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晶体管原理
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工业技术

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  • 作 者:张国忠主编
  • 出 版 社:天津:天津科学技术出版社
  • 出版年份:1983
  • ISBN:15212·110
  • 页数:173 页
图书介绍:
《晶体管原理》目录

目录 1

第一章 半导体物理基础 1

§1-1半导体 1

§1-2半导体中的能带 4

§1-3半导体中的载流子 11

§1-4费米能级 15

§1-5非平衡载流子 20

§1-6载流子的输运 28

§1-7半导体表面 43

§1-8晶格和缺陷 47

复习题一 56

第二章 PN结 58

§2-1PN结 58

§2-2PN结的电流—电压特性 61

§2-3空间电荷区中的复合—产生电流 69

§2-4空间电荷区的电场和宽度 73

§2-5PN结的击穿 86

§2-6PN结的电容效应 93

§2-7金属—半导体接触 97

复习题二 101

第三章 晶体管原理 103

§3-1晶体管的电流放大特性 103

§3-2晶体管的反向电流与击穿电压 117

§3-3晶体管的频率特性 122

§3-4晶体管的大电流和功率特性 131

§3-5晶体管的开关特性 140

复习题三 153

第四章 场效应晶体管 155

§4-1结型场效应晶体管 155

§4-2MOS场效应晶体管 161

复习题四 169

附录 170

一、室温(300K)下硅、锗、砷化镓及二氧化硅的主要性质 170

二、硅、锗电阻率与杂质浓度的关系 171

三、常用的物理常数 171

四、半导体器件型号命名方法 172

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