电晶体电路全集PDF电子书下载

第一章 半导体物理 1

1-1 锗与矽原子 1

1-2 锗与矽晶体 2

1-3 纯质锗与矽之导电 3

1-4 电洞观念 5

1-5 外质半导体 7

第二章 p·n接头二极体 13

2-1 p-n接头 13

2-2 p-n接头之整流性质 15

2-3 半导体二极体之电流电压特性 17

第三章 大信号二极体近似解 25

3-1 理想二极体 25

3-2 实际二极体之第二近似解 31

3-3 实际二极体之第三近似解 34

3-4 利用二极体近似解 37

3-5 逆向电流近似解 38

3-6 齐纳三极体 40

3-7 齐纳二极体第二近似解 44

4-1 重叠定理 53

第四章 小信号二极体近似解 53

4-2 重叠定理用於电路中 55

4-3 二极体交流电阻 63

4-4 二极体交流电阻公式 65

4-5 使用重叠定理於二极体电路 70

4-6 逆向区域之二极体电容 75

第五章 共同基极近似解 85

5-1 术语与线路符号 85

5-2 电晶体之偏压 87

5-3 共同基极电晶体电流电压特性 89

5-4 电晶体之Alpha 92

5-5 理想电晶体 94

5-6 使用重叠定理分析共同基极电路 100

5-7 复杂交流等效电路 103

5-8 共同基极分析公式 109

5-9 电压与电流记号 118

第六章 共同射极近似解 127

6-1 共同射极连接电流电压特性 127

6-2 电晶体之Beta 130

6-3 理想共同射极电晶体 131

6-4 电晶体基极偏压 135

6-5 电晶体射极偏压 138

6-6 分析共同射极电晶体电路 144

6-7 射极偏压级电压增益 150

6-8 电源电阻效应 154

6-9 真空管与电晶体之转换 157

7-1 共同集极连接基本观念 169

第七章 共同集极近似解 169

7-2 导出共同集极公式 171

7-3 达灵顿（Darlington）一对 181

第八章 大信号工作 189

8-1 直流负载线 189

8-2 负载线解释交流信号 197

8-3 交流负载线 200

8-4 获得最大未剪波信号 206

8-5 p-n-p负载线 210

8-6 共同射极连接之负载线 213

8-7 共同集极连接之负载线 217

8-8 阴极随耦器交流负载线 220

第九章 偏压安排 229

9-1 β灵敏度之观念 229

9-2 基极偏压 231

9-3 射极回授之基极偏压 234

9-4 集极回授之基极偏压 238

9-5 集极与射极回授之基极偏压 243

9-6 二电源供给之射极偏压 247

9-7 单一电源供给之射极偏压 253

9-8 灵敏度之比较 260

9-9 接地点之位置 261

9-10 P-N-P位晶体之偏压 264

第十章 交流工作 277

10-1 共同射极工作 277

10-2 共同射极电路之？流分析 279

10-3 射极回授 288

10-4 共同集极工作 296

10-5 共同基极工作 300

10-6 信号电源电阻效应 304

10-7 稳定信号电源至输出之电压增益 307

10-8 P-N-P工作 312

10-9 接地点 313

10-10 最大信号摄取能力 314

第十一章 串级 327

11-1 电阻电容交流 327

11-2 二级回授 334

11-3 电感交连 340

11-4 变压器交连 342

11-5 调谐放大器 347

11-6 直接交连放大器 350

第十二章 温度效应 361

12-1 射极接头电阻之改变 361

12-2 β之改变 363

12-3 VBE之改变 364

12-4 基极接地电路之泄漏电流 367

12-5 射极接地之泄漏电流 372

12-6 稳定因素 375

13-1 电阻电容交连放大器之响应 387

第十三章 频率响应 387

13-2 典型共同基极级之低频截止 388

13-3 共同基极级之高频截止 392

13-4 共同射极放大器低频截止 396

13-5 电晶体截止频率 400

13-6 基极分布电阻 403

13-7 共同射极级高频限制 405

13-8 串级响应 409

14-1 h参数观念 417

第十四章 h参数 417

14-2 网路之输入阻抗 423

14-3 使用h参数之电压增益 427

14-4 电晶体之h参数 429

14-5 理想共同集极电晶体之h参数 432

14-6 理想共同射极电晶体之h参数 436

14-7 h参数之转换 441

14-8 对h参数之实际观察 443

第十五章 场效电晶体 449

15-1 接头场效电晶体 449

15-2 JFET泄极曲线组 450

15-3 JFET的偏压 453

15-4 JFET的交流操作 456

15-5 源极随耦器 459

15-6 空乏-增强型MOSFETs 460

15-7 增强型MOSFETs 464

15-8 MOSFETs的偏压 465

15-9 MOSFETs电路的交流分析 467

15-10 FET与变极电晶体的对比 469

16-1 变抗二极体 477

第十六章 特殊二极体 477

16-2 步级回复二极体 479

16-3 萧特基二极体 482

16-4 反向二极体 483

16-5 透纳二极体 484

16-6 p-i-n二极体 486

第十七章 闸闩装置 495

17-1 理想闸闩 495

17-2 四层二极体 500

17-3 矽控整流器（SCR） 505

17-4 其他类的SCR 512

17-5 矽控开关（SCS） 513

17-6 Diac 515

17-7 Triac 516

17-8 单接头电晶体（UJT） 518

17-9 UJT电路 522

第十八章 光电装置 531

18-1 光射二极体 531

18-2 光射二极体的排列 533

18-3 雷射二极体 534

18-4 光电阻 539

18-5 光二极体 540

18-6 光电晶体 542

18-7 光侦测器的排列 545

18-8 光隔绝器 546

参考书目 553

问题答案 555

希腊符号 569

索引 572