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目 录 1

译者的话 1

第一章晶体生长方法导论 1

1-1 引言 1

1-2晶体生长的文献 1

1-3固相生长方法 2

1-4熔体生长方法 2

1-5区域熔炼 4

1-6汽相生长方法 4

1-7 α因子分类法 5

1-8结论 6

第二章成核和生长理论 10

2-1 引言 10

2-2 晶体模型 11

2-3过饱和、过冷和体积能 13

2-4三维成核 15

2-5晶体表面的生长 22

2-6晶体生长中的材料和热流 27

2-7晶体形态的动力学成因 28

第三章界面稳定性理论 33

3-1引言 33

3-2组分过冷 34

3-3平界面稳定性的动力学理论 38

3-4熔化界面 48

3-5有对流时平凝固界面的稳定性 54

3-6在过冷液相中生长的固相球体的稳定性 58

3-7在过冷液相中生长的固相圆柱体的稳定性 65

3-8枝蔓晶体和共晶的稳定性 73

3-9结论 74

第四章区域熔化及其应用技术 78

4-1 引言 78

4-2区域熔化的理论概述 79

4-3影响区域熔化实践的因素 97

4-4区熔设备的设计和选择 101

4-5区域熔化技术的新进展 108

4-6非常规技术和联合技术 109

4-7结论 113

第五章砷化镓单晶体和薄膜的生长 118

5-1 引言 118

5-2相平衡和蒸气压 118

5-3理想配比和点缺陷 120

5-4块状晶体的生长 122

5-5外延薄膜 124

5-6结晶缺陷 135

5-7结论 136

第六章熔盐法 138

6-1 引言 138

6-2助熔剂的选择 138

6-3相图测定 140

6-4生长机理 142

6-5生长稳定性 144

6-6一般实用原理 146

6-7缓慢冷却法 147

6-8限制成核的方法 152

6-9加籽晶生长 152

6-10溶剂蒸发法 153

6-11温度梯度法 153

6-12其他方法 156

6-13晶体缺陷 157

6-14结论 159

7-1引言：方法的通用性与局限性 162

第七章 自发成核熔盐法的实际应用 162

7-2文献 163

7-3装置 166

7-4坩埚 168

7-5成核 173

7-6溶质扩散和晶体生长 178

7-7关于氧化物材料用的助熔剂的标志 187

7-8关于氟化物材料用的助熔剂的注释 204

7-9讨论 207

7-10结论 215

第八章工业结晶法 225

8-1过饱和、成核和生长 226

8-2结晶方法和设备 237

8-3结晶器的设计和操作 245

第九章晶体生长环境的建立、测量和控制 253

9-1引言 253

9-2温度 254

9-3气氛 290

9-4容器材料 297

9-5生长速度 299

9-6结语 299

第十章汽相生长 304

10-1引言 304

10-2汽相生长原理 304

10-3物理输运技术 306

10-4化学输运技术 311

10-5成核与外延膜的继续生长 317

10-6归纳和结论 323

第十一章熔融金属溶液生长法 326

11-1引言 326

11-2相关系 332

11-3动力学 339

11-4熔融金属溶液生长法 342

11-5从熔融金属溶液中长出的半导体的性能 357

12-1引言 381

第十二章晶体提拉法 381

12-2熔体 382

12-3坩埚 383

12-4加热和控制的方法 385

12-5 引晶 387

12-6保护气氛 389

12-7拉速和转速 389

12-8 掺杂 391

12-9后加热器 392

12-10典型生长条件的例子 393

第十三章在压力下生长晶体的方法 398

13-1引言 398

13-2电阻加热 399

13-3感应加热 404

13-4用液封法（L.E.）生长晶体 412

13-5新方法展望 419

13-6摘要和结论 420

14-1生长方法 422

第十四章水溶液法 422

14-2晶相 423

14-3晶体生长装置 424

14-4水热法生长晶体 428

14-5晶体形态和生长速率 432

14-6晶体缺陷 434

第十五章枝蔓生长 436

15-1引言 436

15-2枝蔓生长的影响 439

15-3引起枝蔓生长的不稳定因素 442

15-4 “稳态”枝蔓生长速度 443

15-5实验数据与理论推算值的比较 448

15-6附录 451

第十六章液晶 454

16-1 引言 454

16-2由纯二亲性化合物形成的热致液晶 457

16-3由二亲性化合物形成的溶致液晶 467

16-4多肽类溶液的胆甾型介晶相 471

16-5生物体中的液晶 472

16-6热致液晶的应用 474

第十七章晶体完美性的鉴定 480

17-1引言 480

17-2体缺陷、面缺陷、线缺陷和点缺陷 480

17-3晶体缺陷的阈值浓度 483

17-4测定结构欠完美性的方法 484

主题索引 503