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半导体物理基础
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数理化

  • 电子书积分:11 积分如何计算积分?
  • 作 者:郑福洁,吴士忠编
  • 出 版 社:南京:江苏科学技术出版社
  • 出版年份:1983
  • ISBN:15196·089
  • 页数:284 页
图书介绍:
《半导体物理基础》目录

目录 1

上篇 1

第一章原子结构 1

§1-1原子的核型结构 1

§1-2氢原子光谱的规律性 2

§1-3玻尔的氢原子理论 6

§1-4椭圆轨道 12

§1-5空间量子化电子的自旋 16

§1-6原子的壳层结构 19

*§1-7伦琴射线的光谱 25

复习思考题 31

本章小结 31

第二章统计物理初步 33

§2-1几率论的一些基本知识 33

§2-2统计的规律性 38

§2-3玻耳兹曼统计分布 45

§2-4费米-狄拉克统计分布 48

本章小结 51

复习思考题 53

第三章量子力学初步 54

§3-1波和粒子 54

§3-2定态薛定谔方程 70

§3-3势垒的反射和透入 72

§3-4势垒贯穿——隧道效应 74

§3-5一维方势阱 76

§3-6粒子在方盒中的运动 80

§3-7氢原子问题 83

本章小结 88

复习思考题 89

第四章 晶体结构和能带论初步 91

§4-1晶体的结合和结构 91

§4-2电子的共有化运动和能带 111

§4-3导体、半导体和绝缘体的能带结构 114

§4-4晶体中电子的运动有效质量 116

*§4-5一维周期场 120

§4-6布里渊区 124

本章小结 128

复习思考题 128

下篇 130

第五章掺杂半导体 130

§5-1本征半导体的特性 130

§5-2半导体掺杂 135

§5-3n型半导体和p型半导体 137

§5-4掺杂半导体在室温上下的载流子浓度 141

§5-5掺杂半导体的本征情况 144

§5-6深能级杂质和缺陷能级 145

本章小结 147

复习思考题 148

§6-1导带电子与价带空穴统计分布的一般表达式 149

第六章半导体中载流子的统计分布 149

§6-2本征情况下的费米能级和载流子浓度 153

§6-3杂质半导体的费米能级和载流子浓度 155

§6-4简并半导体费米能级的位置和载流子浓度 159

§6-5费米能级的物理意义 163

本章小结 165

复习思考题 166

第七章半导体中载流子的迁移现象 167

§7-1金属自由电子论 167

§7-2半导体中载流子的运动方式 171

§7-3半导体的电导率和散射 172

§7-4电子和空穴的迁移率 177

§7-5电阻率同杂质浓度和材料温度的关系 180

§7-6半导体的霍耳效应 182

本章小结 185

复习思考题 186

第八章非平衡载流子 187

§8-1非平衡载流子及其产生 187

§8-2非平衡载流子的复合与寿命 188

§8-3准平衡态与准费米能级 198

§8-4非平衡载流子的运动 200

本章小结 207

复习思考题 208

§9-1 p-n结的形成及杂质分布 209

第九章p-n结 209

§9-2平衡p-n结 212

§9-3 p-n结的伏安特性 215

§9-4 p-n结的电容效应 224

§9-5 p-n结的击穿特性 229

§9-6金属与半导体的接触 235

本章小结 241

复习思考题 242

第十章半导体表面 245

§10-1表面空间电荷区 245

§10-2理想MIS电容器的C-V特性 248

§10-3硅-二氧化硅系统的性质 255

§10-4实际MIS电容器的C-V特性及应用 258

§10-5半导体场效应应用举例——MOS场效应晶体管 264

§10-6表面电导率及迁移率 265

本章小结 266

复习思考题 266

第十一章半导体的光磁热电性质 268

§11-1半导体的光学性质 268

§11-2半导体的热电性质 275

§11-3半导体磁电效应 278

本章小结 282

复习思考题 283

附录 283

一、常用的物理常数 283

二、锗、硅和砷化镓材料的物理性质 284

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