1977年砷化镓及其它Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体会议文集PDF电子书下载

目 录 1

综 合 报 告 1

1．砷化镓材料的研究与应用的现状 冶金部有色金属研究院 万群 秦福等 1

2．杂质和缺陷在砷化镓中的行为 中国科学院半导体研究所 林兰英 王占国 23

3．砷化镓和有关化合物的深能级结构缺陷及其实际含义 中国科学院上海冶金研究所 邹元燨 48

4．砷化镓激光二极管发展状况及与材料的关系 中国科学院半导体研究所 庄蔚华 59

5．砷化镓体效应器件微波性能与材料之间的联系 中国科学院半导体研究所 徐寿定 林兰英 83

6．氧离子注入砷化镓的研究 四机部一四一三研究所 邓先灿（执笔） 102

7．Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体发光材料的进展 北京有色金属研究所 李作林 葛惟锟 胡雅南等 109

8．GD76-1型高压单晶炉试制技术总结 四机部一四一三研究所 胥崇禧 祝明廉 李华棣 高书增 121

9．耿氏管对砷化镓纯度外延材料的要求 中国科学院上海冶金研究所 吴鼎芬 陈芬扣 卢建国 周永泉 石华君 倪企民 刘月琴 唐秀花 134

10．高纯度镓、砷分析近况 峨嵋半导体材料研究所 郑德贵 杨南生 143

11．超纯元素分析进展概况 沈阳冶炼厂 吴锦瑛 147

砷化镓的晶体生长 153

12．水平法生长砷化镓晶体中位错的产生及其排除机构 中国科学院半导体研究所 褚一鸣 何宏家 153

13．水平法生长无位错掺硅砷化镓单晶 中国科学院半导体研究所砷化镓单晶组 营口火柴厂新产品车间 165

14．高纯砷化镓水平单晶的制备和热处理 沈阳冶炼厂 东北工学院 中国科学院 邹元嬟 陆乃琨 （执笔） 173

上海冶金研究所 三结合研究小组 184

15．水平区熔法生长掺硅砷化镓单晶 中科院上海冶金所 莫培根 廖丽英 谭丽芳 陆启东 顾霞敏 184

16．水平法生长掺碲〈112〉砷化镓单晶 长春半导体厂 张士剑 189

17．激光窗口材料高阻砷化镓的初步研究 上海金陵无线电厂 李谋忠中国科学院上海冶金研究所 水海龙 徐涌泉 杨金华 192

18．液封法生长低位错大直径〈100〉砷化镓单晶 复旦大学 余志海 余夕同（执笔） 196

19．液封直拉法生长掺硅砷化镓单晶 中国科学院上海冶金研究所 杨金华 徐涌泉 王德宁 水海龙 202

20．高纯砷制备过程中某些杂质进一步去除的研究 中国科学院上海冶金研究所 沈阳冶炼厂 东北工学院 208

三结合研究小组 陆天岳 候廷显（执笔） 216

21．石英材料的高温氯化氢处理 中国科学院上海冶金研究所 东北工学院 沈阳冶炼厂 216

三结合研究小组 钱家骏 邹元燨（执笔） 225

22．从砷化镓废料中回收金属镓 冶金部有色金属研究院 黄文君 尹庆民 225

砷化镓的气相外延与液相外延 228

23．砷化镓材料热学稳定性的初步研究——n+外延工艺热循环引起的退化 中国科学院半导体研究所 王占国 林兰英 228

24．砷化镓气相掺杂外延的研究——掺杂外延层的均匀性 上海无线电十七厂 黄仲勋 中国科学院上海冶金研究所 彭瑞伍 徐晨梅 243

25．砷化镓气相掺杂外延的研究——掺杂外延层质量的几个重要参数 中国科学院上海冶金研究所 彭瑞伍 孙裳珠 沈松华 254

26．砷化镓气相双层掺杂外延 峨嵋半导体材料研究所 马兴援 周明安 严新国 266

27．厚层纯度砷化镓气相外延 四机部一四四六研究所 王凤 窦文莉 王光中 270

28．用于耿氏器件的纯度砷化镓气相外延 中国科学院上海冶金研究所 陆凤贞 莫金玑 江文达 277

29．双管道纯度外延砷化镓 峨嵋半导体材料研究所 杜少甫 287

30．用于1.25公分及8毫米耿氏管的砷化镓外延片的制备 上海第二冶炼厂 刘安民（执笔） 289

31．掺锡的砷化镓气相外延 四机部一四四六研究所 294

32．立式炉生长掺杂n型砷化镓外延薄膜 四机部一四二五研究所 程琪祥（执笔） 300

34．用于耿氏器件的液相外延砷化镓 冶金部有色金属研究院 丁墨元 310

35．砷化镓液相外延 中国科学院上海冶金研究所 李爱珍 杨倩志 王振英 邱健华 李存才 孙秋霞 316

36．砷化镓液相外延 四机部一四二五研究所 夏德谦（执笔） 327

37．稳态垂直温度梯度液相外延 中国科学院半导体研究所 涂相征 仇兰华 田树林 李秀兰 梁凯璇 333

33．液相外延砷化镓的纯度和迁移率刽子手的初步探讨 中国科学院上海冶金研究所 施惠英 余海生 李连生 马振国 任尧成 邹元燨 340

38．砷化镓衬底的化学－机械抛光 中国科学院上海冶金研究所 周慧英 343

其他Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体 349

39．溶质扩散法制备大直径的磷化镓晶体 冶金部有色金属研究院 刘锡田（执笔） 349

40．合成溶质扩散工艺制备磷化镓晶体 上海有色金属研究所 孙献元 施杏娣 黄世金 陶和永 359

41．磷化镓低温合成及高压液封垂直梯度冷凝法生长晶锭 复旦大学 唐厚舜 赵培高 刘岳田 夏冠群 365

42．竖式外延炉一次液相外延磷化镓 上海科学技术大学 化合物半导体组 372

43．掺氮磷化镓的液相外延工艺 上海有色金属研究所 沈勇将 王伟茵 陈永流 候月英 齐甸农 375

44．用于绿色发光管的磷化镓液相外延 冶金部有色金属研究院 李桂英 胡致梅 380

45．磷化镓绿色发光二极管p-n结的液相外延生长 中国科学院上海冶金研究所 邬祥生 潘慧珍 黄磊 唐嫱妹 387

46．液相外延掺氮磷化镓绿色发光材料 复旦大学 唐厚舜 刘岳田 赵培高 夏冠群 392

47．液相外延制备磷化镓红光发射结 中国科学院上海冶金研究所 潘慧珍 邬祥生 唐嫱妹 401

48．磷化镓绿色发光的初步探索 北京有色金属研究所 陈其晖 姜学昭等 409

49．用直拉法在高压单晶炉内制备磷化铟材料 四机部一四一三研究所 孙同年（执笔） 413

50．掺铬半绝缘磷化铟单晶的制备 上海有色金属研究所 陆建村 舒渝生 秦芳 陈钟铭 江魁元 419

51．水平区熔法拉制磷化铟单晶 峨嵋半导体材料研究所 第三研究室 423

52．半绝缘衬底上磷化铟的气相外延 上海有色金属研究所 陆文龙 陈从芳 廖正白 岑泳霞 纪洪先 427

53．磷压法生长GaAS1-xPx的最佳条件和特性 复旦大学 方志烈（执笔） 431

54．磷砷化镓的元素法立式外延炉生长 复旦大学 方志烈（执笔） 439

55．磷砷化镓中掺氮研究 北京有色金属研究所 三室磷砷化镓组 445

56．磷砷化镓发光材料的制备 上海无线电十七厂 伍烈城 448

57．液封直拉法制备砷化铟单晶 峨嵋半导体研究所 汪鼎国 452

58．水平法制备砷化铟单晶 上海第二冶炼厂 谢克敏（执笔） 456

59．掺镍锑化铟的研制 葫芦岛锌厂 赵忠义 李玉珍 徐忠福 赵鸿鸣 459

60．砷化镓材料物理测试方法的几个问题 中国科学院半导体所 江德生 466

测试与器件 466

61．磷化镓、磷砷化镓绿－黄－红发光二极管的三种效率测定与计算 中国科学院吉林物理研究所 胡恺生 付德惠 王永珍 474

62．半导体发光二极管外量子效率的测量 上海科学技术大学 斯崇奎 徐国忠 484

63．测定半导体中深能级杂质的弛豫电容图示仪 中国科学院上海冶金研究所 邵永富 汪乐 周炳林 489

64．红外反射法测定1微米左右n-n+GaAs外延层厚度 冶金部有色金属研究院 倪维真 498

65．n型砷化镓总电离杂质浓度计算图 东北工学院 钱家骏 506

66．室温连续工作的砷化镓平面条形双异质结激光器 吉林大学 段树坤（执笔） 510

67．光电压光谱法测定Ga As1-xPx外延层组成 复旦大学 汪乃兴 邱德仁（执笔） 515

68．二次谐波法半导体杂质浓度分布图示仪 复旦大学 王昌平 522

69．二次谐波法测量杂质纵向分布 长春半导体厂 盛国祥 533

70．掺硅砷化镓液相外延生长红外发光二极管p-n结 中国科学院上海冶金研究所 李爱珍 潘慧珍 杨倩志 唐嫱妹 邱建华 541

71．重掺砷化镓材料的阴极萤光 中国科学院半导体研究所 李成基 葛玉茹 郑国宪 553

上海电器电子元件厂 曹自立 陈国建 553

72．Ga1-xAlxAs和GaAs1-xPx材料的电子探针测量 中国科学院半导体研究所 李成基 葛玉茹 郑国宪 558

73．砷化镓材料的光致发光测试 中国科学院上海冶金研究所 苏千武 朱文玉 王绍勃 钟金权 564

74．阶跃恢复法测定砷化镓结型（p-n结和m-s结）二极管的载流子寿命 中国科学院上海冶金研究所 王渭源 上海无线电二十一厂 张镇瑶 伍炳权 571

75．锌扩散砷化镓红外发光二极管 中国科学院上海冶金研究所 黄磊 邬祥生 孙秋霞 579

上海电器电子元件厂 曾自立 毕志莫 李慧珍 579

76．Ni·Cr-nGaAs肖特基势垒变容管的研究 管丽民 余文杰 肖忠跃 杨新民 中国科学院上海冶金研究所 沈彭年 胡素英 邱月英 邬慧娟 586

詹千宝 李光云 张俊岳 595

77．砷化铟磁阻元件试制 复旦大学　董树忠 钱佑华 曹厚钧 连红 王兴达 595

78．液相外延用数模式恒速降温仪 上海有色金属研究所 陶阿虎 周泽汉 吴明清 597