半导体物理学 第4版PDF电子书下载

主要参数符号表 1

第一章 半导体中的电子状态 5

1.1 半导体的晶格结构和结合性质 5

1.2 半导体中的电子状态和能带 8

1.3 半导体中电子的运动 有效质量 15

1.4 本征半导体的导电机构 空穴 18

1.5 回旋共振 21

1.6 硅和锗的能带结构 24

1.7 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的能带结构 29

1.8 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的能带结构 32

习题 32

参考资料 33

2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 34

第二章 半导体中杂质和缺陷能级 34

2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级 41

2.3 缺陷、位错能级 45

思考题及习题 48

参考资料 48

第三章 半导体中载流子的统计分布 50

3.1 状态密度 50

3.2 费米能级和载流子的统计分布 53

3.3 本征半导体的载流子浓度 58

3.4 杂质半导体的载流子浓度 61

3.5 一般情况下的载流子统计分布 70

3.6 简并半导体 74

补充材料：电子占据杂质能级的几率 78

习题 81

参考资料 82

4.1 载流子的漂移运动 迁移率 84

第四章 半导体的导电性 84

4.2 载流子的散射 86

4.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系 93

4.4 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系 98

4.5 玻耳兹曼方程 电导率的统计理论 100

4.6 强电场下的效应 热载流子 105

4.7 多能谷散射 耿氏效应 110

习题 113

参考资料 114

第五章 非平衡载流子 116

5.1 非平衡载流子的注入与复合 116

5.2 非平衡载流子的寿命 117

5.3 准费米能级 119

5.4 复合理论 120

5.5 陷阱效应 132

5.6 载流子的扩散运动 134

5.7 载流子的漂移运动，爱因斯坦关系式 137

5.8 连续性方程式 139

习题 144

参考文献 145

第六章 p-n结 146

6.1 p-n结及其能带图 146

6.2 p-n结电流电压特性 152

6.3 p-n结电容 162

6.4 p-n结击穿 171

6.5 p-n结隧道效应 174

习题 176

参考资料 177

第七章 金属和半导体的接触 178

7.1 金属半导体接触及其能级图 178

7.2 金属半导体接触整流理论 183

7.3 少数载流子的注入和欧姆接触 191

习题 194

参考资料 194

第八章 半导体表面与MIS结构 195

8.1 表面态 195

8.2 表面电场效应 198

8.3 MIS结构的电容-电压特性 206

8.4 硅-二氧化硅系统的性质 213

8.5 表面电导及迁移率 219

8.6 表面电场对p-n结特性的影响 221

习题 226

参考资料 227

9.1 异质结及其能带图 228

第九章 异质结 228

9.2 异质结的电流输运机构 237

9.3 异质结在器件中的应用 245

9.4 半导体超晶格 247

思考题及习题 250

参考资料 251

第十章 半导体的光学性质和光电与发光现象 253

10.1 半导体的光学常数 253

10.2 半导体的光吸收 256

10.3 半导体的光电导 264

10.4 半导体的光生伏特效应 271

10.5 半导体发光 273

10.6 半导体激光 278

习题 283

参考资料 284

11.1 热电效应的一般描述 286

第十一章 半导体的热电性质 286

11.2 半导体的温差电动势率 289

11.3 半导体的珀耳帖效应 294

11.4 半导体的汤姆孙效应 295

11.5 半导体的热导率 296

11.6 半导体热电效应的应用 298

习题 299

参考资料 300

第十二章 半导体磁和压阻效应 301

12.1 霍耳效应 301

12.2 磁阻效应 308

12.3 磁光效应 312

12.4 量子化霍耳效应 316

12.5 热磁效应 318

12.6 光磁电效应 319

12.7 压阻效应 323

12.8 声波和载流子的相互作用 330

习题 338

参考资料 339

第十三章 非晶态半导体 340

13.1 非晶态半导体的结构 340

13.2 非晶态半导体中的电子态 343

13.3 非晶态半导体中的缺陷、隙态与掺杂效应 348

13.4 非晶态半导体中的电学性质 354

13.5 非晶态半导体中的光学性质 359

13.6 α-Si:H的p-n结与金-半接触特性 363

参考资料 364

附录 366

附录1 常用物理常数和能量表达变换表 366

附表1-1 常用物理常数表 366