王守武院士科研活动论著选集PDF电子书下载

王守武院士传略 1

王守武院士出访记录 10

A3 微电子技术的发展和我们的对策 104

A4 为了无愧于历史和人生——寄语研究部的青年人 107

A5 紧跟新技术革命步伐，加速信息高速公路建设——纪念晶体管发明50周年 108

B篇 耕耘篇 109

王守武院士主要贡献 11

B1 The Plastic State of Stress in Extrusion Through Frictionless Rollers 111

B2 半导体的电子生伏打效应的理论 118

祝贺与回忆 13

B3 关于p-n合金结中少数载流者的注射理论 131

庆祝王守武院士80华诞 14

B4 双脉冲法测量锗、硅材料寿命 145

学习王守武先生献身中国微电子事业的精神 15

B5 双脉冲法测量硅的寿命 152

B6 1-200mc内晶体管频率特性的测量 157

淡泊名利，奋力开拓，实事求是，平易近人 17

B7 用触针下分布电阻的光电导衰退来测量半导体中少数载流子的寿命 171

B8 砷化镓p-n结的受激发射的光谱特性 186

B9 平面Gunn器件中的雪崩弛豫振荡 189

B10 低阈值CaAs/GaAlAs PNPN负阻激光器 196

报国惟真、创新求实——王守武院士传略 2

王守武先生与中国第一只晶体管 20

B11 Gunn器件中掺杂梯度引起的静止畴的计算机模拟 206

印象深刻的一件事 21

半导体光电子学的开拓性研究——忆王守武院士的指导 22

B12 GaAs-Ga1-xAlxAs双异质结激光器的深能级荧光 223

B13 DH激光器电光延迟时间与注入脉冲电流的关系及其测量 232

B14 （AlGa）As/GaAs DH激光器低温负阻的研究 239

良师教导，终生难忘——记与王守武院士共同作的日子 24

B15 GaAs/GaAlAs p-n-p-n Negative-resistance Laser with Low Threshold Current Density 250

B16 Gunn器件中畴的静止-渡越-静止模式的实验观察和计算机模拟 259

科学严谨、认真扎实、正派无私——庆王守武80华诞，忆王守武当厂长的岁月 27

B17 平面Gunn器件中静止畴的形成和转变 271

B18 Self-Oscillation Frequency Characteristics of a GaAs/GaAlAs pn-pn Laser 281

B19 SOI结构中的薄体效应 299

王守武先生对我们的教诲 31

B20 5-硝基苊光致特性的研究 311

B21 关于半导体激光器中光子密度的速率方程 318

回忆与王守武所长一起工作的日子 32

B22 双层多晶硅电极间隙势垒的两维分析 321

B23 离子注入抗蚀技术 333

B24 双异质结半导体激光器在阶跃和正弦电流调制下的行为 335

王守武院士与学术交流 34

B25 单腔双接触结构激光器双稳特性研究 348

B26 GaAs/GaAlA pnpn负阻激光器中的光开关、光双稳特性 359

我的老师王守武院士 36

B27 离子注入抗蚀技术 366

B28 Optical Bistability in a pnpn GaAs/GaAlAs Laser Diode 371

王守武先生二三事 38

B29 关于半导体激光器侧向调制相位均匀性的研究 380

B30 Computer Simulation and Experimental Observation of the Transformation Between Stationary and Transit Domains in a Gunn Device 389

B31 Stability Analysis of Semiconductor Bistable Lasers 402

王守武科学论文选 41

B32 GaAs/GaAlAs半导体淬灭型双稳现象的实验研究 412

B33 薄膜SOI结构中反型层厚度与薄膜厚度的关系 415

B34 STM钨针尖顶端结构研究 419

A篇 导航篇 42

B35 GaAs/AlGaAs光子平行存贮器的性能 423

B36 GaAs脊形量子线结构的MBE生长机理研究 429

A1 半导体器件的发展 43

王守武院士简历 9

A2 大规模集成电路和短沟道效应 92