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晶体管原理与设计
晶体管原理与设计

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工业技术

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  • 作 者:陈星弼,唐茂成编
  • 出 版 社:成都:成都电讯工程学院出版社
  • 出版年份:1987
  • ISBN:
  • 页数:344 页
图书介绍:
《晶体管原理与设计》目录

目录 1

第一章 p-n结 1

§1-1 p-n结的平衡状态 1

§1-2 p-n结在正向电压下的特性 7

§1-3 p-n结在反向电压下的特性 13

§1-4 准费米能级 17

§1-5 p-n结势垒电容 21

§1-6 p-n结小讯号交流特性;扩散电容 27

§1-7 p-n结的开关特性 29

§1-8 p-n结的击穿 34

第二章 晶体管的直流特性 50

§2-1 均匀基区晶体管的放大系数 50

§2-2 缓变基区晶体管的放大系数 57

§2-3 晶体管的电流-电压方程 64

§2-4 晶体管的反向特性 69

§2-5 基极电阻 77

§2-6 直流小信号参数与等效电路 83

第三章 晶体管的频率特性 93

§3-1 基区输运系数和频率的关系 93

§3-2 电流放大系数与频率的关系 101

§3-3 交流小信号电流-电压方程 113

§3-4 功率增益和最高振荡频率 121

附录 从连续性方程推导本征晶体管的电流与电压的关系 125

第四章 晶体管的功率特性 133

§4-1 大注入效应 133

§4-2 大电流下的基区扩展效应 138

§4-3 发射极电流集边效应 143

§4-4 晶体管的热学性质 147

§4-5 二次击穿和安全工作区 154

§5-1 晶体管的开关作用和静态大信号特性 163

第五章 晶体管的开关特性 163

§5-2 晶体管的开关过程 172

§5-3 电荷控制模型及葛谋-潘模型 178

第六章 晶体管的噪声特性 188

§6-1 晶体管的噪声 188

§6-2 晶体管的噪声源 190

§6-3 晶体管的高频噪声等效电路 194

§6-4 高频噪声系数的近似表达式 197

§6-5 晶体管高频噪声的基本特性 201

第七章 晶体管的设计 205

§7-1 概述 205

§7-2 高频和微波功率晶体管的设计 206

§7-3 微波功率晶体管设计实例 229

§7-4 高频和微波低噪声晶体管的设计 236

§8-1 基本工作原理 250

第八章 结型栅与肖特基势垒栅场效应晶体管 250

§8-2 JFET的电流-电压方程 253

§8-3 JFET的直流和小信号交流参数 259

§8-4 JFET的小信号高频等效电路及其频率特性 262

§8-5 短沟道JFET中强电场中迁移率调制效立 268

§8-6 JFET的高频噪声 273

§8-7 结型场效应晶体管的结构 276

§9-1 MOSFET的工作原理和特性 283

第九章 绝缘栅场效应晶体管 283

§9-2 MOSFET的阈电压VT 286

§9-3 MOSFET输出特性的数学分析 292

§9-4 MOSFET的亚阈区导电 297

§9-5 MOSFET的直流参数及其与温度的关系 299

S 9-6 MOSFET的小信号参数、高频等效电路及其频率特性 304

§9-7 MOSFET的噪声 316

§9-8 短沟道效应 322

§9-9 MOSFET的结构 339

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