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目 录 1

绪论 1

第一章半导体物理基础 1

第一节 量子论简述 1

第二节 波函数和薛定锷方程 8

第三节 晶体的能带 19

第四节 平衡载流子浓度计算 32

第五节 非平衡载流子 40

第六节 载流子的运动 49

习题 60

参考文献 62

附录 63

［A1-1］电子能量与波矢的关系 63

［A1-2］波包的运动速度 65

［A1-3］复合率公式 66

第二章PN结 69

第一节 概述 69

第二节 PN结的伏安特性 75

第三节 PN结反向击穿 89

第四节PN结的电容效应 104

第五节 二极管端部的金属化 110

第六节 二极管的特性分析 114

习题 124

参考文献 125

附录二 126

［A2-1］缓变结正向电流表达式 126

［A2-2］线性结的雪崩击穿电压 128

［A2-3］P+一i-N+二极管1区电压降UM的表达式 129

第三章功率晶体管 132

第一节 概述 132

第二节 晶体管的直流短路电流增益 135

第三节 晶体管的反向漏电流与击穿电压 146

第四节 大功率晶体管 150

第五节 晶体管的开关特性 164

第六节 功率MOS场效应晶体管 172

习题 184

参考文献 184

附录三 185

［A3-1］晶体管的低频小信号参数 185

第四章晶闸管 187

第一节 概述 187

第二节 阻断特性 195

第三节 门极特性 206

第四节 开通特性上 211

第五章 关断特性 225

第六节 耗散功率与散热 236

第七节 应用举例 240

习题 250

思考题 250

参考文献 250

附录四 251

（A4-1］注入效率表达式 251

［A4-2］基区输运因子表达式 252

［A4 3］dIA/dIg表达式 254

［A4-4］阴极短路点中心点间的横向电压降Uy表达式 255

［A4-5］温升与散热分析 257

第五章特殊晶闸管 261

第一节 高频晶闸管 261

第二节 逆导晶闸管 273

第三节 双向晶闸管 278

第四节 场控晶闸管 284

第五节 其他晶闸管 290

思考题 293

参考文献 293

附录五 294

［A5-1］挤流速度与蓄积时间 294

［A5-2］下降时间 297

第一节 太阳电池的发展 299

第六章大功率光电器件 299

第二节 太阳光与半导体 300

第三节 常规硅太阳电池 304

第四节 背面场硅太阳电池 312

第五节 聚光硅太阳电池 313

第六节 其他太阳电池 315

习题 317

思考题 317

参考文献 317

［A6-1］太阳光的聚集 318

附录六 318

第七章器件特性测试 320

第一节 晶闸管电参数测试 320

第二节 基本参数测量 325

第三节 太阳能电池特性测试 329

参考文献 332

附表 333

附表一 典型半导体材料的本征特性 333

附表二 硅和锗半导体材料的性质 333

附表三 常用物理常数 334

附表四 方块电阻的修正系数 335