目录 1
第一章 场效应晶体管理论 1
1-1 引言 1
1-2 结型场效应晶体管 4
1-3 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应晶体管（绝缘栅型场效应晶体管） 14
1-4 场效应晶体管的符号 18
1-5 场效应晶体管的物理特征 19
1-6 小结 25
第二章 场效应晶体管的参量与规格 27
2-1 引言 27
2-2 JFET的静态特性 28
2-3 栅流特性 34
2-4 小信号特性 35
2-5 JFET中的电容 39
2-6 噪声特性 41
2-7 特性参量间的相互关系 43
2-8 MOSFET的特性 48
2-9 模拟开关参量 56
2-10 温度效应 61
2-11 额定功耗衰减系数 63
2-12 术语与符号汇总 64
3-1 引言 66
第三章 低频电路 66
8-2 工作区的边界 67
3-3 设计举例 68
3-4 确定工作点与建立偏置的方法 69
3-5 输入电容 72
3-6 如何选用FET——一个设计实例 73
3-7 恒流源偏置 82
3-8 共源共栅电路 84
3-9 源极跟随器（共漏放大器） 90
3-10 差分放大器 98
3-11 FET放大器的失真 121
3-12 音频噪声特性 133
第四章 高频电路 147
4-1 高频技术 147
4-2 高频放大中的问题 149
4-3 “完美”的高频FET 151
4-4 稳定性 153
4-5 功率增益 156
4-6 晶体管的两端口网络（四端网络）参量 157
4-7 放大器 162
4-8 混频器 173
4-9 平衡混频器 181
4-10 双平衡混频器 186
4-11 振荡器 194
4-12 高频功率FET 198
4-13 噪声温度与噪声系数 203
第五章 模拟开关 208
5-1 作模拟开关用的FET 208
5-2 直流等效电路 209
5-3 作开关用的JFET 212
5-4 开关高频信号 215
5-5 MOSFET开关 221
5-6 CMOS开关 222
5-7 VMOS开关 224
5-8 直流漏电特性 232
5-9 电容与开关过渡过程 238
5-10 用模拟开关进行信号变换 246
5-11 小结 251
第六章 电压控制电阻器和FET电流源 252
6-1 电压控制电阻器（VCR）的性质 252
6-2 FET VCR的特性 252
6-3 如何把FET用作VCR 255
6-4 信号失真：起因 256
6-5 信号失真的减小 257
6-6 用VCR进行线性增益控制 259
6-7 反馈线性化了的VCR的分析 262
6-8 用FET作恒流源 265
6-9 共源共栅FET电流源 269
6-10 稳流二极管 270
6-11 使用稳流器的波形发生器 273
6-12 用FET作电流源时的使用要点 275
第七章 功率场效应晶体管 276
7-1 引言 276
7-2 VMOS技术 277
7-3 垂直JFET和DMOS技术 279
7-4 VMOS的特性 281
7-5 一般开关应用 283
7-6 驱动考虑 294
7-7 温度考虑 295
7-8 并联与串联工作 297
7-9 放大应用 298
7-10 射频功率放大应用 303
7-11 小结 303
第八章 集成电路中的场效应晶体管 304
8-1 引言 304
8-2 MOSFET的各种基本制造工艺 304
8-3 双极晶体管与FET的结合 308