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目 录 3

第一章 晶体的内部结构和晶体的结合 3

§1——1 晶体内部结构的周期性 3

§1——2 立方晶系几种常见的晶体结构 10

§1——3 晶列与晶面的取向 22

§1——4晶体的结合 30

第二章晶格振动和晶格缺陷 42

§2——1 一维均匀线的振动 42

§2——2 一维单原子链的振动 46

§2——3 一维双原子链的振动 52

§2——4玻恩——卡曼边界条件 61

§2——5 三维晶体中原子的振动和声子 64

§2——6 晶体中的点缺陷和杂质 70

§2——7位错和层错 76

第三章半导体中的电子状态 85

§3——1 电子的运动状态和能级 85

§3——2 导带和价带，电子和空穴 90

§3——3杂质能级 97

§3——4缺陷能级 108

第四章热平衡情况下载流子的密度 112

§4——1 电子的统计分布 112

§4——2 电子和空穴密度的一般表示式 118

§4——3本征半导体 126

§4——4杂质半导体 131

§4——5一般情况下的统计分布 145

§4——6 载流子的简并化 154

第五章半导体中的电导和霍尔效应 161

§5——1载流子的散射 161

§5——2 电导现象 174

§5——3 迁移率和电导率 179

§5——4 强电场效应 190

§5——5 一种载流子的霍尔效应 194

§5——6 两种载流子的霍尔效应 206

§6——1 非平衡载流子的产生和寿命 213

第六章非平衡载流子 213

§6——2连续性方程 220

§6——3 非平衡少数载流子的扩散 229

§6——4 少子电流和多子电流 234

§6——5 非平衡少数载流子的漂移和扩散 239

§6——6 少子脉冲的扩散和漂移 244

§6——7海恩斯——萧克莱实验 250

§6——8近本征材料 253

§6——9复合机理 257

§6——10直接复合 262

§6——11 通过复合中心的复合 272

§7——1 表面势、能带弯曲和空间电荷区 282

第七章半导体表面 282

§7——2 空间电荷区的进一步分析 293

§7——3接触电势差 305

§7——4表面态 313

§7——5 理想MOS的电容——电压特性 317

§7——6 实际MOS的电容——电压特性 328

§7——7表面结构 340

第八章p—n结 349

§8——1平衡态的p—n结 349

§8——2 p—n结的电流——电压特性 353

§8——3 简单理论的修正 365

§8——4 p—n结电容 374

§8——5 p—n结击穿 387

第九章 晶体的对称性 402

§9——1群论初步 402

§9——2对称操作 409

§9——3 点群 420

§9——4 晶体的对称性——空间群 432

§9——5 晶体宏观性质的对称性 444

§9——6倒格子 455

第十章能带理论 462

§10——1 能带理论的基础 462

§10——2布洛赫定理 465

§10——3 周期性边界条件 471

§10——4 能带及其一般特性 474

§10——5布里渊区 480

§10——6 电子的平均速度和加速度 487

§10——7金属、半导体和绝缘体 495

§10——8空穴 502

§10——9回旋共振 506

§10——10状态密度 524

第十一章 能带的计算方法 528

§11——1 动量表象中的运动方程式 528

§11——2 准自由电子近似法 535

§11——3 紧束缚近似法 547

§11——4原胞法 556

§11——5 正交化平面波方法 561

§11——6赝势法 565

§11——7 k·p方法 567

第十二章输运现象的统计理论 572

§12——1一般介绍 572

§12——2 玻耳兹曼方程和弱场情况下的解 578

§12——3 在具有立方对称性的半导体里，输运现象中的一般公式 585

§12——4 球形等能面情况下的输运现象 591

§12——5 两种载流子的输运现象 601

§12——6 多能谷情况下的输运现象 606

§12——7 强磁场情况下的电流磁效应 621