第一章 结型场效应晶体管 12
第一节 概述 12
第二节 JFET的工作原理 16
第三节 JFET器件的物理分析 22
第四节 截止频率 41
参考文献 45
第二章 静电感应晶体管 46
第一节 SIT的基本结构及特点 46
第二节 SIT的基本工作原理 53
第三节 SIT的特性 59
第四节 双极型静电感应晶体管 75
参考文献 79
第三章 静电感应晶闸管 83
第一节 器件的基本结构及特性 83
第二节 SITH的工作原理 94
第三节 静态特性 99
第四节 动态特性 117
第五节 高温特性 131
第六节 常关型SITH 135
参考文献 137
第四章 功率MOS场效应晶体管 141
第一节 功率MOSFET的基本结构 141
第二节 MOS结构的性质 149
第三节 功率MOSFET的工作原理与特性 164
第四节 频率特性 184
第五节 功率MOS的开关特性 191
第六节 功率MOSFET的极限参数 200
参考文献 219
第五章 绝缘栅晶体管 223
第一节 基本结构与特性 223
第二节 工作原理与器件物理分析 230
第三节 频率特性 254
第四节 高温特性 259
第五节 设计考虑及制造技术 262
参考文献 270
第六章 MOS控制晶闸管 273
第一节 概述 273
第二节 MOS控制晶闸管的工作原理 283
参考文献 294
第七章 功率肖特基势垒二极管 296
第一节 肖特基势垒二极管的基本结构和整流机制 296
第二节 功率肖特基二极管的电流-电压特性 302
第三节 Power SBD的制备工艺 313
第四节 砷化镓功率肖特基二极管 320
第五节 特种功率肖特基势垒二极管 323
参考文献 329