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《金属一氧化物一半导体场效应晶体管电路设计》目录
目 录 1
符号表 1
第一章MOS场效应晶体管入门 1
1.1 MOS的工作原理 3
1.2特性曲线 4
1.3数字电路 6
1.4 速度 9
1.5互补结构 11
1.6 MOS工艺展望 12
第二章工作原理 17
2.1定性分析 18
2.2定量分析 22
2.3阈电压的附加考虑 36
2.4 MOS方程和器件符号的总结 47
第三章 MOS特性及其与方程的相互关系 52
3.1饱和区 52
3.2三极管区 66
3.3迁移率 70
第四章瞬态响应 75
4.1 截止频率 75
4.2 MOS的开关速度 77
第五章MOS集成电路基本概念 95
5.1作负载电阻用的MOS 96
5.2 MOS倒相器 103
5.3基本的积木式单元 116
5.4冗余件(对MO)S电路是很理想的) 121
5.5用电容存储原理来简化电路 122
5.6主从触发器 126
5.7一种实际集成电路的介绍 128
第六章模拟电路 135
6.1共源放大器 135
6.2源跟随器 137
6.3共栅放大器(栅接地) 140
6.4各种放大器组态 141
附录 150
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