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碳、硅二维晶体材料的生长、结构和物性
碳、硅二维晶体材料的生长、结构和物性

碳、硅二维晶体材料的生长、结构和物性PDF电子书下载

工业技术

  • 电子书积分:8 积分如何计算积分?
  • 作 者:孟蕾著
  • 出 版 社:北京:中央民族大学出版社
  • 出版年份:2015
  • ISBN:9787566009258
  • 页数:147 页
图书介绍:自从2004年成功机械剥离石墨烯这一新型二维晶体之后,二维晶体材料就引起了科技界的广泛关注。其中,石墨烯具有诸多新奇的物理特性,如具有极高的机械强度、室温下具有极高的载流子迁移率、室温下可观测到量子霍尔效应等等。和石墨烯类似的另外一种二维材料——硅烯——最近也引起了理论学者和实验学家的诸多兴趣。本书主要介绍上述二维材料,利用低能电子衍射(LEED)、扫描隧道显微镜(STM)等实验手段系统的研究了单晶Ir(111)表面的石墨烯的生长、结构控制及硅插层,以及硅烯的生长、结构与物性。
《碳、硅二维晶体材料的生长、结构和物性》目录

第一章 绪论 1

1.1 引言 1

1.2 石墨烯的结构、物性及表征 3

1.2.1 石墨烯独特的电子结构 4

1.2.2 石墨烯新奇的物理特性 7

1.2.3 石墨烯的制备 11

1.2.4 石墨烯的表征 19

1.3 六方氮化硼的结构、物性及表征 36

1.4 二硫化钼的结构、物性及表征 39

1.5 硅烯研究的兴起 42

1.5.1 硅在Ag(110)表面的吸附 44

1.5.2 硅在Ag(001)表面的吸附 46

1.5.3 硅烯的理论研究 48

1.6 本书的研究内容 55

第二章 单晶IR(111)表面石墨烯的生长和结构 73

2.1 引言 73

2.1.1 过渡金属表面外延生长石墨烯 73

2.1.2 摩尔周期结构 76

2.2 实验仪器及实验过程 77

2.2.1 实验仪器介绍 77

2.2.2 实验过程介绍 79

2.3 Ir(111)表面外延生长的石墨烯及其摩尔结构 80

2.3.1 Ir(111)表面多转角摩尔周期结构 80

2.3.2 HOC模型 84

2.4 Ir(111)与石墨烯的界面结构及其电子转移 88

2.5 Ir(111)表面外延生长的石墨烯的取向控制 92

2.6 小结 94

第三章 单晶IR(111)表面石墨烯的硅插层 101

3.1 引言 101

3.1.1 石墨烯体系的插层 101

3.1.2 Ir(111)表面外延生长石墨烯的电子性质 106

3.2 实验过程介绍 109

3.3 Ir(111)表面石墨烯插硅结构及电子性质的表征 110

3.4 小结 118

第四章 单晶IR(111)表面硅烯的生长和结构 123

4.1 引言 123

4.1.1 Ag(111)表面硅烯的制备 123

4.1.2 ZrB2薄膜表面硅烯的制备 130

4.2 实验过程介绍 133

4.3 Ir(111)表面硅烯的结构表征 134

4.4 小结 142

第五章 总结 145

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