先进半导体材料性能与数据手册PDF电子书下载

第1章 氮化镓(GaN) 1

1.1 300K时的基本参数 1

1.2 能带结构和载流子浓度 3

1.2.1 能带结构与温度的关系 4

1.2.2 能带与静水压力的关系 7

1.2.3 异质界面能带的不连续 8

1.2.4 有效质量 8

1.2.5 施主和受主 9

1.3 电特性 11

1.3.1 迁移率和Hall效应 11

1.3.2 在AlGaN/GaN界面二维电子气的迁移率 16

1.3.3 高电场中的输运性质 18

1.3.4 碰撞电离 21

1.3.5 复合参数 22

1.4 光学特性 23

1.5 热特性 30

1.6 力学性质，弹性常数，晶格振动，其他特性 33

参考文献 38

第2章 氮化铝(AIN) 42

2.1 300K时的基本参数 42

2.2 能带结构和载流子浓度 44

2.2.1 能带结构与温度的关系 45

2.2.2 能带与静水压力的关系 46

2.2.3 异质界面能带的不连续 46

2.2.5 施主和受主 47

2.2.4 有效质量 47

2.3.1 迁移率和Hall效应 49

2.3 电特性 49

2.3.2 复合参数 51

2.4 光学特性 52

2.5 热特性 55

2.6 力学性质，弹性常数，晶格振动，其他特性 59

参考文献 62

第3章 氮化铟(InN) 66

3.1 300K时的基本参数 66

3.2 能带结构和载流子浓度 68

3.2.1 能带结构与温度的关系 68

3.2.3 异质界面能带的不连续 71

3.2.2 能带与静水压力的关系 71

3.2.4 有效质量 72

3.2.5 施主和受主 73

3.3 电特性 73

3.3.1 迁移率和Hall效应 73

3.3.2 高电场中的输运性质 77

3.3.3 碰撞电离 79

3.3.4 复合参数 79

3.4 光学特性 80

3.5 热特性 85

3.6 力学性质，弹性常数，晶格振动，其他特性 87

参考文献 90

第4章 氮化硼(BN) 93

4.1 300K时的基本参数 94

4.2 能带结构和载流子浓度 96

4.2.1 能带与静水压力的关系 100

4.2.2 有效质量 100

4.2.3 施主和受主 102

4.3 电特性 103

4.4 光学特性 103

4.5 热特性 110

4.6 力学性质，弹性常数，晶格振动，其他特性 119

参考文献 125

5.1 300K时的基本参数 129

第5章 碳化硅(SiC) 129

5.2 能带结构和载流子浓度 132

5.2.1 能带结构与温度的关系 134

5.2.2 能带与静水压力的关系 137

5.2.3 高掺杂浓度时能隙窄化 138

5.2.4 有效质量 141

5.2.5 施主和受主 142

5.3 电特性 146

5.3.1 迁移率和Hall效应 146

5.3.2 高电场中的输运性质 153

5.3.3 碰撞电离 158

5.3.4 复合参数 165

5.4 光学特性 169

5.5 热特性 188

5.6 力学性质，弹性常数，晶格振动，其他特性 198

参考文献 204

第6章 锗化硅(Si1-xGex) 211

6.1 300K时无应力体材料的基本参数 213

6.2 能带结构和载流子浓度 216

6.2.1 能带结构与温度的关系 219

6.2.2 带隙与静水压力的关系 222

6.2.3 应变引起的带偏移 222

6.2.4 有效质量 228

6.3 电特性 233

6.3.1 迁移率和Hall效应 233

6.3.2 二维电子气 234

6.3.3 二维空穴气 237

6.4 光学特性 239

6.5 热特性 244

6.6 力学性质，弹性常数，晶格振动，其他特性 249

参考文献 257

附录1 基本物理常数 261

附录2 元素周期表 262

附录3 六方晶体的直角坐标 263

附录4 纤锌矿晶体的第一布里渊区 264

附录5 闪锌矿结构 265

附录6 闪锌矿晶体的第一布里渊区 266

附加参考文献 267