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硅锗的性质
硅锗的性质

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工业技术

  • 电子书积分:11 积分如何计算积分?
  • 作 者:(德)Erich Kasper主编;余金中译
  • 出 版 社:北京:国防工业出版社
  • 出版年份:2002
  • ISBN:7118028835
  • 页数:251 页
图书介绍:《硅锗的性质》由31位来自德国、美国、加拿大、英国、日本等国Si基异质结构和应用领域的教授们撰稿,是一本论述SiGe/Si知识的权威性专著。《硅锗的性质》共七章,第一章综述了SiGe应变层系统的一些总体性质;第二章至第六章给出了应变的和弛豫的SiGe合金的具体材料性质,论述了SiGe材料的结晶学、异质结构、热学性质、力学和晶格振动、能带结构、输运特性、磁学特性、表面性质、光吸收和光谱等方面的内容;第七章介绍了一些代表性的SiGe/Si器件的结构和特性。 《硅锗的性质》是半导体领域的学者和工程技术人员的必读书,适于材料专业和半导体专业的科技人员、研究生、博士生阅读,还可供物理领域中的广大科技人员作为手册进行查阅。 继Si之后,SiGe/Si是研究得最多、最深入的一类Si基异质材料。应变的和弛豫的SiGe已经成为电子集成电路和光电子集成电路的非常重要的材...
《硅锗的性质》目录
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第一章 引言 1

1.1 应力引起的外延薄膜形貌不稳定性和成岛 1

1.2 SiGe/Si系统中失配位错网络的平衡理论 19

1.3 SiGe/Si系统中亚稳定变层的结构 33

第二章 结构特性 57

2.1 SiGe合金系的晶体结构、晶格常数和固—液相图 57

2.2 SiGe合金的有序性 62

2.3 Si/Ge界面:结构、能量和互扩散 73

第三章 热学、力学和晶格振动学性质 78

3.1 SiGe的弹性常数 78

3.2 SiGe的热力学性质 81

3.3 SiGe中的光学声子、声学声子和Raman光谱 92

第四章 能带结构 99

4.1 SiGe的能隙和能带结构及它们同温度的依赖关系 99

4.2 应变对SiGe价带结构的影响 107

4.3 应变对SiGe导带结构的影响 113

4.4 SiGe中的有效质量 117

4.5 SiGe异质结构和带偏移 125

4.6 SiGe的光谱 132

4.7 弛豫的SiGe合金的光学函数及应变对光学函数的影响 138

第五章 输运特性 151

5.1 SiGe/Si系中的电子和空穴的迁移率 151

5.2 Si/SiGe异质结的注入 163

5.3 SiGe/Si结构中的磁输运特性 181

第六章 表面性质 189

6.1 SiGe(100)表面的再构和键合构形 189

6.2 Si和Ge(001)面生长和退火中的原子台阶 194

6.3 Ge和掺杂原子在SiGe层生长过程中的分凝 199

第七章 Si基器件的结构和重要数据集锦 212

7.1 Si/SiGe/Si异质结双极型晶体管 212

7.2 n—MODFET用的应变调节方法:无应变SiGe、应变Si(1.5%) 225

7.3 SiGe p—MOSFET:SiGe(2.0%) 233

7.4 超薄SiGe超晶格应变对称性 239

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