集成电路设计 第3版PDF电子书下载

第1章 集成电路设计概述 1

1.1 集成电路的发展 1

1.2 集成电路设计流程及设计环境 4

1.3 集成电路制造途径 5

1.4 集成电路设计的知识范围 7

思考题 8

第2章 集成电路材料、结构与理论 9

2.1 集成电路材料 9

2.1.1 硅 10

2.1.2 砷化镓 10

2.1.3 磷化铟 11

2.1.4 绝缘材料 11

2.1.5 金属材料 12

2.1.6 多晶硅 13

2.1.7 材料系统 14

2.2 半导体基础知识 15

2.2.1 半导体的晶体结构 15

2.2.2 本征半导体与杂质半导体 15

2.3 PN结与结型二极管 16

2.3.1 PN结的扩散与漂移 16

2.3.2 PN结型二极管 17

2.3.3 肖特基结二极管 18

2.3.4 欧姆型接触 18

2.4 双极型晶体管 18

2.4.1 双极型晶体管的基本结构 18

2.4.2 双极型晶体管的工作原理 19

2.5 MOS晶体管 20

2.5.1 MOS晶体管的基本结构 20

2.5.2 MOS晶体管的工作原理 21

2.5.3 MOS晶体管的伏安特性 21

思考题 25

本章参考文献 25

第3章 集成电路基本工艺 27

3.1 外延生长 27

3.2 掩模版的制造 28

3.3 光刻原理与流程 31

3.3.1 光刻步骤 31

3.3.2 曝光方式 32

3.4 氧化 34

3.5 淀积与刻蚀 34

3.6 掺杂原理与工艺 35

思考题 37

本章参考文献 37

第4章 集成电路器件工艺 39

4.1 双极型集成电路的基本制造工艺 40

4.1.1 双极型硅工艺 40

4.1.2 HBT工艺 41

4.2 MESFET和HEMT工艺 43

4.2.1 MESFET工艺 43

4.2.2 HEMT工艺 44

4.3 MOS和相关的VLSI工艺 47

4.3.1 PMOS工艺 48

4.3.2 NMOS工艺 49

4.3.3 CMOS工艺 52

4.4 BiCMOS工艺 55

思考题 58

本章参考文献 58

第5章 MOS场效应管的特性 59

5.1 MOS场效应管 59

5.1.1 MOS管伏安特性的推导 59

5.1.2 MOS电容的组成 60

5.1.3 MOS电容的计算 62

5.2 MOSFET的阈值电压VT 63

5.3 体效应 66

5.4 MOSFET的温度特性 66

5.5 MOSFET的噪声 67

5.6 MOSFET尺寸按比例缩小 67

5.7 MOS器件的二阶效应 70

5.7.1 L和W的变化 70

5.7.2 迁移率的退化 72

5.7.3 沟道长度的调制 73

5.7.4 短沟道效应引起的阈值电压的变化 74

5.7.5 狭沟道效应引起的阈值电压的变化 74

思考题 75

本章参考文献 75

第6章 集成电路器件及SPICE模型 76

6.1 无源器件结构及模型 76

6.1.1 互连线 76

6.1.2 电阻 77

6.1.3 电容 79

6.1.4 电感 81

6.1.5 分布参数元件 82

6.2 二极管电流方程及SPICE模型 86

6.2.1 二极管的电路模型 86

6.2.2 二极管的噪声模型 87

6.3 双极型晶体管电流方程及SPICE模型 88

6.3.1 双极型晶体管的EM模型 88

6.3.2 双极型晶体管的GP模型 90

6.4 结型场效应JFET （NJF/PJF）模型 91

6.5 MESFET （NMF/PMF）模型（SPICE3.x） 91

6.6 MOS管电流方程及SPICE模型 92

思考题 95

本章参考文献 95

第7章 SPICE数模混合仿真程序的设计流程及方法 97

7.1 采用SPICE的电路设计流程 97

7.2 电路元件的SPICE输入语句格式 98

7.3 电路特性分析语句 104

7.4 电路特性控制语句 106

7.5 HSPICE缓冲驱动器设计实例 107

7.6 HSPICE跨导放大器设计实例 111

7.7 PSPICE电路图编辑器简介 124

7.8 PSPICE缓冲驱动器设计实例 126

7.9 PSPICE跨导放大器设计实例 131

思考题 136

本章参考文献 136

第8章 集成电路版图设计与工具 137

8.1 工艺流程的定义 137

8.2 版图几何设计规则 138

8.3 图元 142

8.3.1 MOS晶体管 142

8.3.2 集成电阻 144

8.3.3 集成电容 145

8.3.4 寄生二极管与三极管 147

8.4 版图设计准则 148

8.4.1 匹配设计 148

8.4.2 抗干扰设计 153

8.4.3 寄生优化设计 154

8.4.4 可靠性设计 155

8.5 电学设计规则与布线 157

8.6 基于Cadence平台的全定制IC设计 159

8.6.1 版图设计的环境 159

8.6.2 原理图编辑与仿真 160

8.6.3 版图编辑与验证 164

8.6.4 CMOS差动放大器版图设计实例 166

8.7 芯片的版图布局 168

8.8 版图设计的注意事项 170

思考题 171

本章参考文献 171

第9章 模拟集成电路基本单元 172

9.1 电流源电路 172

9.1.1 双极型镜像电流源 172

9.1.2 MOS电流镜 174

9.2 基准电压源设计 175

9.2.1 双极型三管能隙基准源 175

9.2.2 MOS基准电压源 177

9.3 单端反相放大器 178

9.3.1 基本放大电路 178

9.3.2 改进的CMOS推挽放大器 182

9.4 差分放大器 182

9.4.1 BJT差分放大器 182

9.4.2 MOS差分放大器 183

9.4.3 CMOS差分放大器设计实例 184

9.5 运算放大器 186

9.5.1 性能参数 187

9.5.2 套筒式共源共栅运放 188

9.5.3 折叠式共源共栅运放 190

9.5.4 两级运放 193

9.5.5 CMOS运算放大器设计实例 194

9.6 振荡器 203

9.6.1 环形振荡器 203

9.6.2 LC振荡器 207

思考题 209

本章参考文献 210

第10章 数字集成电路基本单元与版图 211

10.1 TTL基本电路 211

10.1.1 TTL反相器 211

10.1.2 TTL与非门 212

10.1.3 TTL或非门 213

10.2 CMOS基本门电路及版图实现 214

10.2.1 CMOS反相器 214

10.2.2 CMOS与非门和或非门 222

10.2.3 CMOS传输门和开关逻辑 224

10.2.4 三态门 227

10.2.5 驱动电路 228

10.3 数字电路标准单元库设计 228

10.3.1 基本原理 228

10.3.2 库单元设计 229

10.4 焊盘输入/输出单元 230

10.4.1 输入单元 231

10.4.2 输出单元 232

10.4.3 输入/输出双向三态单元（I/O PAD） 238

10.5 了解CMOS存储器 239

10.5.1 动态随机存储器（DRAM） 241

10.5.2 静态随机存储器（SRAM） 246

10.5.3 闪存 248

思考题 250

本章参考文献 250

第11章 集成电路数字系统设计基础 251

11.1 数字系统硬件描述语言 251

11.1.1 基于HDL语言的设计流程 251

11.1.2 Verilog HDL语言介绍 253

11.1.3 硬件描述语言VHDL 262

11.2 数字系统逻辑综合与物理实现 269

11.2.1 逻辑综合的流程 271

11.2.2 Verilog HDL与逻辑综合 276

11.2.3 自动布局布线 279

11.3 数字系统的FPGA/CPLD硬件验证 283

11.3.1 PLD概述 283

11.3.2 现场可编程门阵列（FPGA） 284

11.3.3 基于FPGA的数字系统硬件验证 287

思考题 287

本章参考文献 288

第12章 集成电路的测试和封装 289

12.1 集成电路在芯片测试技术 289

12.2 集成电路封装形式与工艺流程 291

12.3 芯片键合 293

12.4 高速芯片封装 294

12.5 混合集成与微组装技术 295

12.6 数字集成电路测试方法 296

12.6.1 可测试性的重要性 296

12.6.2 测试基础 297

12.6.3 可测试性设计 297

思考题 300

本章参考文献 300