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半导体的电子结构与性能
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数理化

  • 电子书积分:16 积分如何计算积分?
  • 作 者:(英)W.施罗特尔(Wolfgang Schroter)主编;甘骏人,夏冠群等译
  • 出 版 社:北京:科学出版社
  • 出版年份:2001
  • ISBN:7030075250
  • 页数:530 页
图书介绍:本卷主要介绍半导体的电子结构与性能。本卷共11章。第1章至第4章主要阐述半导体中的能带理论、光学性质和电荷输送,本征点缺陷及深中心;第5章至第8章叙述平衡、非平衡,扩散"和淀积,位错,半导体中的晶界及界面;第9章至第11章介绍量子线中的霍尔效应,氢化无定形硅的材料特性,硅中3d过渡元素的高温特性。本卷可供材料科学、物理、金属学、电子、机械、航空、航天等研究、教学及生产的科学技术工作者阅读、参考。
《半导体的电子结构与性能》目录

1 半导体中的能带理论 1

2 光学性质和电输运 56

3 半导体中的本征点缺陷 92

4 半导体中的深中心 125

5 平衡、非平衡、扩散和沉淀 171

6 位错 217

7 半导体中的晶界 274

8 界面 325

9 量子线中的霍尔效应 384

10 氢化无定形硅的材料特性 419

11 硅中3d过渡元素的高温特性 458

索引 501

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