特性 272

§9.6 MOSFET的噪声特性 278

§9.7 MOSFET的击穿特性 281

§9.8 MOSFET的功率特性和功率MOS器件结构 288

§9.9 MOSFET的温度特性 294

§9.10 短沟道效应 297

§9.11 场效应晶体管的设计 306

第9章习题 311

参考资料 312

附录 314

Ⅰ 常用物理常数表 314

Ⅱ 锗、硅、砷化镓、二氧化硅的重要性质 314

Ⅲ 硅与几种金属的欧姆接触系数 315

Ⅳ 余误差函数 315

Ⅴ 锗硅电阻率与杂质浓度的关系 317

Ⅵ 迁移率与杂质浓度的关系 317

Ⅶ 硅扩散层表面杂质浓度与扩散层平均电导率的关系曲线 318