王守武院士传略 1
王守武院士出访记录 10
A3 微电子技术的发展和我们的对策 104
A4 为了无愧于历史和人生——寄语研究部的青年人 107
A5 紧跟新技术革命步伐，加速信息高速公路建设——纪念晶体管发明50周年 108
B篇 耕耘篇 109
王守武院士主要贡献 11
B1 The Plastic State of Stress in Extrusion Through Frictionless Rollers 111
B2 半导体的电子生伏打效应的理论 118
祝贺与回忆 13
B3 关于p-n合金结中少数载流者的注射理论 131
庆祝王守武院士80华诞 14
B4 双脉冲法测量锗、硅材料寿命 145
学习王守武先生献身中国微电子事业的精神 15
B5 双脉冲法测量硅的寿命 152
B6 1-200mc内晶体管频率特性的测量 157
淡泊名利，奋力开拓，实事求是，平易近人 17
B7 用触针下分布电阻的光电导衰退来测量半导体中少数载流子的寿命 171
B8 砷化镓p-n结的受激发射的光谱特性 186
B9 平面Gunn器件中的雪崩弛豫振荡 189
B10 低阈值CaAs/GaAlAs PNPN负阻激光器 196
报国惟真、创新求实——王守武院士传略 2
王守武先生与中国第一只晶体管 20
B11 Gunn器件中掺杂梯度引起的静止畴的计算机模拟 206
印象深刻的一件事 21
半导体光电子学的开拓性研究——忆王守武院士的指导 22
B12 GaAs-Ga1-xAlxAs双异质结激光器的深能级荧光 223
B13 DH激光器电光延迟时间与注入脉冲电流的关系及其测量 232
B14 （AlGa）As/GaAs DH激光器低温负阻的研究 239
良师教导，终生难忘——记与王守武院士共同作的日子 24
B15 GaAs/GaAlAs p-n-p-n Negative-resistance Laser with Low Threshold Current Density 250
B16 Gunn器件中畴的静止-渡越-静止模式的实验观察和计算机模拟 259
科学严谨、认真扎实、正派无私——庆王守武80华诞，忆王守武当厂长的岁月 27
B17 平面Gunn器件中静止畴的形成和转变 271
B18 Self-Oscillation Frequency Characteristics of a GaAs/GaAlAs pn-pn Laser 281
B19 SOI结构中的薄体效应 299
王守武先生对我们的教诲 31
B20 5-硝基苊光致特性的研究 311
B21 关于半导体激光器中光子密度的速率方程 318
回忆与王守武所长一起工作的日子 32
B22 双层多晶硅电极间隙势垒的两维分析 321
B23 离子注入抗蚀技术 333
B24 双异质结半导体激光器在阶跃和正弦电流调制下的行为 335
王守武院士与学术交流 34
B25 单腔双接触结构激光器双稳特性研究 348
B26 GaAs/GaAlA pnpn负阻激光器中的光开关、光双稳特性 359
我的老师王守武院士 36
B27 离子注入抗蚀技术 366
B28 Optical Bistability in a pnpn GaAs/GaAlAs Laser Diode 371
王守武先生二三事 38
B29 关于半导体激光器侧向调制相位均匀性的研究 380
B30 Computer Simulation and Experimental Observation of the Transformation Between Stationary and Transit Domains in a Gunn Device 389
B31 Stability Analysis of Semiconductor Bistable Lasers 402
王守武科学论文选 41
B32 GaAs/GaAlAs半导体淬灭型双稳现象的实验研究 412
B33 薄膜SOI结构中反型层厚度与薄膜厚度的关系 415
B34 STM钨针尖顶端结构研究 419
A篇 导航篇 42
B35 GaAs/AlGaAs光子平行存贮器的性能 423
B36 GaAs脊形量子线结构的MBE生长机理研究 429
A1 半导体器件的发展 43
王守武院士简历 9
A2 大规模集成电路和短沟道效应 92