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第一篇 固体表面原子状态 1

第一章 静态表面原子状态 2

§1—1 二维结晶学 4

§1—2 理想解理表面点阵结构 14

§1—3 清洁表面点阵结构 24

§1—4 再构表面与超点阵 35

§1—5 覆盖表面的结构 49

附录 台阶表面结构 69

第二章 表面原子振动状态 74

§2—1 一维表面模型的振动 75

§2—2 简正模的弹性连续体理论 86

§2—3 表面模的点阵动力学理论 96

§2—4 与长程力有关的表面模 107

§2—5 表面原子均方振幅 116

第三章 动态表面原子状态与表面张力 134

§3—1 动态表面结构模型和表面张力 135

§3—2 表面相的状态参数 150

§3—3 极低温度时表面张力 168

§3—4 二维系统的表面性质 178

§3—5 三维系统的表面性质 196

第二篇 固体表面电子状态 225

第四章 理想简单金属表面电子论 228

§4—1 金属体内电子状态——准自由无相互作用电子气模型 229

§4—2 表面局域态密度和积分态密度——一维双端无限势垒模型 239

§4—3 波函数相移和电中性条件 249

§4—4 金属表面电子状态——准自由无相互作用电子气模型 258

§4—5 胶体模型的表面电子状态、功函数和表面能 269

§4—6 F.T.D.G近似方法 282

§4—7 分立点阵模型与结晶取向效应 293

第五章 理想半导体表面态和界面态 302

§5—1 表面态起源及研究概况 303

§5—2 理想完整晶体中的电子状态 306

§5—3 晶体内实数K能带和表面区复数k能带 321

§5—4 窄禁带半导体表面态的形成（NFE模型） 324

§5—5 窄禁带半导体表面区连续谱态密度 334

§5—6 表面态密度与表面势的自洽及电中性原理 348

§5—7 计算理想半导体表面能带结构的一般匹配原则 353

§5—8 紧束缚模型的晶体体内态和表面态 363

§5—9 一维共价键模型 371

§5—10 典型半导体理想表面态能带的近似计算结果 377

§5—11 悬挂键表面态及麦德隆势法 382

§5—12 金属／半导体界面态密度 389

§5—13 界面偶极矩势和势垒高度 396

第六章 清洁固体表面及化学吸附表面电子结构 403

§6—1 表面势、表面电荷密度与表面态能带的自洽计算 404

§6—2 表面区的连续谱电子态和局域表面态 415

§6—3 清洁理想金属表面电子结构 424

§6—4 清洁半导体表面电子结构 436

§6—5 化学吸附表面电子结构 448

§6—6 固体表面能 458

§6—7 表面元激发模与表面等离子体 463

§6—8 过渡金属表面磁性 467

第七章 表面的电子输运 476

§7—1 体内的电子输运 476

§7—2 表面电子输运类型 483

§7—3 表面态中的电子输运 484

§7—4 在空间电荷层中载流子的分布 489

§7—5 在空间电荷层中的电子输运 510

第三篇 表面物理专题 526

第八章 表面缺陷与表面扩散 527

§8—1 结晶表面缺陷模型和表面缺陷能 529

§8—2 表面扩散系数的统计热力学理论 535

§8—3 表面扩散系数与可测量参数之间的关系 540

§8—4 表面扩散实验方法 551

§8—5 单元系（金属）表面的自扩散和异质扩散 553

§8—6 多元系晶体表面扩散和多孔衬底上吸附分子的扩散 566

§8—7 存在问题和研究动向 571

第九章 表面吸附和分凝理论 575

§9—1 吸附和分凝 575

§9—2 物理吸附和化学吸附 578

§9—3 吸附和分凝的理论 589

§9—4 有关实验 624

第四篇 表面分析 636

第十章 表面分析概论 637

§10—1 表面信息和表面探针 637

§10—2 入射电子与物质相互作用信息 639

§10—3 入射离子和光子与固体表面相互作用信息 646

§10—4 直接获得表面信息的现代物理方法 652

第十一章 表面原子结构、化学组分及电子能态测量方法 664

§11—1 电子衍射法及其应用 664

§11—2 清洁表面和有序化学吸附层原子结构部分测量结果 674

§11—3 俄歇电子谱及其应用 685

§11—4 光电子能谱及其应用 705

§11—5 其他能谱技术 726

§11—6 半导体表面态分布模型 740

§11—7 间接测量半导体表面态分布方法 747

附录Ⅰ 常用的物理参数 759

附录Ⅱ 主要参数符号 760