电子材料科研开发、生产加工技术与质量检测标准实用手册 第1卷PDF电子书下载

第一章 电子材料类型与特征 1

第一节 电子材料的分类与特性 1

一、电子材料在国民经济中的地位 1

二、电子材料的分类 1

三、电子材料对环境的要求 2

四、电子材料与元器件 4

第二节　绝缘材料 5

一、绝缘材料的特征 5

二、有机绝缘材料 6

三、无机绝缘材料 9

第三节 导电材料 11

一、导电材料 11

二、导线电缆的种类、特点及用途 12

第四节　磁性材料 15

一、磁性材料的特性 15

二、常用的软磁材料和硬磁材料 18

三、电子设备中常见的软磁铁氧体元件 19

第二章 电子材料的分类方法与应用 21

第一节 电子材料的表面与界面 21

一、表面的定义和种类 21

二、清洁表面的原子排布 22

三、实际表面的特征 24

四、晶粒间界 27

五、相界和分界面 30

第二节 电子材料常用微观分析方法 31

一、电子材料化学成分分析方法 31

二、电子材料结构分析方法——X射线衍射分析法 32

三、电子材料的显微分析法 34

四、电子材料表面界面分析技术 37

五、扫描探针技术 40

第三节 应用的领域与工艺技术发展动态 42

一、现代社会对电子材料的要求 42

二、电子材料的选用原则 43

三、纳米材料 43

四、复合材料与梯度功能材料 44

五、电子材料的发展动态 47

第三章 电子材料的制备与成型加工技术 51

第一节 材料制备原理与方法 51

一、金属材料的制备 51

二、无机非金属材料的制备 61

三、高分子材料的制备 80

第二节 材料成型加工工艺 87

一、金属材料的加工工艺性 87

二、聚合物的成型加工特性及成型加工方法 97

第四章 晶体材料的结构、物性与生产加工技术 116

第一节 晶体材料的结构与物性 116

一、晶体的结构 116

二、单晶材料的物性 120

三、单晶材料的缺陷 124

四、多晶材料 126

第二节 晶体材料的生产制备技术 129

一、气相生长法 131

二、溶液生长法 131

三、熔融法 133

第三节 晶体材料的生产加工技术 136

一、晶体的定向 136

二、晶体的切割 137

三、晶体的研磨 138

四、晶体的抛光 139

第五章　半导体材料 140

第一节 元素半导体材料 140

一、硅材料 140

二、其它元素半导体材料 147

第二节　化合物半导体材料 148

一、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料 148

二、Ⅱ一Ⅵ族化合物和硫属半导体 157

第三节 外延材料半导体微结构材料 166

一、外延材料 166

二、半导体微结构材料 172

第六章　半导体材料的制备工艺与应用 183

第一节 半导体材料的制备工艺 183

一、多晶工艺 183

二、单晶制备工艺 183

三、半导体薄膜制备工艺——外延技术 190

第二节 半导体材料的应用 195

一、半导体材料在集成电路上的应用 195

二、半导体材料在光电子器件中的应用 197

三、半导体材料在微波器件上的应用 201

四、半导体材料在电声耦合器上的应用 202

五、半导体材料在传感器中的应用 203

第七章　半导体激光器的材料与加工工艺 205

第一节 半导体激光器的材料 205

一、半导体激光器原理 205

二、蓝光半导体激光器材料 207

三、蓝绿光半导体激光器材料 208

四、红光半导体激光器材料 209

五、近红外短波长半导体激光器材料 210

六、近红外长波长半导体激光器材料 211

七、中红外波段（2～3μm）半导体激光器材料 211

八、中远红外波段（4～17μm）半导体激光器材料 212

第二节 Ⅲ-Ⅴ族化合物的外延生长 213

一、液相外延（LPE） 214

二、金属有机化学气相沉积（MOCVD） 230

三、分子束外延（MBE） 234

第三节 半导体外延材料的性能检测 237

一、半导体异质结显示 237

二、异质结晶格匹配度的测定 238

三、光荧光测量 239

第四节 半导体激光器的加工工艺 241

一、引言 241

二、化合物半导体中的掺杂扩散 243

三、化学腐蚀 246

第五节 欧姆接触 249

一、n型GaAs的欧姆接触 250

二、P型GaAs的欧姆接触 250

三、InP材料的欧姆接触 250

第六节　后步工艺 251

一、烧焊 251

二、键合 251

三、与光纤耦合 251

四、封装 252

第八章　超导材料 253

第一节 超导材料的特性 253

一、临界温度（Tc） 253

二、临界磁场与临界电流 254

三、迈斯纳效应 257

四、穿透深度 259

五、相干长度 261

六、临界电流密度（Jc） 262

七、BCS理论 265

第二节　低温超导材料 267

第三节 高温超导材料 270

一、钙钛矿结构 270

二、高温超导中的钙钛矿结构 271

三、功能材料中的钙钛矿结构 272

四、高Tc氧化物超导材料的晶体结构 276

五、高温铜酸盐超导体的晶场配位 279

六、高温超导材料的电子结构 282

七、铜酸盐超导体中的缺陷 282

八、高温超导体结构共性 285

第九章　超导材料的类型、特点及制备工艺 287

第一节　超导材料的分类 287

一、第一类超导体 287

二、第二类超导体 287

第二节　超导材料的特点 288

一、元素型超导材料 288

二、合金超导材料 290

三、化合物超导材料 291

第三节 超导材料的制备工艺 293

一、表面扩散法 293

二、复合加工法（亦叫青铜法） 293

三、原位（In—Situ）法和粉末法 294

四、新型超导材料的研究开发 295

五、陶瓷超导材料——高温超导体。 296

六、陶瓷超导材料的制备工艺 303

第十章　导电材料的结构特性与加工技术 309

第一节　金属导电材料 309

一、金属导电材料概论 309

二、铜 311

三、铜合金 312

四、铝 314

五、铝合金 314

第二节 电极和电刷材料 315

一、电容器电极材料 315

二、引出线 317

三、电刷与弹性材料 318

第三节 薄膜导电材料 319

一、铝薄膜 320

二、铬－金薄膜和镍铬－金薄膜 320

三、钛－金薄膜 323

四、钛－钯－金薄膜和钛－铂－金薄膜 324

五、镍铬－钯（铂）－金薄膜 325

六、镍铬－铜－钯（铂）－金薄膜 325

七、钛－铜－镍－金薄膜和铬－铜－镍－金薄膜 326

八、铁铬铝－铜－金薄膜 327

九、透明导电薄膜 328

十、薄膜导电材料在半导体集成电路中的应用 328

十一、薄膜导电材料的发展 330

第四节 厚膜导电材料 330

第五节 复合导电材料 336

一、加压导电薄片 337

二、有机导电纤维 338

第六节 导电聚合物 338

一、导电高分子材料概述 338

二、电子导电型聚合物 339

三、电子导电聚合物的应用 342

第十一章　导电材料的加工工艺 344

第一节　金属冶炼工艺 344

一、直接涂覆法 344

二、液态法 346

三、固态法 348

四、液态金属浸渍法 352

五、液态金属搅拌铸造（简称熔铸）法 352

六、硼／铝和硼／镁复合材料的性能 353

七、碳（石墨）／铝和碳（石墨）／镁复合材料的性能 356

八、碳化硅／铝和碳化硅／仗复合材料的性能 357

九、其他长纤维增强金属基复合材料的性能 359

十、增强体增强金属基复合材料的性能 363

第二节 导电聚合物合成工艺 365

一、聚合物基复合材料的分类与结构形式 365

二、聚合物基复合材料的制造技术 370

三、聚合物基复合材料的应用 377

第三节 复合导电材料加工工艺 383

一、功能复合材料 383

二、生体复合材料 388

三、智能复合材料 393

第十二章 电阻材料性能参数与制备技术 395

第一节 电阻材料类型及特性 395

一、电阻、电阻器和电阻单位 395

二、电阻率和膜电阻 396

三、电阻与温度的关系 396

四、电阻材料的电压特性 402

五、电阻材料噪声 403

第二节 线绕电阻材料 403

一、线绕电阻材料的特点和要求 403

二、贱金属电阻合金线 404

三、贵金属电阻合金线 405

第三节 薄膜电阻材料 407

一、碳基薄膜 408

二、金属膜 410

三、镍－铬系薄膜 411

四、合金箔 413

五、金属氧化膜 415

六、化学沉积金属膜 417

七、镍铬薄膜电阻 418

八、金属陶瓷电阻薄膜 425

九、铬－硅电阻薄膜 429

十、钽基电阻薄膜 432

十一、复合电阻薄膜 437

第四节　厚膜电阻材料 438

一、厚膜电阻浆料的组成 438

二、钌系厚膜电阻材料 439

三、钯银厚膜电阻 448

四、其他厚膜电阻 452

第十三章 电阻材料制备工艺与发展动态 453

第一节 线绕电阻材料制备工艺 453

一、选择电阻合金线的依据 453

二、线绕电阻材料的种类 454

第二节 非线绕电阻材料制备工艺 461

一、非线绕电阻材料种类及特性 461

二、典型非线绕电阻材料组成、制备工艺及性能 464

第三节 电阻材料发展动向 467

第十四章　压电晶体材料 470

第一节 压电晶体材料 470

一、晶体的压电效应和逆压电效应 470

二、什么是压电晶体材料 471

三、压电晶体材料的应用 474

第二节 热释电晶体材料 477

一、晶体的热释电效应 477

二、什么是热释电晶体材料 478

三、热释电晶体材料的应用 480

第三节　铁电晶体材料 483

一、晶体的铁电性 483

二、什么是铁电晶体材料 486

三、铁电晶体材料的应用 488

第十五章　压电晶体材料特性、应用与制备工艺 490

第一节 压电效应及其产生机理 490

第二节 特性参数、应用及制备工艺 491

一、介电常数 491

二、介电损耗 492

三、机械品质因数 493

四、机电耦合系数 493

五、弹性系数 494

六、压电常数 495

七、频率常数 496

八、压电材料的应用 496

九、压电材料的制备工艺 501

第十六章　光电子材料 507

第一节 固体激光材料 507

一、激光的特点及发光原理 507

二、激光晶体 508

三、激光玻璃 513

第二节　半导体发光材料 515

一、辐射跃迁 515

二、发光效率 518

三、电致发光激发机构 519

第三节 光导纤维材料 520

一、光导纤维导光原理 520

二、氧化物系统材料 523

三、非氧化物系统材料 528

四、光导纤维的结构及应用 529

第四节　透明导电薄膜材料 533

一、透明导电薄膜的基本要求及应用 533

二、透明导电薄膜的种类 534

三、透明导电薄膜的制备 537

第五节　其他光电材料 539

一、光电探测材料 539

二、光电显示材料 541

三、非线性光学晶体材料 542

第十七章　信息显示材料及其制备技术 545

第一节 等离子与液晶显示材料 545

一、等离子显示材料 545

二、PDP技术原理 546

三、PDP优缺点 547

四、液晶显示材料 548

第二节　其他发光材料 558

一、有机发光材料 558

二、金属配合物 561

三、高分子聚合物 562

第三节 CRT的制作工艺 565

一、荫罩 565

二、显示屏、荫罩的组装 566

三、涂黑及涂布荧光体 567

四、封接、排气工程 567

五、阴极老化处理 568

六、装附偏转磁轭 568

第四节　粉末发光材料的制备 568

一、高温固相反应 568

二、几种新型制备方法 571

第五节 薄膜制备 573

一、物理气相沉积（physicalvapordeposition,PVD） 573

二、化学气相沉积（chemicalvapordeposition,CVD） 575

第六节 单晶的制备 576

一、气相生长法 576

二、溶液生长法 577

三、熔融法 578

四、固相生长法 579

第七节　LED的制作工艺 580

一、单晶制作技术 580

二、外延技术 582

三、掺杂技术 584

四、元件制作及组装技术 585

第八节 PDP的主要部件及材料制造工艺 587

一、玻璃基板 591

二、前基板制造工艺中相关的部件与材料 593

三、后基板制造工艺中相关的部件与材料 595

四、装配工艺中相关的部件与材料 600

第九节　VFD的制造工艺 601

一、VFD的材料 601

二、VFD的制造 603

第十八章　信息传输材料及制备技术 605

第一节　微波通信材料 605

第二节　GSM数字蜂窝移动通信材料 609

第三节 光纤通信材料 612

一、光发送机材料 612

二、光纤材料 613

三、光接收机材料 615

四、光放大器材料 616

五、光波系统互连器件材料 618

第四节 感光材料的加工过程 619

一、感光材料的主要照相性能 620

二、黑白胶片的摄影和冲洗加工 622

三、彩色摄影及其冲洗加工 626

第十九章　信息存储材料及其制备技术 634

第一节 半导体存储器材料 634

一、随机存取存储器（RAM） 634

二、只读存储器（ROM） 635

第二节　磁存储材料 637

第三节 无机与有机光盘存储材料 639

一、无机光盘存储材料 639

二、有机光盘存储材料 649

第四节　超高密度光存储材料 652

一、近场扫描光学显微（NSOM）存储材料 652

二、光谱烧孔材料 653

三、全息存储材料 655

第五节　铁电存储材料 657

第二十章　信息处理材料的结构分析及生产加工 659

第一节　微电子与光电子信息处理材料 659

一、微电子信息处理材料 659

二、光电子信息处理材料 662

第二节　集成光路材料 666

一、平面光波导 666

二、集成光路（IOC）材料 668

第三节 光电子集成回路材料 669

第二十一章　声光材料结构性能及生产技术 670

第一节 电光晶体材料 670

一、晶体的电光效应 670

二、什么是电光晶体材料 671

三、电光晶体材料的应用 674

第二节 声光晶体材料 678

一、晶体的声光效应 678

二、声光晶体材料 678

第三节　磁光晶体材料 680

一、晶体的磁光效应 680

二、磁光晶体材料 682

三、磁光晶体材料的应用 684

第二十二章　介电材料及其制备工艺 686

第一节 电容器介电材料的分类及特性 686

一、介电材料的分类 686

二、有机介电材料的类别和通性 686

三、有机介电材料膜的举例 688

第二节 气体介电材料 692

第三节　微波陶瓷介质材料 697

一、微波陶瓷的介电性能 698

二、微波陶瓷介质的应用 701

第四节 电解电容器及其材料 705

一、电解电容器 705

二、微波介质材料 706

第五节 云母 720

一、云母的分类 721

二、云母的微观结构 721

三、云母的性能 722

四、合成石母 726

第二十三章　磁性材料的分类特性与应用 729

第一节　磁现象与磁性材料 729

第二节　磁化特性及其参数与分类 730

一、磁化特性及参数 731

二、磁性材料的分类 732

第三节 永磁、软磁、微波铁氧体材料的应用 734

一、永磁材料的应用 734

二、软磁材料的应用 735

三、铁氧体材料的应用 737

第四节　磁记录与磁存储材料的应用 738

一、几种主要的磁记录与磁存储材料 738

二、材料的应用 740

第五节　微波吸收材料的应用 741

一、反雷达伪装一隐身材料 741

二、提高雷达系统的可靠性 741

三、微波暗室 742

四、其它应用 742

第二十四章　永磁体及其制作工艺 743

第一节　永磁体的强度及其提高方法 743

一、永磁体的强度 743

二、如何提高永磁体的强度 749

第二节　合金系永磁体 753

第三节　铁氧体永磁体 754

第四节 稀土系永磁材料 755

一、稀土系永磁材料的发展过程 755

二、第一代和第二代稀土永磁体 757

三、Nd-Fe-B永磁体的制作方法 764

四、Nd2Fe14B硬磁性相的结构和内禀磁性 766

五、Nd-Fe-B磁体的宏观磁性和微结构 769

六、R（稀土元素）-Fe-N系永磁体 770

第二十五章　磁记录与磁性材料的结构、特性及生产技术 773

第一节　磁头及材料 773

一、磁头的种类 773

二、铁氧体磁芯材料 776

三、坡莫合金（Ni-Fe系）磁芯材料 776

四、仙台斯特合金（Fe-Si-Al系）磁芯材料 777

五、非晶态磁头材料 777

六、微晶［Fe-M（Nb,Ta,Zr,Hf,Ti,V等）-（N,C,B）］薄膜磁头材料 777

七、多层膜磁头材料 778

八、磁致电阻效应（MR）磁头及材料 778

第二节　磁记录介质及材料 780

一、磁记录介质应具备的性质 780

二、记录媒体的制作工艺 781

三、涂布型介质 790

四、薄膜介质 796

五、垂直磁记录介质 798

第三节　磁泡及磁性石榴石材料 801

第二十六章　磁光效应材料的技术性能及加工工艺 807

第一节 光磁记录原理 807

一、激光及光记录 807

二、记录与再生的原理 810

三、光磁盘介质的结构 813

四、光磁记录介质应具备的特性 814

第二节　如何获得性能优良的光磁记录介质 815

一、采用非晶态膜 815

二、采用重稀土－过渡族金属非晶态膜 816

三、光磁记录材料需要制成垂直磁化膜 817

四、补偿温度（Tcomp）应在室温附近 819

五、影响R-TM合金膜磁克尔角的因素 820

六、采用多层复合膜用以提高θk 822

第三节　磁超分辨技术和磁畴扩大再生技术 824

一、磁超分辨技术 824

二、磁畴扩大再生技术 827

第四节 下一代光磁记录材料及相关技术 829

一、NdTb-Fe-Co系及PrTb-Fe-Co系合金膜 829

二、Bi置换石榴石膜 829

三、磁性超晶格 831

四、超高密度信息记录的新技术 833

五、光单向波导 834

第二十七章　粘结磁体的生产加工及应用 837

第一节 粘结磁体加工工艺 837

一、Nd-Fe-B粘结磁体用磁粉制备方法 837

二、粘结磁体成形工艺 840

第二节 Nd-Fe-B粘结磁体的性能 845

一、各向同性Nd-Fe-B粘结磁体 845

二、各向异性Nd-Fe-B粘结磁体 847

第三节 Nb-Fe-B粘结磁体的应用 849

第四节 稀土粘结磁体性能的提高 850

一、HDDR各向异性ND-Fe-B粘结磁体 850

二、剩磁增强型Nd-Fe-B各向同性磁体 852

三、高温Nd-Pe-B粘结磁体 853

四、Sm2Fe17Ny粘结磁体 853

第二十八章 其他新型磁性材料及其制备工艺 855

第一节　超磁致伸缩材料 855

一、从磁致伸缩到超磁致伸缩 855

二、超磁致伸缩的机制 856

三、超磁致伸缩材料及加工工艺 858

四、超磁致伸缩材料的应用 861

第二节 巨磁化强度材料Fe16N2 865

一、Fe-N化合物的晶体结构 866

二、Fe16N2的制备方法 867

第三节　磁性液体 869

一、何谓磁性液体 869

二、磁性液体的制作方法及种类 870

三、磁性液体的特性 873

四、磁性液体的应用 876

第二十九章　触点材料的性能与加工工艺 879

第一节 电接触的分类 879

一、电接触的分类 879

二、电接触产生的主要现象和问题 879

第二节 电触点材料 881

一、纯金属触点材料 881

二、合金触点材料 883

三、复合材料 886

四、金属－金属复合材料 888

第三节 触点材制备的方法 890

一、熔炼法 890

二、电镀法 890

三、烧结法 891

四、内氧化法 891

第四节 触点材料的作用及新型触点材料的设计 892

一、触点材料的作用 892

二、新型触点材料的设计 893

第三十章　集成电路与混合微电路用附属材料（敷铜板材料）及其加工工 894

第一节 厚膜电子浆料 895

一、导体浆料 895

二、电阻浆料 896

三、厚膜电介质浆料 898

第二节 引线框架和引线材料 899

一、引线框架 899

二、引线和连接 900

第三节　封装及其材料 901

一、塑料封装 901

二、金属封装 902

三、陶瓷封装 902

四、玻璃封装 903

第四节 集成电路基片衬底材料 903

一、高温烧陶瓷基片——Al2O3基片 904

二、低温烧成基片 905

三、高导热性陶瓷基片 905

四、非陶瓷质基片 915

第三十一章　敏感电子材料 917

第一节　敏感材料的分类 917

一、主要的敏感材料 917

二、氧化物材料的电学性质 921

第二节 力敏感材料 924

一、主体材料 924

二、掺杂材料 928

三、力敏材料的发展动向 929

第三节 热（湿）敏材料 929

一、热电偶材料 930

二、氧化物半导体热敏电阻材料 931

第四节　磁敏材料 940

一、半导体磁敏电阻 940

二、强磁性材料 943

第五节 湿敏与气敏材料 945

一、湿敏材料 945

二、气敏材料 950

第六节 离子敏材料 957

第七节 电压敏感电阻器材料 959

一、电压敏感材料 959

二、ZnO系压敏电阻陶瓷 961

三、SiC系和BaTiO3系压敏电阻陶瓷材料 963

四、SrTiO3压敏电阻器材料 964

第八节 有机敏感电子材料 964

一、有机敏感电子材料概述 964

二、压电高分子材料 965

三、光敏高分子材料 969

四、湿敏有机高分子材料 972

第三十二章　纳米材料及其制备技术 976

第一节 纳米磁性材料 976

一、纳米磁性材料的基本概念与介观磁性 976

二、什么是纳米磁性材料 978

三、纳米磁性材料的应用 984

第二节 纳米陶瓷材料 986

一、纳米陶瓷的基本概念 986

二、纳米陶瓷粉体及薄膜的制备技术 987

三、纳米陶瓷的性能 988

第三节　硅基纳米发光材料 989

一、多孔硅发光材料 989

二、硅基低维发光材料 990

第四节 纳米碳分子材料 992

一、纳米巴基球材料 992

二、纳米碳管 995

第三十三章　精细（高分子）化工材料及其加工技术 998

第一节 智能高分子材料 998

一、智能高分子 998

二、控制释放材料 1002

三、形状记忆树脂 1010

第二节 液晶高分子材料 1014

一、基本概念 1014

二、液晶高分子的类型及合成方法 1016

第三节 吸水性高分子材料 1022

一、淀粉类吸水性高分子 1022

二、纤维类高吸水性树脂 1026

三、合成类高吸水性树脂 1030

四、天然高分子吸水性材料 1033

五、其它高吸水性树脂 1036

第四节 导电高分子材料 1039

一、导电性高分子 1039

二、导电薄膜 1042

三、导电橡胶 1043

四、导电纤维 1045

六、导电胶粘剂 1046

七、压电高分子材料 1050

八、高分子磁性材料 1053

九、导电塑料 1055

第五节 感光性高分子材料 1058

一、感光性高分子的类型 1058

二、感光性高分子的合成方法 1059

三、感光性高分子的功能性质 1060

四、感光性高分子的应用 1061

第六节 高分子催化剂 1062

一、高分子催化剂 1062

二、高分子试剂及其它 1066

第七节 离子交换树脂材料 1070

一、离子交换树脂和离子交换纤维 1070

二、吸附树脂与活性碳纤维 1073

第八节 高分子膜材料 1076

一、分类 1076

二、膜分离原理及应用 1078

三、其他功能膜材料 1080

第三十四章　精细陶瓷 1083

第一节 生产原理 1083

一、原料制备技术 1083

二、成型技术 1085

三、烧结技术 1094

第二节　制备工艺技术 1103

一、评价、测试技术和材料设计 1104

二、应用评价技术 1111

三、氮化铝粉末制备 1112

四、氮化铝陶瓷制备技术 1114

五、氮化硼粉末制备 1116

六、氮化硼陶瓷制造工艺 1118

七、立方氮化硼制造工艺 1118

第三十五章　结构陶瓷及其加工工艺 1120

第一节　氧化物陶瓷及其复合材料 1120

一、氧化铝结晶构造 1120

二、氧化铝粉体的制造方法及分类 1122

三、氧化铝陶瓷的制造工艺 1126

第二节 氮化物陶瓷及其复合材料 1131

一、氮化硅 1131

二、粉体制备工艺 1134

三、氮化硅陶瓷制造工艺 1136

四、氮化硅基复合材料 1144

五、氮化硅纤维与氮化硅晶须 1146

六、氮化硅陶瓷应用 1147

第三节　碳化物陶瓷及其复合材料 1148

一、碳化硅陶瓷及其复合材料 1148

第三十六章 （电子）功能陶瓷加工工艺 1156

第一节 绝缘装置瓷 1156

一、滑石瓷 1158

二、MgO-Al2O3-SiO2三元系陶瓷 1158

第二节 电容器陶瓷 1160

第三节 微波陶瓷 1162

第四节 压电陶瓷 1164

一、压电效应和压电材料的主要特性参数 1164

二、压电陶瓷材料 1166

三、压电复合材料 1173

第五节 热释电陶瓷 1174

第六节 半导性陶瓷 1175

一、半导性BaTiO3系正温度系数热敏电阻（PTCR）材料 1175

二、ZnO压敏半导体陶瓷及其应用 1190

三、晶界层电容器及其中的半导性陶瓷 1194

第七节 离子导电陶瓷 1196

一、钠离子导体 1196

二、锂离子导体 1198

三、银、铜离子导体 1199

四、氢离子导体 1199

第三十七章　真空与金属材料 1201

第一节 特种W、Mo合金 1201

一、W—Cu和Mo—Cu合金 1201

二、W—Re合金 1202

第二节 强化铜和弥散无氧铜 1204

一、非弥散强化铜 1204

二、弥散强化无氧铜 1205

第三节 真空电子器件用吸气剂 1206

一、单质型（Zr、Ti）吸气剂 1207

二、锆铝吸气剂 1207

三、锆石墨吸气剂 1208

四、锆钒铁吸气剂 1208

第四节 真空电子器件用阴极 1208

一、钡钨阴极的改进型 1209

二、氧化物阴极 1210

三、大电流密度的新型阴极 1210

第五节　其它特种材料 1212

一、钯－钡合金 1212

二、真空微电子器件用材料 1213

第三十八章　印制电路板用基材料及其生产技术 1216

第一节 基板材料的生产制造与主要性能 1216

一、主要原材料 1216

二、生产过程与工艺原理 1217

三、主要性能要求 1220

四、各类型基板材料性能特性对比 1222

第二节　纸基基板材料用酚醛树脂 1223

一、对反应影响的主要因素 1226

二、桐油树脂分子量及分子量分布 1228

一、双酚A型环氧树脂 1229

二、环氧玻璃布基基板材料树脂漆的组成与特性 1231

三、基板材料主要性能与环氧树脂的关系 1236

四、基板材料用环氧树脂制造技术 1240

五、高性能树脂 1244

第四节 积层多层板制造用绝缘树脂 1266

一、积层多层板用感光性树脂 1266

二、积层多层板用热固性树脂 1272

三、积层多层板用附树脂铜箔 1274

第三十九章 电子材料质量检测依据 1276

第一节　物理学基础 1276

一、粒子与波 1276

二、原子、分子结构与光谱 1282

第二节 晶体学基础 1291

一、晶体结构 1291

二、晶体的对称性 1294

三、晶面与晶向 1300

第四十章 电子材料质量光学检测法 1306

第一节 光的检测与光学显微分析 1306

一、光的检测 1306

二、光学显微分析 1308

第二节　光学光谱检测 1337

一、原子发射光谱仪 1338

二、光量计 1348

第四十一章 电子材料质量电磁检测法 1349

第一节 涡流检测 1349

一、涡流检测原理、方法、应用范围 1349

二、涡流检测的优缺点 1351

四、非常规涡流检测技术 1352

第二节　磁粉检测 1377

一、磁粉检测 1377

第三节 漏磁检测 1393

一、漏磁场信号的形成 1393

二、漏磁检测的应用和装置 1396

第四节　微波检测 1400

一、微波与微波检测原理 1400

二、微波检测方法与应用 1405

第五节 电位检测 1410

一、电位检测原理 1410

二、电位法检测仪、探头和应用 1413

第四十二章 电子材料质量X射线检测法 1416

第一节 X射线的检测 1416

一、光学检测法 1416

二、光子检测器 1417

第二节　粉末衍射检测 1420

一、粉末衍射仪 1420

二、样品制备与扫描测试 1426

三、单相物质的晶型分析 1426

四、物质的物相定性分析 1428

五、物质的物相定量分析 1432

六、点阵常数的精确测定 1436

七、宏观应力分析 1440

八、微晶尺寸和微观应力的测试 1443

第三节　单晶衍射分析 1444

一、劳埃法 1444

二、旋转晶体法 1447

三、多晶织构分析与针孔法 1449

第四节 X射线光谱分析 1455

一、X射线荧光谱仪 1456

第四十三章 电子材料质量电子束检测法 1469

第一节 电子的检测 1469

一、光学方法 1469

二、电子检测器 1469

三、透射电子显微镜 1470

第二节　透射电子显微镜 1475

一、电子衍射图像分析 1475

二、透射电子显微图像分析 1487

第三节　扫描电子显微分析 1498

一、样品制备 1500

二、扫描图像分析 1500

三、微区成分分析 1502

四、晶体学分析 1503

第四节　表面检测 1505

一、低能电子衍射 1505

二、俄歇电子能谱 1507

三、X射线光电子能谱 1511

第四十四章 电子材料质量离子束检测法 1514

第一节 离子的检测 1514

一、光学检测方法 1514

二、电检测方法 1515

第二节　质谱分析 1516

一、质谱仪基本结构 1517

二、质谱仪主要性能与质谱图 1521

三、质谱分析方法 1522

第三节 离子作为探束的表面检测 1524

一、离子散射谱 1524

二、二次离子质谱 1528

三、离子显微镜 1533