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目录 1

译者的话 1

序言 1

一、SUPREM程序现状 1

1.1 热氧化 2

1.2 离子注入 6

1.3 扩散 12

1.3A 磷 15

1.3B 砷 16

1.3C 氧化增强扩散 17

1.3D 预淀积和界面分凝 18

1.4 外延 19

1.5 化学汽相淀积（CVD） 21

1.6 材料研究 25

1.7 SUPREM程序的实现途径 32

参考文献 37

二、去年主要成果 41

2.1 热氧化 41

2.2 离子注入和扩散 41

2.3 化学汽相淀积 42

2.4 材料研究和界面物理 42

2.5 扩充SUPREM程序 42

详细技术报告 44

三、高压氧化 44

3.1 引言 44

3.2 实验过程 44

3.3 结果和讨论 45

3.4 小结 49

参考文献 50

四、薄层氧化生长动力学 51

4.1 引言 51

4.2 实验技术——椭圆偏振光测厚仪原位测量 53

4.3 轻掺杂硅在100％氧气中氧化 56

4.4 小结 57

参考文献 58

五、掺氯氧化动力学——SUPREM程序扩充 59

参考文献 61

六、氧化工艺微观动力学模拟 62

参考文献 67

七、离子注入射程统计 68

7.1 引言 68

7.2 射程统计的玻尔兹曼输运方程法 69

7.3 氧反冲射程分布 70

7.4 银膜注氪引起的银反冲产额 72

7.5 化合物半导体理想配比紊乱 74

7.6 小结 75

参考文献 76

8.2 最近成果概述 77

八、多晶硅电阻率 77

8.1 引言 77

8.2.1 LPCVD（低压化学汽相淀积）硅的结构性质 78

8.2.2 LPCVD硅的电学性能 78

8.2.3 多晶硅中掺杂剂分凝 78

8.2.4 多晶硅电导新模型 78

8.2.5 电导理论模型与实验数据比较 78

8.3 多晶硅电导理论模型 79

8.3.1 改进模型的必要性 79

8.3.2 理论模型要素 79

8.3.3 载流子输运 81

8.3.4 电流-电压关系 83

8.4 电导理论模型与实验数据比较 88

8.4.1 晶粒间界参数的确定 90

8.4.2 用理论模型预测电阻率 91

参考文献 93

8.5 小结 93

9.1 引言 95

九、多晶硅热氧化 95

9.2 实验结果和讨论 96

9.3 小结 100

参考文献 100

十、多晶硅晶粒生长机理 101

10.1 引言 101

10.2 实验 101

10.3 多晶硅的晶粒生长机理 102

10.4 结果和讨论 104

10.5 小结 107

参考文献 108

11.1 引言 109

11.2 实验和结果 109

十一、掺杂多晶硅／硅结构的氧化增强扩散 109

参考文献 115

十二、用于互连的难熔金属硅化物 116

12.1 引言 116

12.2 硅化钨栅MOS电容 117

12.3 硅化钨栅MOS晶体管 121

12.4 小结 123

参考文献 124

十三、研究流程中各工艺特性的难熔金属硅化物 126

13.1 引言 126

13.2 耐高温电极制备工艺的开发 127

13.3 小剂量注入的退火 128

13.4 大剂量注入的退火与损伤吸杂 128

13.5 小结 129

参考文献 129

14.1 引言 131

十四、氯在二氧化硅中输运与嵌入的俄歇谱和离子质谱研究 131

14.2 实验技术 133

14.3 氯在二氧化硅中输运的理论研究 137

14.4 实验结果 140

14.5 模拟氯输运和嵌入 144

14.6 讨论 147

14.7 小结 151

参考文献 151

十五、硅／二氧化硅界面掺杂剂分凝 153

15.1 引言 153

15.2 实验测量 153

15.3 掺杂剂分凝理论机制 157

15.3.1 可能键力综述 157

15.3.2 分凝掺杂剂电学特性 159

15.3.3 界面原子排列 161

参考文献 163

15.4 小结 163

十六、用于材料分析的各种波谱技术 164

16.1 引言 164

16.2 二次离子质量谱（SIMS） 164

16.3 卢瑟福背散射谱（RBS） 166

16.4 电子能谱（AES和XPS） 167

16.5 比较综述 168

参考文献 168

十七、SUPREM工艺模型的执行过程 170

17.1 引言 170

17.2 SUPREMⅡ程序中的氧化和杂质再分布效应 171

17.3 SUPREM程序工艺模型执行过程 174

17.4 SUPREM Ⅲ程序的多层工艺模拟 178

17.5 小结 183

参考文献 184

附录 最新成果 186