目录 1
译者的话 1
序言 1
一、SUPREM程序现状 1
1.1 热氧化 2
1.2 离子注入 6
1.3 扩散 12
1.3A 磷 15
1.3B 砷 16
1.3C 氧化增强扩散 17
1.3D 预淀积和界面分凝 18
1.4 外延 19
1.5 化学汽相淀积（CVD） 21
1.6 材料研究 25
1.7 SUPREM程序的实现途径 32
参考文献 37
二、去年主要成果 41
2.1 热氧化 41
2.2 离子注入和扩散 41
2.3 化学汽相淀积 42
2.4 材料研究和界面物理 42
2.5 扩充SUPREM程序 42
详细技术报告 44
三、高压氧化 44
3.1 引言 44
3.2 实验过程 44
3.3 结果和讨论 45
3.4 小结 49
参考文献 50
四、薄层氧化生长动力学 51
4.1 引言 51
4.2 实验技术——椭圆偏振光测厚仪原位测量 53
4.3 轻掺杂硅在100％氧气中氧化 56
4.4 小结 57
参考文献 58
五、掺氯氧化动力学——SUPREM程序扩充 59
参考文献 61
六、氧化工艺微观动力学模拟 62
参考文献 67
七、离子注入射程统计 68
7.1 引言 68
7.2 射程统计的玻尔兹曼输运方程法 69
7.3 氧反冲射程分布 70
7.4 银膜注氪引起的银反冲产额 72
7.5 化合物半导体理想配比紊乱 74
7.6 小结 75
参考文献 76
8.2 最近成果概述 77
八、多晶硅电阻率 77
8.1 引言 77
8.2.1 LPCVD（低压化学汽相淀积）硅的结构性质 78
8.2.2 LPCVD硅的电学性能 78
8.2.3 多晶硅中掺杂剂分凝 78
8.2.4 多晶硅电导新模型 78
8.2.5 电导理论模型与实验数据比较 78
8.3 多晶硅电导理论模型 79
8.3.1 改进模型的必要性 79
8.3.2 理论模型要素 79
8.3.3 载流子输运 81
8.3.4 电流-电压关系 83
8.4 电导理论模型与实验数据比较 88
8.4.1 晶粒间界参数的确定 90
8.4.2 用理论模型预测电阻率 91
参考文献 93
8.5 小结 93
9.1 引言 95
九、多晶硅热氧化 95
9.2 实验结果和讨论 96
9.3 小结 100
参考文献 100
十、多晶硅晶粒生长机理 101
10.1 引言 101
10.2 实验 101
10.3 多晶硅的晶粒生长机理 102
10.4 结果和讨论 104
10.5 小结 107
参考文献 108
11.1 引言 109
11.2 实验和结果 109
十一、掺杂多晶硅／硅结构的氧化增强扩散 109
参考文献 115
十二、用于互连的难熔金属硅化物 116
12.1 引言 116
12.2 硅化钨栅MOS电容 117
12.3 硅化钨栅MOS晶体管 121
12.4 小结 123
参考文献 124
十三、研究流程中各工艺特性的难熔金属硅化物 126
13.1 引言 126
13.2 耐高温电极制备工艺的开发 127
13.3 小剂量注入的退火 128
13.4 大剂量注入的退火与损伤吸杂 128
13.5 小结 129
参考文献 129
14.1 引言 131
十四、氯在二氧化硅中输运与嵌入的俄歇谱和离子质谱研究 131
14.2 实验技术 133
14.3 氯在二氧化硅中输运的理论研究 137
14.4 实验结果 140
14.5 模拟氯输运和嵌入 144
14.6 讨论 147
14.7 小结 151
参考文献 151
十五、硅／二氧化硅界面掺杂剂分凝 153
15.1 引言 153
15.2 实验测量 153
15.3 掺杂剂分凝理论机制 157
15.3.1 可能键力综述 157
15.3.2 分凝掺杂剂电学特性 159
15.3.3 界面原子排列 161
参考文献 163
15.4 小结 163
十六、用于材料分析的各种波谱技术 164
16.1 引言 164
16.2 二次离子质量谱（SIMS） 164
16.3 卢瑟福背散射谱（RBS） 166
16.4 电子能谱（AES和XPS） 167
16.5 比较综述 168
参考文献 168
十七、SUPREM工艺模型的执行过程 170
17.1 引言 170
17.2 SUPREMⅡ程序中的氧化和杂质再分布效应 171
17.3 SUPREM程序工艺模型执行过程 174
17.4 SUPREM Ⅲ程序的多层工艺模拟 178
17.5 小结 183
参考文献 184
附录 最新成果 186