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第一章 电子原件 1

1.1 理想的半导体二极体 1

1.2 二极体随温度变化的特性 5

1.3 二极体过渡电容 6

1.5 积体电路中的二极体 7

1.4 稽纳二极体 9

1.6 电晶体当作开关使用 10

1.7 电晶体特性的解析式子 12

1.8 截止时的电晶体 16

1.9 饱和状态时的电晶体开关 18

1.10 依伯—莫耳方程式应用於饱和状态 20

1.11 场效应电晶体 27

1.12 金—氧—半导体场效应电晶体 33

1.13 MOS开关 37

1.14 MOSFET开关的输入—输出特性 39

1.15 互补对称MOSFET 40

1.16 输入防护 44

1.17 二极积的开关速率 45

1.18 储存时间及过渡时间 47

1.19 肖特基二极体 48

1.20 双极电晶体的开关速率 49

1.21 FET元件的开关速率 53

1.22 上升及下降时间和延迟 54

参考资料 56

习题 56

2.1 运算放大器 63

第二章 运算放大器与比较器 63

2.2 虚接地 64

2.3 运算 65

2.4 输出阻抗 68

2.5 运算放大器之电子学 69

2.6 整体放大器 72

2.7 利用一个运算放大器之非反相放大 72

2.8 非反相放大器之阻抗 73

2.10 补偿 75

2.9 实用之讨论 75

2.11 共模斥拒比 76

2.12 运算放大器之特性 77

2.13 比较器 79

2.14 积体电路比较器 80

2.15 积体电路比较器之计算 81

2.16 比较器之特性 87

2.17 史密特触发电路 88

2.18 史密特触发器之例子 92

参考资料 94

习题 95

第三章 逻辑线路 101

3.1 引言 101

3.2 单一二值变数的函数 102

3.3 二个二值变数的函数 103

3.4 OR函数 105

3.5 NAND运算及NOR运算 106

3.6 互斥或运算 109

3.8 逻辑变数 111

3.7 其他的变数 111

3.9 0,1之符号 114

3.10 必要及充分的运算 115

3.11 布林代数的定理 117

3.12 例题 121

3.13 二进位数系统 123

3.14 格式反射二进码 125

3.15 逻辑函数的标准形式—乘积和 127

3.16 标准形式—和项之积 130

3.17 逻辑函数最小项及最大项之说明 132

3.18 逻辑函数的卡诺图形表示法 134

3.19 二个，三个，四个变数的卡诺图表示法 137

3.20 用卡诺图来化简逻辑式子 139

3.21 K图上更多项的合并 142

3.22 五个及六个变数的卡诺图 144

3.23 K图之用法 146

3.24 函数不表成最小项时之图示法 151

3.25 用NAND或NOR闸之合成 153

3.26 未完全述明的函数 155

习题 157

第四章 电阻器—电晶体逻辑（RTL）和积体—注入逻辑(IIL) 163

4.1 电阻器—电晶体逻辑 163

4.2 直接—耦合电晶体逻辑（DCTL）闸 164

4.3 DCTL闸的电流贪取 168

4.4 电阻器—电晶体逻辑（RTL） 168

4.5 扇出 171

4.6 串接RTL闸的输入—输出电压特性 177

4.7 RTL缓冲器 182

4.8 RTL的互斥—或闸 186

4.9 厂商规格 187

4.10 并联RTL闸 189

4.11 工作电压规格 192

4.12 传播延迟时间 193

4.13 积体—注入逻辑 196

4.14 IIL的实际规划 201

4.15 IIL解磁器 205

4.16 电流和电压埠位 206

参考资料 207

习题 207

第五章 二极体—电晶体逻辑 213

5.1 二极体—电晶体（DTL）闸 213

5.2 扇出 217

5.3 积体电路DTL闸 219

5.4 输入—输出特性 222

5.5 DTL闸的厂商规格 225

5.6 线逻辑—AND接线 228

5.7 高临限逻辑（HTL） 231

5.8 HTL闸的输入—输出特性 232

5.9 厂商规格 234

参考资料 235

习题 235

第六章 电晶体—电晶体逻辑 241

6.1 电晶体电晶体逻辑 241

6.3 输入电晶体 243

6.2 TTL和DTL的比较 243

6.4 主动牵起 245

6.5 输入输出特性曲线——在忽略输入电晶体的情形下 247

6.6 输入电晶体的输入输出特性曲线 254

6.7 多射极电晶体 257

6.8 TTL闸输入电晶体的电压电流特性曲线 258

6.9 TTL闸的输出特性曲线 260

6.10 厂商的数据或规格 263

6.11 供应电压所流出的电流 267

6.12 TTL闸的类型 268

6.13 肖特基TTL闸 273

6.14 TTL闸的其他逻辑 274

参考资料 275

习题 275

第七章 射极耦合逻辑 281

7.1 引言 281

7.2 ECL闸 282

7.3 ECL电晶体的电压 283

7.4 转换特性曲线：OR端之输出 284

7.5 NOR端的输出 288

7.6 厂商的规格——转换特性曲线 289

7.7 扇出 290

7.8 工作的速度 292

7.9 偏压的温度补偿 294

7.10 ECL闸的逻辑转用 297

7.11 负供应电压 297

7.12 电位转移 300

7.13 ECL闸的连接 302

参考资料 309

习题 310

第八章 金属—氧化—半导体闸 315

8.1 解析MOSFETS的方程式 315

8.2 温度效应 318

8.3 MOS反相器 319

8.4 CMOS反相器 321

8.5 CMOS反相器转移特性的计算 321

8.6 MOS闸 324

8.7 MOS闸的上升时间 326

8.8 下降时间 328

8.9 CMOS闸 330

8.10 CMOS闸的上升和下降时间 331

8.11 厂商规格 332

8.12 BJT闸和CMOS闸之间的介面连接 334

参考资料 337

习题 337

第九章 正反器 341

9.1 引言 341

9.2 专有名词 341

9.3 正反器当做一个记忆单元 342

9.4 利用非及闸之正反器 344

9.5 无齿震开关 346

9.6 校时的正反器 347

9.7 正反器之交连：主从正反器 351

9.8 交流耦合边缘触发正反器 356

9.9 校时交流耦合正反器 359

9.10 电容性储存正反器 361

9.11 传播延迟正反器 362

9.12 JK正反器 364

9.13 D－型正反器 366

9.14 RTL SR正反器 368

9.15 DTL正反器 369

9.16 RTL传播延迟正反器 373

9.17 ECL正反器 374

9.18 JK交流耦合ECL正反器 376

9.19 厂商之规格说明 380

9.20 TTL JK正反器 380

9.21 MOS正反器 383

习题 386

第十章 记录器与计数器 393

10-1 移位记录器 393

10-2 校时 396

10-3 串联—并联数据转换 396

10-5 右移—左移记录器 397

10-4 端回进位 397

10-6 纹波计数器 398

10-7 改进计数器速度的方法 402

10-8 非二进位计数器 406

10-9 3－模计数器 406

10-10 5－模计数器 409

10-11 锁定 412

10-12 各种模数计数器之组合 414

10-13 其他计数器之设计 416

10-14 朝上—朝下纹波计数器 418

10-15 朝上—朝下同步计数器 420

10-16 环式计数器 421

10-17 序列产生器 423

习题 431

第十一章 算术运算 439

11-1 两个二进数目的相加 439

11-2 全加器 441

11-3 串加器 442

11-4 并加法 445

11-5 两个以上数目的相加 447

11-6 快速加法器：前瞻进位 450

11-7 减法 453

11-8 互补数 455

11-9 在暂存器中正负数的表示法 459

11-10 经由互补的减法及加法 461

11-11 2－互补数的加法及减法 462

11-12 1－互补数的加法及减法 463

11-13 一连串正负数的加法及减法 465

11-14 饱和加法器 466

11-15 定比 467

11-16 乘法 472

11-17 除法 474

11-18 算术逻辑器（ALU） 475

习题 477

第十二章 半导体记忆器 483

12-1 记忆器的种类 483

12-2 移录器依序记忆器 485

12-3 MOS暂存器级 488

12-4 两相非比率移录器 493

12-5 四相非比率暂存器级 495

12-6 CMOS暂存器级 496

12-7 静态移录器级 499

12-8 一个三相静态暂存器级 501

12-9 仅读记忆器 503

12-10 ROM的实际制作 506

12-11 可计程和可抹除ROM 507

12-12 ROM的应用 508

12-13 双载子接面电晶体随意出入记忆单元 510

12-14 其他的双载子电晶体记忆单元 513

12-15 由MOS构成的RAM 515

12-16 RAM的结构 522

12-17 半导体记忆器积体电路晶方的并联 524

12-18 电荷耦合元件（CCD） 528

12-19 电荷的储存方式 530

12-20 电荷的迁移 532

12-21 输入和输出的配置 535

习题 537

第十三章 类比开关 544

13-1 类比闸之基本操作原理 544

13-2 交换线路的应用 545

13-3 二极体传输闸 555

13-4 双极性接面电晶体闸 570

13-5 FET闸 573

13-6 运算放大器 574

13-7 一负载为OP-Amp的FET 576

13-8 抽样保持电路 579

13-9 FET闸驱动器 586

13-10 CMOS闸 589

13-11 类比开关的应用 591

13-12 S/H放大器之厂商规格 595

习题 597

第十四章 类比到数位变换器 603

14-1 引言 603

14-2 抽样定理 604

14-3 多时分工 607

14-4 量化 608

14-5 对比电阻D/A变换器 612

14-6 R-2R梯形D/A变换器 615

14-7 D/A变换器开关 619

14-8 电流驱动D/A变换器 622

14-9 转化梯形D/A变换器 626

14-10 D/A变换器的输入与输出样式 630

14-11 D/A变换器的特性 634

14-12 D/A变换器：比较器并联型 637

14-13 连续近似变换器 644

14-14 计数变换器 649

14-15 双斜度变换器 652

14-16 各类型变换器的比较 655

14-17 利用电压频率变换的变换器 655

14-18 利用电压时间变换的变换器 658

14-19 A/D变换器的特性 660

14-20 S/H与A/D变换器间之连系 661

14-21 微量调变 663

14-22 适应微量调变（ADM） 667

习题 670

第十五章 计时线路 678

15-1 互补金氧半多谐振荡器 678

15-2 互补金氧半非稳态多谐振荡器 685

15-3 ECL闸单稳态多谐振荡器 687

15-4 短计时间段多谐振荡器 692

15-5 积体电路TTL单稳态多谐振荡器 695

15-6 积体电路计时器 698

习题 701

附录 传输线 711

A-1 引言 711

A-2 特性阻抗 714

A-3 反射 714

A-4 多重反射 716

A-5 波形上升时间的效应 718

重要厂商规格 721

索引 731