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氧化物阴极
氧化物阴极

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工业技术

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  • 作 者:(德)赫孟,G.,(德)华庚纳,S.著;沈庆垓译
  • 出 版 社:北京:商务印书馆
  • 出版年份:1959
  • ISBN:13017·196
  • 页数:331 页
图书介绍:
《氧化物阴极》目录

第一章 金属的热电子发射 1

1.金属中电子能量的费密-狄拉克分布 1

2.金属表面的位叠 14

3.电子逾越金属和真空的边界 22

4.二极管的特性 29

4-1.伽伐尼位差和接触位差 30

4-2.减速场电流方程式 32

4-3.空间电荷电流方程式 36

4-4.饱和电流方程式 45

5-1.外来物对逸出功的影响 49

5.吸附的外来物对金属电子发射的影响 49

5-2.铯的吸附(钨铯阴极) 52

5-3.钡的吸附(钨钡阴极) 55

5-4.钍的吸附(钨钍阴极) 56

5-5.氧的吸附(钨氧阴极) 57

5-6.几种物质的同时吸附 58

6.近面电场及其对逸出功的影响 60

第二章 金属逸出功的量测法 72

7.逸出功量测工作的重要性及其基本原理 72

8.李查生直线法 75

9.量热器法 81

10.接触位差法 85

10-1.开尔文法 86

10-2.齐斯孟法 87

10-3.交叉法 88

10-4.特性曲线位移法 91

10-5.磁场法 92

11.光电发射或场致发射的应用 93

11-1.光电极?频率法 95

11-2.遏止电位法 97

11-3.光电直线法 97

11-4.场致发射的应用 99

12.逸出功的实验数据及其与温度的关系 100

13.离子固体的组成,以及其中的点阵缺陷 114

第三章 离子固体中的现象 114

14.扩散 120

15.离子导电 124

16.电子导电 128

17.盈余半导体国电子的能量分布,以及电导率与温度的关系 136

第四章 处在平衡状态的激活氧化层的发射机理 159

18.氧化层的实验详情和物理常数 159

19.作为盈余半导体的氧化层 166

19-1.有盈余钡存在的证明 166

19-2.激活期间发生氧气的证明 169

19-3.盈余钡的位置 170

20.盈余半导体的发射方程式 175

21.逸出功量测法在氧化物阴极上的应用 185

21-1.实验详情 185

21-2.李查生直线法 188

21-3.量热器法 196

21-4.光电法 197

21-5.接触位差法 198

21-6.逸出功与温度的关系 203

22.氧化层的电子电导率和内逸出功 204

23.氧化物阴极表面的位叠(外逸出功) 215

24-1.光电发射 218

24.牵连的现象 218

24-2.二次发射 219

24-3.冷光现象 221

第五章 成分不同的各种氧化层 226

25.单纯氧化物的发射 226

26.混合氧化层的发射 230

26-1.碱土金属氧化物的混合物 230

26-2.碱土金属氧化物和其他金属氧化物的混合物 241

27.多层阴极和他激式阴极 243

27-1.多层阴极 243

27-2.他激式阴极 245

27-3.对于复合阴极的结论 248

28.氧化层成分的不均匀性对发射的影响 251

第六章 氧化层平衡状态的改变 259

29.激活 259

29-1.还原激活 260

29-2.通电激活 266

29-3.电离子轰击激活 268

30.关于激活完全的氧化层中平衡状态如何变动的实验详情 268

30-1.温度改变的影响 269

30-2.阳极电压改变的影响 270

30-3.使平衡状态改变的过程 273

31-1.盈余钡的蒸发 276

31.氧化层表面发生的过程 276

31-2.离子发射 277

31-3.阴极中毒 278

32.在氧化层和基金属的界面上发生的过程 292

33.氧化层内部发生的过程 301

33-1.离子导电 302

33-2.扩散 305

34.各种过程并发的结果,以及它们对发射和寿命的影响 306

附录 氧化物阴极发射电流的起伏现象(闪变效应) 316

参考文献 320

人名对照表 323

名词索引 329

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