IGBT场效应半导体功率器件导论PDF电子书下载
- 电子书积分:10 积分如何计算积分?
- 作 者:袁寿财著
- 出 版 社:北京:科学出版社
- 出版年份:2008
- ISBN:7030200411
- 页数:209 页
第1章 绪论 1
1.1 半导体功率器件与电力电子技术 1
1.2 半导体功率器件及其主要应用领域 3
1.3 电力电子与民族工业的振兴 5
1.4 本书的主要内容和章节安排 6
第2章 半导体功率器件技术回顾 8
2.1 引言 8
2.2 双极结型晶体管(BJT)技术 8
2.3 场效应晶体管(FET)技术 12
2.4 MOSFET的发展历程 16
2.5 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 20
2.6 其他半导体功率器件 23
2.7 半导体新材料和新器件 27
2.8 IGBT等半导体功率器件的应用 29
2.9 小结 33
参考文献 33
第3章 IGBT的工作机理分析 39
3.1 引言 39
3.2 IGBT的基本结构及输出I-V特性 39
3.3 IGBT工作机理的数值分析 43
3.4 IGBT重要电性能参数的分析和优化设计 47
3.5 小结 66
参考文献 67
第4章 IGBT准数值分析模型 69
4.1 引言 69
4.2 IGBT n区压降计算的准数值模型 70
4.3 IGBT n区压降计算的PIN二极管模型 74
4.4 IGBT样品测量与模型计算的比较 78
4.5 小结 80
参考文献 80
第5章 IGBT的等效电路模型 82
5.1 引言 82
5.2 IGBT等效电路的建立 82
5.3 IGBT n-区电阻的VCR模型 86
5.4 IGBT等效电路模型参数的非破坏测试和提取 87
5.5 模拟与测量的比较与讨论 94
5.6 小结 96
参考文献 97
第6章 IGBT的开关特性和温度效应 99
6.1 引言 99
6.2 IGBT关断特性的分析 101
6.3 IGBT温度效应的分析 106
6.4 小结 113
参考文献 114
第7章 平面工艺IGBT设计与制作 116
7.1 引言 116
7.2 半导体功率器件的衬底材料 116
7.3 平面工艺IGBT设计与制作 124
7.4 全自对准浅结平面工艺IGBT设计 128
7.5 制作芯片的测试与结果分析 139
7.6 小结 146
参考文献 146
第8章 Trench Gate(槽栅)IGBT结构和工艺 148
8.1 Trench工艺的提出 148
8.2 Trench工艺的发展 148
8.3 Trench的几种结构 152
8.4 Trench结构的优势与不足 157
8.5 难熔金属硅化物工艺 161
8.6 全自对准Trench Gate IGBT结构与工艺设计 164
8.7 电力电子新器件与新工艺 168
8.8 小结 172
参考文献 172
第9章 pn结击穿与终端保护技术 175
9.1 碰撞电离与雪崩击穿 176
9.2 击穿电压与IGBT纵向参数的关系 179
9.3 临界电场 183
9.4 结果分析与优化 184
9.5 带缓冲层的穿通型器件结构 188
9.6 击穿电压与掺杂浓度及厚度关系对IGBT的修正 190
9.7 pn结平面终端技术 191
参考文献 206
主要符号表 208
- 《红色旅游的社会效应研究》吴春焕著 2019
- 《物联网导论》张翼英主编 2020
- 《材料导论》张会主编 2019
- 《化工传递过程导论 第2版》阎建民,刘辉 2020
- 《中国区域技术创新碳减排效应及优化政策研究》孙建 2019
- 《变化环境下的生态水文效应模拟》李琼芳著 2019
- 《大数据导论》林子雨编著 2020
- 《跨文化交际学基础导论》林大津,尤泽顺导读 2007
- 《现代环境主义导论》(英)戴维·佩珀(David Pepper)著 2020
- 《现代食品系统工程学导论》于秋生主编 2019
- 《指向核心素养 北京十一学校名师教学设计 英语 七年级 上 配人教版》周志英总主编 2019
- 《《走近科学》精选丛书 中国UFO悬案调查》郭之文 2019
- 《北京生态环境保护》《北京环境保护丛书》编委会编著 2018
- 《中医骨伤科学》赵文海,张俐,温建民著 2017
- 《美国小学分级阅读 二级D 地球科学&物质科学》本书编委会 2016
- 《指向核心素养 北京十一学校名师教学设计 英语 九年级 上 配人教版》周志英总主编 2019
- 《强磁场下的基础科学问题》中国科学院编 2020
- 《小牛顿科学故事馆 进化论的故事》小牛顿科学教育公司编辑团队 2018
- 《小牛顿科学故事馆 医学的故事》小牛顿科学教育公司编辑团队 2018
- 《高等院校旅游专业系列教材 旅游企业岗位培训系列教材 新编北京导游英语》杨昆,鄢莉,谭明华 2019