近代半导体材料的表面科学基础PDF电子书下载

绪论 1

上篇 基础 3

第一章 二维结晶学 3

引言 3

1.1 二维晶体的周期性与对称性 3

1.2 命名法 11

参考文献 14

引言 15

第二章 表面形态与原子排列 15

2.1 表面能 16

2.2 表面热力学函数 19

2.3 平衡表面形态 22

2.4 悬键 25

2.5 表面能的估算 29

2.6 表面缺陷 30

2.7 邻位面与台阶 33

2.8 台阶蜿蜒与TSK模型 37

2.9 理想表面原子排列 45

参考文献 51

一般参考书目 51

第三章 表面吸附 57

引言 57

3.1 物理吸附 58

3.2 化学吸附 61

3.3 Lennard-Jones模型 65

3.4 吸附物诱导的功函数变化 68

3.5 气-固表面吸附的力能学 71

3.6 气-固表面吸附动力学 75

3.7 吸附等温线 80

一般参考书目 83

参考文献 84

第四章 表面电子性质 86

引言 86

4.1 经典线性链模型 88

4.2 近自由电子模型 90

4.3 紧束缚近似 96

4.4 表面势 100

4.5 定域态密度 104

4.6 表面能带 107

4.7 光电子能谱 112

一般参考书目 122

参考文献 123

第五章 表面振动与散射 126

引言 126

5.1 Rayleigh表面波 127

5.2 晶格的表面振动模 130

5.3 离子束弹性散射 132

5.4 低能电子速的非弹性散射 137

5.5 低能电子速的弹性散射 142

5.6 表面光束散射 147

一般参考书目 151

参考文献 152

下篇 专题 157

第六章 清洁半导体表面 157

引言 157

6.1 Si(100)面 158

6.2 Si(111)面 166

6.3 GaAs(110)面 182

6.4 GaAs(100)面 193

6.5 GaAs(111)面 199

6.6 高指数晶面 203

一般参考书目 207

参考文献 207

第七章 吸附半导体表面 218

引言 218

7.1 (氧，H2O)-硅 219

7.2 氧-GaAs 230

7.3 氢吸附 235

7.4 Ⅲ族元素吸附 242

7.5 贵金属吸附 247

7.6 碱金属吸附 254

7.7 表面钝化和催化 258

一般参考书目 265

参考文献 265

第八章 半导体薄膜学 281

引言 281

8.1 特征 282

8.2 体内扩散 284

8.3 晶粒间界扩散 291

8.4 表面扩散 295

8.5 反应 302

8.6 薄膜生长的经典理论 307

8.7 薄膜生长动力学 311

8.8 固相外延 325

8.9 同质与异质外延 339

一般参考书目 353

参考文献 354

第九章 几种半导体薄膜的生长 364

引言 364

9.1 Si/Si(001) 364

9.2 GaAs/GaAs(001) 373

9.3 GaAs/Si 383

9.4 GexSil-x/Si 400

参考文献 414

第十章 金属-半导体界面 423

引言 423

10.1 表面空间电荷区 426

10.2 金属-半导体接触势垒 431

10.3 金属-半导体接触的电流机制 445

10.4 金属诱生能隙态 453

10.5 金属-半导体界面缺陷 461

10.6 金属-半导体界面原子结构 471

10.7 金属-半导体界面的微观结构 477

一般参考书目 480

参考文献 481

第十一章 过渡金属硅化物 488

引言 488

11.1 背景 489

11.2 制备 504

11.3 杂质问题 507

11.4 反应动力学与相序 511

11.5 体过渡金属硅化物 513

11.6 过渡金属-硅界面电子结构 533

11.7 过渡金属-硅界面的形成 541

11.8 硅化物外延生长 555

一般参考书目 563

参考文献 564

第十二章 铂、钴、钛硅化物 575

引言 575

12.1 Pt/Si界面电子结构 576

12.2 Pt/Si界面的形成与反应 582

12.3 Pt/Si-Si界面 591

12.4 CoSi2 597

12.5 TiSi2 605

12.6 金属硅化物的性质 611

一般参考书目 627

参考文献 627

第十三章 稀土金属硅化物 634

引言 634

13.1 制备 635

13.2 晶体结构 642

13.3 基础性质 644

13.4 相图 645

13.5 电学性质 646

13.6 Schottky势垒 652

13.7 光学性质 655

13.8 外延生长 657

13.9 界面反应演化 661

13.10 RE-Si界面的电子性质 673

13.11 界面反应与生长机制 684

一般参考书目 689

参考文献 689

14.1 一般讨论 696

第十四章 金属-化合物半导体接触 696

引言 696

14.2 重掺技术 708

14.3 N-GaAs 710

14.4 P-GaAs 722

14.5 N-和P-InP 724

14.6 P-InAs·P-GaSb 725

14.7 AlGaAs 726

14.8 InGaAs 726

14.9 InGaAsP 728

14.10 能带工程 729

14.11 Si/Co/GaAs 739

14.12 TiN/N-GaAs 743

14.13 宽禁带半导体的金属接触 745

14.14 工艺与可靠性 748

一般参考书目 749

参考文献 750

本书参考书目 759

部分缩写名词 765

部分符号表 769