中国半导体功率器件领路人 中国科学院院士陈星弼传略PDF电子书下载

院士传略 2

三岁入学 2

一个有名的父亲 3

难儿的幼年故事 6

一路躲避日机轰炸 7

沸腾的青春 10

桐油灯下抄课本 12

想成为爱因斯坦那样的人 13

去吧，兄弟啊 15

不会演戏，就当灯控师 18

重回上海，英语差一截儿 21

上同济之前 23

凡是伟大的东西都想学习 25

对好老师“莫名其妙地非常崇拜” 27

激进的团员同志 28

工作和爱情 30

迷上半导体 31

第一篇论文 34

小纸片教案 37

没有“头衔”的技术权威 39

硅靶摄像管 42

风雨交加 44

新方程，神来之笔 46

50岁乐当学生 48

你是个好学生 51

“邂逅”功率器件 54

忍痛放弃“我的梦” 59

筹建微电子所 62

高分通过博士点申请 66

第二次电子革命的突破口 69

教学生真学问 73

科研与教学，哪个更重要 76

把一生都献给祖国 78

执子之手，与子偕老 82

淡泊真善 85

耄耋之年，永不放弃 87

在科学的道路上 89

师恩难忘 106

我们的大专家小学弟 106

陈星弼院士纵横谈 108

陈老师为我们“开小灶” 113

陈老师教会我的 117

往事 121

严谨治学的好师长——忆陈星弼院士二三事 128

北京校友的贺信 130

献身社会 体验生命价值 131

长留情愫暖心问 134

真正的“师者” 136

师者如父 138

业精于勤 业精于专 140

难忘的半导体器件物理课 142

珍惜时光 144

从小事做起 146

师恩难忘 148

你知道蒋梦麟吗 150

严师大爱 152

我心中的陈老师 155

我帮老师修电脑 158

点滴笔墨谢恩师 160

难在不易处 162

学一点传统文化 164

贺陈星弼老师八十华诞 167

无题 169

论文集锦 172

关于半导体漂移三极管在饱和区工作时的储存时间问题 172

Optimum Doping Profile of Power MOSFET Epitaxial Layer 187

BEST UNIFORM SURFACE DO PING IN THE DRIFT REGION OF OFFSET-GATE POWER MOSFET'S WITH DEEP JUNCTIONS 190

Optimization of the Drift Region of Power MOSFET's with Lateral Structures and Deep Junctions 193

A Theory of Floating Filed-Limiting Rings Regarding the Effect of Surface Charges 200

THEORY OF OPTIMUM DESIGN OF REVERSE-BIASED p-n JUNCTIONS USING RESISTIVE FIELD PLATES AND VARIATION LATERAL DOPING 207

Lateral high-voltage devices using an optimized variational lateral doping 213

An Analytical Model for Electric Field Distribution of Positively Beveled Abrupt PN Junctions 224

Theory of a Novel Voltage Sustaining(CB)Layer for Power Devices 229

Optimum Design Parameters for Different Patterns of CB-Structure 235

Optimization of the Specific On-Resistance of the COOLMOSTM 241

Theory of the Switching Response of CBMOST 246

Optimum VLD makes SPIC Better and Cheaper 252

New"silicon limit"of power devices 257

发明专利 266

国外发明专利 266

国内发明专利 277

附录 285

中国科学院院士陈星弼获奖目录 285

中国科学院院士陈星弼主要著作和论文目录 291

中国科学院院士陈星弼大事记 301

后记 303