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中文版序 1

中译本序 1

执笔者简介 1

引言 1

1 双极晶体管 9

1.1 引言 9

1.2 双极晶体管的工作原理 11

1.3 硅双极晶体管 26

1.4 异质结双极晶体管 31

1.5 双极晶体管模型 51

1.6 总结与展望 56

习题 59

参考文献 60

2 化合物半导体场效应晶体管 63

2.1 引言 63

2.2 肖特基势垒和欧姆接触 65

2.3 GaAs MESFET 69

2.4 异质结场效应晶体管(HFET) 82

2.5 栅极漏电流 89

2.6 新型化合物半导体FET 90

2.7 总结与展望 98

习题 100

参考文献 103

3.1 引言 106

3 MOSFET及其相关器件 106

3.2 MOSFET的按比例缩小 107

3.3 CMOS/BiCMOS 110

3.4 可靠性 119

3.5 SOI和三维结构 122

3.6 存储结构 125

3.7 低压/低功耗器件 131

3.8 总结与展望 133

习题 136

参考文献 137

4.1 引言 140

4 功率器件 140

4.2 功率整流管 141

4.3 功率MOSFET 155

4.4 绝缘栅双极晶体管 167

4.5 MOS栅控晶闸管 179

4.6 碳化硅功率器件 184

4.7 总结与展望 185

习题 186

参考文献 186

5 量子效应和热电子器件 192

5.1 引言 192

5.2 共振隧穿(RT)结构 194

5.3 热电子结构 220

5.4 器件应用 233

5.5 总结与展望 245

附录5.A 态密度和费米积分 247

附录5.B 在具有散射的超晶格中的漂移速度 248

附录5.C 接触和超晶格 249

附录5.D 相干晶体管基区输运 250

习题 251

参考文献 254

6 有源微波二极管 262

6.1 引言 262

6.2 渡越时间二极管 269

6.3 共振隧穿二极管 282

6.4 转移电子器件 288

6.5 总结与展望 303

习题 305

参考文献 306

7 高速光子器件 311

7.1 引言 311

7.2 激光器的设计及其基本工作原理 313

7.3 量子阱和应变层量子阱激光器 325

7.4 高级激光器结构和光子集成电路(PIC) 330

7.5 光接收器和光电集成电路 341

附录7.A 线宽公式的推导 350

7.6 总结与展望 350

附录7.B 应变层单量子阱激光器的透光载流子面密度和微分增益的近似表达式 353

习题 354

参考文献 356

8 太阳电池 362

8.1 引言 362

8.2 太阳光辐射和理想的能量转换效率 364

8.3 硅太阳电池：单晶、多晶和非晶 370

8.4 化合物半导体电池 384

8.5 组件 392

8.6 总结与展望 398

习题 399

参考文献 402

附录A 符号表 407

附录B 国际单位制(SI单位) 409

附录C 单位词头 409

附录D 希腊字母 410

附录E 物理常数 410

附录F 300K的晶格常数 411

附录G 重要的元素和二元半导体性质 412

附录H Si和GaAs在300K的性质 413

附录I Ⅲ-V族三元化合物半导体的性质 414

附录J SiO2和Si3N4在300K的性质 416

索引 417