目录 1
第十二章 晶体管的高频特性和噪声 1
12-1晶休管的特征频率 2
12-1-1特征频率的意义 2
12-1-2讯号的时间延迟 4
12-1-3特征频率公式 10
12-1-4集电极串联电阻的计算方法 13
12-1-5影响特征频率的因素 17
12-1-6怎样提高特征频率 20
12-1-7集成电路中隔离电容对特征频率的影响 23
12-2晶体管的最高振荡频率 25
12-2-1晶体管的功率增益 26
12-2-2最高振荡频率 27
12-2-3减小基极电阻的方法 28
12-3晶体管的噪声 30
12-3-1噪声和噪声系数 30
12-3-2晶体管噪声的来源 32
第十三章 二极管和晶体管的开关特性 35
13-1二极管和晶体管的开关作用 35
13-1-1二极管的开关作用 36
13-1-2晶体管的开关作用 38
13-1-3晶体管的截止态和饱和态 39
13-1-4开关电路对二极管和晶体管的要求 42
13-2二极管的开关时间 42
13-2-1二极管的反向恢复过程 43
13-2-2电荷贮存效应 45
13-2-3如何减小二极管的反向恢复时间 47
13-3晶体管的开关时间 49
13-3-1晶体管的开关过程 49
13-3-2延迟过程 52
13-3-3上升过程 54
13-3-4电荷贮存效应和贮存时间 56
13-3-5下降过程 58
13-3-6开关时间公式 59
13-3-7提高开关速度的途径 65
13-4开关管的正向压降和饱和压降 69
13-4-1二极管的正向压降 69
13-4-2晶体管的共发射极正向压降 70
134-3晶体管的共发射极饱和压降 72
13-5-1二极管的几种型式 74
13-5逻辑集成电路中的二极管 74
13-5-2金属-半导体二极管 80
第十四章 逻辑集成电路原理 85
141逻辑操作和逻辑门电路 86
14-1-1“与”逻辑操作和“与”门电路 86
14-1-2“或”逻辑操作和“或”门电路 88
14-1-3“非”逻辑操作和“非”门电路 89
14-2二极管-晶体管逻辑集成电路 91
14-2-1典型二极管-晶体管逻辑集成电路 91
14-2-2改进型二极管-晶体管逻辑集成电路 94
14-3晶体管-晶体管逻辑集成电路 100
14-3-1晶体管-晶体管逻辑集成电路工作原理 101
14-3-2改进型晶体管-晶体管逻辑集成电路 105
14-3-3抗饱和晶体管-晶体管逻辑集成电路 107
14-4发射极耦合逻辑集成电路 111
14-4-1发射极耦合逻辑集成电路工作原理 111
14-4-2典型发射极耦合逻辑集成电路 114
14-4-3改进型发射极耦合逻辑集成电路 119
14-55JZ12型晶体管-晶体管逻辑集成电路特性分析 121
14-5-1静态特性分析 122
14-5-2瞬态特性分析 137
14-5-3电路设计分析 150
14-6典型发射极耦合逻辑集成电路特性分析 153
14-6-1静态特性分析 154
14-6-2瞬态特性分析 158
14-6-3电路设计分析 161
14-7其他逻辑集成电路介绍 164
14-7-1可变阈值逻辑集成电路 165
14-7-2低功耗逻辑集成电路 166
14-9触发器介绍 168
14-9-1置位-复位触发器 171
14-9-2主-从触发器 173
第十五章 逻辑集成电路的测试 178
15-1-1逻辑门电路参数的测试原理和方法 179
15-1饱和型逻辑门电路参数的测试 179
15-1-2初测 184
15-1-3测试结果分析 188
15-2触发器参数的测试 195
15-3-1测试方法 200
15-3发射极耦合逻辑门电路参数的测试 200
15-3-2测试结果分析 204
第十六章 线性集成电路原理 207
16-1线性集成电路的特点 207
16-2差分放大电路 210
16-2-1差分放大电路的基本形式 210
16-2-2差分放大电路的改进形式和偏置电路 214
16-2-3最简单的实用差分放大电路 218
16-3直流放大器 219
16-3-1直流放大器的漂移问题 219
16-3-2直流放大器中的缓冲电路 220
16-3-3直流放大器中的电平配置电路 221
16-3-45G922直流运算放大器 224
16-3-5中增益直流放大器 226
16-4宽带放大器 227
16-4-1影响放大器高频特性的因素 228
16-42扩展放大器频带宽度的方法 229
16-4-3多级放大器的频带宽度及提高带宽的办法 234
16-4-45G722负反馈宽带放大器 239
16-4-5BG302负反馈宽带差分放大器 240
第十七章 线性集成电路的测试 243
17-1宽带放大器参数的测试 243
17-1-1静态功耗Pj 244
17-1-2功率增益KP 245
17-1-3频带宽度△f 247
17-1-4频率响应不平坦度ε(％) 249
17-1-5噪声系数Nzs 249
17-1-6宽带放大器参数和工作条件的关系 252
17-2直流运算放大器参数的测试 255
17-2-1静态功耗Pj 257
17-2-2输入失调电压Vrs和输入失调电流Irs 257
17-2-3开环电压增益Kvk和动态范围(Vrmn,Vcmn) 262
17-2-4共模抑制比Ngyb 264
17-2-5输入阻抗Rsr和输出阻抗Rsc 266
17-2-6零点漂移(温度漂移系数NTP，时间漂移系数Ntp) 267
18-1集成电路设计一般考虑 269
18-1-1集成电路设计的特点 269
第十八章 集成电路的设计 269
18-1-2p-n结隔离中材料的选择 270
18-2集成电路中的晶体管 273
18-2-1集成电路中晶体管的设计 273
18-2-2集成电路中晶体管的有源寄生效应 281
18-2-3p-n-p晶体管 286
183集成电路中的电阻器 289
18-3-1扩散电阻的特性 289
18-3-2扩散电阻器的图形设计 294
18-3-3沟道电阻 295
18-4集成电路中的电容器 296
18-4-1扩散电容器 296
18-4-2金属-氧化物半导体电容器 299
185集成电路的内部布线 300
18-6集成电路的设计原则和设计实例 302
18-6-1设计电路版的基本原则 302
18-6-2逻辑集成电路设计实例 304
18-6-3线性集成电路设计实例 309
第十九章 金属-氧化物-半导体逻辑集成电路 313
19-1金属-氧化物-半导体场效应晶体管 313
19-1-1半导体表面的反型层 315
19-1-2金属-氧化物-半导体本场效应晶体管的工作原理 316
19-1-3n沟道增强型金属-氧化物-半导体场效应晶体管的特性 318
19-1-4p沟道增强型金属-氧化物-半导体场效应晶体管的特性 323
19-2金属-氧化物-半导体逻辑集成电路 325
19-2-1金属-氧化物-半导体场效应晶体管在逻辑集成电路中的应用 325
19-2-2金属-氧化物-半导体门电路 331
19-3金属-氧化物-半导体逻辑集成电路的设计及制造工艺 333
19-3-1金属-氧化物-半导体逻辑集成电路的制造工艺 333
19-3-2金属-氧化物-半导体逻辑集成电路的设计 338
第二十章 封装方法及可靠性分析 341
20-1集成电路的封装方法 341
20-1-1TO-5型封装 342
20-1-2扁平封装 343
20-1-3两种封装方法的比较 346
20-2集成电路可靠性的分析 347
20-2-1可靠性的意义 347
20-2-2引起集成电路失效的因素 348
20-2-3解决早期失效的老化试验 351
20-2-4测定可靠性水平的试验 353
附录八 5J型电路直流参数测试仪线路图 355
附录九 5J型电路平均延迟时间测试仪线路图 356
附录十 5J型电路直流参数初测仪线路图 356
14-8各种逻辑门电路比较 1167