集成电路 设计原理与制造PDF电子书下载

1．半导体物理的一些基本概念 1

1-1 固体中的能带结构 1

1-2 费米分布函数和费米能级 5

1-3 半导体晶体中的电子和空穴 9

1-4 本征半导体中的载流子浓度 12

1-5 半导体中的施主杂质和受主杂质 16

1-6 电阻率和电导率 26

2．结的理论与特性 35

2-1 载流子扩散 35

2-2 载流子寿命 38

2-3 平衡结 44

2-4 非平衡结 60

2-5 结电容 75

2-6 反向击穿 77

3．杂质扩散和扩散结的性质 82

3-1 扩散理论 82

3-2 工艺因素对扩散分布的影响 89

3-3 扩散层的测定 94

3-4 扩散结的性质 104

3-5 金扩散 110

4．晶体管基本原理 114

4-1 用作放大器的n-p-n结型晶体管 114

4-2 电流增益和晶体管结构的关系 120

4-3 缓变基区的电流增益 127

4-4 晶体管的基极电阻 129

4-5 基极输入和集电极饱和电压 132

4-6 晶体管的最大电压特性 134

4-7 晶体管的频率响应 136

4-8 晶体管的开关特性 143

4-9 开关过程的定性描述 145

5．单块和混合电路的设计原理 151

5-1 基本工艺过程 152

5-2 混合集成电路的设计原理 153

5-3 单块电路的设计原理 154

5-4 基本的单块结构 156

5-5 各种工艺的优缺点 167

5-6 p-n-p-n-p-n结构的形成 170

5-7 光致抗蚀工艺 175

5-8 光掩模的制造 176

5-9 单块电路设计中的考虑 179

5-10 单块电路设计举例 182

5-11 小结 190

6．多相单块集成电路 195

6-1 多相单块集成电路的制造 198

6-2 多相单块集成电路的优点 202

7．单块电路的晶体管和二极管 205

7-1 单块集成电路晶体管的结构 205

7-2 击穿电压特性 212

7-3 漏电流特性 214

7-4 单块（电路）晶体管的电容 214

7-5 电流增盆 219

7-6 饱和特性 222

7-7 单块电路晶体管的频率响应 225

7-8 单块电路晶体管特性及电路应用小结 229

7-9 把集成电路晶体管用作二极管的五种基本接法 233

7-10 二极管反向击穿电压 235

7-11 二极管漏电流 236

7-12 二极管电容 238

7-13 二极管存贮时间（二极管恢复时间） 240

7-14 正向特性 242

7-15 p-n-p寄生晶体管作用 244

7-16 集成电路二极管小结 246

8．集成电路中的场效应器件 249

8-1 场效应晶体管的工作和设计原理 251

8-2 其他结型场效应器件 262

8-3 场效应器件工艺 268

8-4 绝缘栅FET 275

9．集成电路中其他有源器件 280

9-1 隧道二极管和反向二极管 280

9-2 变容二极管 283

9-3 单结晶体管 288

9-4 p-n-p-n开关 290

10．集成电路的无源元件 295

10-1 结（型）电容器 296

10-2 薄膜电容器 302

10-3 扩散电阻器 307

10-4 薄膜电阻器 317

10-5 电感器 321

10-6 压电滤波器 323

10-7 大容量电容器 323

10-8 集成电路系统的其他元件 324

10-9 小结 324

11．单晶生长和外延工艺 326

11-1 晶体生长 326

11-2 切片和抛光 327

11-3 外延 327

12．晶片加工 343

12-1 外延 345

12-2 扩散 345

12-3 光致抗蚀法 357

12-4 二氧化硅-硅的界面效应 365

12-5 欧姆接触的形成 368

13．集成电路中的薄膜 374

13-1 薄膜的淀积 376

13-2 薄膜的改性 386

13-3 薄膜图形的形成 387

13-4 薄膜参数的调整 389

13-5 薄膜的接触 390

13-6 衬底制备 391

13-7 相容电路的设计 392

13-8 薄膜电路的相容性 394

13-9 薄膜工艺小结 397

14．装架工艺 401

14-1 管芯切割和焊接 401

14-2 引线焊接 408

14-3 封口 416

14-4 寄生成份 418

14-5 导热问题 419

15．集成电路的封装 421

15-1 外壳的密封 422

15-2 扁平外壳 425

15-3 T0-5型外壳 429

15-4 外壳的检验 431

15-5 散热问题 434

15-6 集成电路封装的发展趋势 441

附录A 443

附录B 444

附录C 445