微电子学：数字和模拟电路及系统 上PDF电子书下载

目录 1

序 1

引言 1

第一部分　半导体器件特性 10

第一章　半导体 10

1-1 带电粒子 10

1-2 场强、电位、能量 12

1-3 能量的电子伏特（eV）单位 13

1-4 迁移率和电导率 13

1-5 本征半导体中的电子与空穴 16

1-6 施主杂质和受主杂质 18

1-7 半导体中的电荷密度 19

1-8 锗和硅的电气性质 20

1-9 霍尔效应 22

1-10　热敏电阻和硅（正温度系数热敏）电阻 23

1-11　扩散 24

1-12　梯度半导体内的电位变化 25

1-13　扼要重述 26

参考文献 27

复习题 27

第二章　结型二极管特性 29

2-1 开路状态的pn结 29

2-2 pn结整流器 31

2-3 伏安特性 33

2-5 二极管电阻 36

2-4 温度对伏安特性的影响 36

2-6 空间电荷电容（过渡电容）CT 37

2-7 二极管内少数载流子的存储 40

2-8 扩散电容 42

2-9 击穿二极管 43

2-10　作为电路元件的二极管 45

2-11　负载线概念 46

2-12　二极管的分段线性化模型………………………………………………………………………………？2-13　结型二极管的开关时间 48

参考文献 49

复习题 50

第三章　双极型晶体管特性 52

3-1 结型晶体管 52

3-2 晶体管电流的组成 54

3-3 作为放大器的晶体管 56

3-4 晶体管的结构 56

3-5 共基（CB）组态 58

3-6 共射（CE）组态 61

3-7 共射截止电流 64

3-8 共射饱和区 65

3-9 晶体管结电压的典型值 67

3-10　共射电流增益 70

3-11　倒置工作方式 71

3-12　晶体管的额定值 71

3-13　晶体管的其他特性 73

3-14　晶体管的开关时间 73

参考文献 75

复习题 76

第四章　集成电路：制作与特点 78

4-1 集成电路（微电子）工艺 78

4-2 基本单片集成电路 79

4-3 外延生长 83

4-4 掩模与蚀刻 83

4-5 杂质的扩散 84

4-6 单片电路晶体管 85

4-7 单片二极管 88

4-8 金属-半导体接触 89

4-9 集成电阻 91

4-10　集成电容 93

4-11　集成元件的特点 94

4-12　单片电路布局 95

4-13　其他隔离方法 97

参考文献 98

复习题 99

5-1 系统的数字（二进制）工作方式 101

第五章　数字电路 101

第二部分　数字电路与系统 101

5-2 或门 103

5-3 与门 105

5-4 非门电路（反相器） 106

5-5 禁止（使能）操作 108

5-6 异或电路 109

5-7 德·摩根定律 111

5-8 与非和或非二极管-晶体管逻辑（DTL）门 112

5-9 改进（集成电路）DTL门 114

5-10　高阈值逻辑（HTL）门 118

5-11 晶体管-晶体管逻辑（TTL）门 118

5-12　输出级 120

5-13 电阻-晶体管逻辑（RTL）和直接耦合晶体管逻辑（DCTL） 123

5-14　射极耦合逻辑（ECL） 125

5-15　逻辑系列的比较 129

复习题 132

参考文献 132

第六章　组合数字系统 134

6-1 标准门组件 134

6-2 二进制加法器 136

6-3 运算功能 141

6-4 数字比较器 142

6-5 奇偶校验器／发生器 145

6-6 译码器／多路输出选择器 146

6-7 数据选择器／多路转换器 149

6-8 编码器 151

6-9 只读存储器（ROM） 155

6-10　ROM的二元寻址 157

6-11　ROM的应用 159

参考文献 162

复习题 162

第七章　时序数字系统 165

7-1 一位存储器 165

7-2 时钟控制的S-R触发器 167

7-3 J-K,T和D触发器 169

7-4 移位寄存器 173

7-5 脉动（异步）计数器 178

7-6 同步计数器 181

7-7 计数器的应用 184

参考文献 186

复习题 187

第八章　场效应晶体管 189

8-1 结型场效应晶体管（JFET） 189

8-2 JFET的伏安特性 191

8-3 JFET的制作 193

8-4 增强型金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET） 194

8-5 耗尽型MOSFET 199

8-6 工艺上的改进 200

8-7 MCSFET反相器 203

8-8 MOSFET逻辑门 208

8-9 互补型MOSFET 210

复习题 214

参考文献 214

第九章　大规模集成系统 216

9-1 动态MOS移位寄存器 216

9-2 无比型移位寄存器级 219

9-3 MOS只读存储器 221

9-4 可擦可编只读存储器（EPROM） 224

9-5 可编程逻辑阵列（PLA） 227

9-6 随机存取存储器（RAM） 229

9-7 读／写存储单元 233

9-8 电荷耦合器件（CCD） 238

9-9 CCD结构 241

9-10　CCD存储的组成 246

9-11　微处理器和微型计算机 249

9-12　集成注入逻辑（I2L） 252

9-13　注入逻辑电路 256

参考文献 259

复习题 261