静电感应器件：物理、工艺与实践PDF电子书下载

导论——20年来对静电感应器件(SID)的开拓性研究 1

器件物理方面 23

1 静电感应器件(SID)物理特点 23

2 静电感应器件(SID)作用机制的研究 25

3 BSIT的理论研究 28

4 双极模式静电感应晶体管I—V特性饱和机制的分析模型 36

5 BSIT电流增益hFS的分析 40

6 静电感应晶闸管(SITH)的物理研究 44

7 SITH的负阻转折特性 54

8 对SITH负阻转折的物理分析 62

9 SIT的特点和制造技术的研究 69

设计制造技术方面 69

10 复合结构的静电感应器件 73

11 介质盖栅结构的超高频(微波)静电感应晶体管 78

12 表面栅型静电感应晶体管结构和工艺特点 84

13 双极型静电感应晶体管(BSIT)的研制 90

14 硅/硅直接键合片(SDB)制造双极型静电感应晶体管 93

15 100A/1200V静电感应晶闸管的设计 96

16 多条小间距扩散结横向扩散比例的测量 103

17 高压器件终端——场限环的设计及应用 107

18 微米级光刻技术的研究 111

19 影响微细铝条等离子刻蚀的物理化学因素 113

20 铂—硅系复合电极的界面反应及电特性 118

21 Al—Ti/W—PtSi—Si系统电性能的研究 126

22 高阻外延技术的研究 133

23 薄层硅烷同步外延的研究 134

24 固定电荷的变化对界面态的影响及低温H2退火效应 137

25 Si—SiO2界面的氧退火特性 142

26 SiO2/Si界面金电荷效应随固定氧化层电荷的变化 150

电参数的控制和工艺调节方面 155

27 静电感应器件的电性能 155

28 静电感应晶体管(SIT)电性能的控制 163

29 结构尺寸对SIT电特性的影响 171

30 材料参数的选取及其对SID电性能的影响 175

31 SIT耐压容量的控制和工艺调节 180

32 高频功率参数的控制与工艺调节 185

33 工艺的离散性和波动性 194

34 参数调节中的诸关系 197

35 小沟道宽度对静电感应器件特性的影响 199

36 BSIT的工艺控制和参数调节 202

37 SITH电参数的控制和工艺调节 205

电参数的测试和性能研究方面 213

38 静电感应器件SID电学参数的测试 213

39 微波SID功率参数测试的研究 219

40 电力SITH动态参数测试原理与方法 223

41 静电感应器件动态性能的研究 227

42 静电感应器件动态参数的物理分析 244

43 双极型静电感应晶体管开关性能的研究 253

44 静电感应器件栅—源击穿特性的改善 257

45 双极型静电感应晶体管(BSIT)的温度特性 260